nor閃存 文章 最新資訊
英飛凌SEMPER? NOR閃存系列獲得ASIL-D功能安全認(rèn)證
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日宣布其業(yè)界領(lǐng)先的SEMPER? NOR閃存經(jīng)SGS-TüV認(rèn)證,達(dá)到最高功能安全認(rèn)證級別ASIL-D。這家權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的外部專家在根據(jù)ISO 26262:2018標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品安全文檔進(jìn)行了詳細(xì)的分析后,證明SEMPER?產(chǎn)品達(dá)到了目前最嚴(yán)格的汽車應(yīng)用安全性能要求。隨著軟件定義汽車的快速涌現(xiàn),微電子組件開始驅(qū)動汽車的功能、性能和安全性,國際整車廠(OEM)和監(jiān)管機(jī)構(gòu)堅持要求從電機(jī)控制、電池管理到高級輔助駕駛、自動駕駛等一切電子系統(tǒng)均需達(dá)到最高安全等級
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美光為下一代超高速串行NOR閃存解決方案開疆拓土
- 美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出Twin-Quad串行NOR閃存產(chǎn)品系列,為客戶提供兩倍于市場現(xiàn)有四輸入/輸出(quad-I/O)解決方案的遷移路徑。同時,美光正在與華邦電子合作,讓美光下一代高性能串行NOR閃存解決方案具備開放標(biāo)準(zhǔn)多源采購特性,滿足新興汽車、工業(yè)和消費(fèi)者應(yīng)用對于互聯(lián)的需求。 WebFeet Research首席執(zhí)行官Alan Niebel表示:“串行NOR閃存是物聯(lián)網(wǎng)的核心,因為它既被用作存儲連接
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Spansion主要拓展在華的串行NOR閃存研發(fā)業(yè)務(wù)
- Spansion公司宣布正全力拓展在華設(shè)計和產(chǎn)品開發(fā)業(yè)務(wù),公司將重點(diǎn)研發(fā)具有成本優(yōu)勢的串行NOR閃存解決方案,這些方案將針對適用于中國和全球市場的特定應(yīng)用。Spansion近日收購了隆智半導(dǎo)體的部分資產(chǎn)后,將在鎮(zhèn)江和上海設(shè)立新的研發(fā)中心,運(yùn)用隆智半導(dǎo)體的設(shè)計人才加強(qiáng)Spansion在華研發(fā)優(yōu)勢。 Spansion已在中國組建系統(tǒng)和軟件工程團(tuán)隊長達(dá)七年。鎮(zhèn)江和上海中心將重點(diǎn)研發(fā)低密度串行閃存產(chǎn)品。Spansion成立研發(fā)中心旨在發(fā)揮本土工程人才優(yōu)勢——并開發(fā)廣泛的系統(tǒng)解決方
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Spansion攜手飛思卡爾開發(fā)全新存儲擴(kuò)展模塊
- NOR閃存提供商Spansion公司日前宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作,針對飛思卡爾塔式系統(tǒng)(Freescale Tower System)開發(fā)全新存儲擴(kuò)展模塊。該模塊為系統(tǒng)工程師在進(jìn)行原型設(shè)計時提供更多靈活性,使其更好地應(yīng)對不斷擴(kuò)展的嵌入式應(yīng)用,包括工廠自動化、工業(yè)電腦、醫(yī)療設(shè)備、銷售點(diǎn)(POS)和機(jī)器人。Spansion的外設(shè)模塊將增強(qiáng)塔式系統(tǒng)的代碼和數(shù)據(jù)存儲能力,為如今越來越多使用二維和三維圖形的電子設(shè)備提供支持。
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Spansion攜手飛思卡爾構(gòu)建存儲開發(fā)平臺
- 業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作,針對飛思卡爾塔式系統(tǒng)(Freescale Tower System)開發(fā)全新存儲擴(kuò)展模塊。該模塊為系統(tǒng)工程師在進(jìn)行原型設(shè)計時提供更多靈活性,使其更好地應(yīng)對不斷擴(kuò)展的嵌入式應(yīng)用,包括工廠自動化、工業(yè)電腦、醫(yī)療設(shè)備、銷售點(diǎn)(POS)和機(jī)器人。Spansion的外設(shè)模塊將增強(qiáng)塔式系統(tǒng)的代碼和數(shù)據(jù)存儲能力,為如今越來越多
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nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。
由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除NAND器件是 [ 查看詳細(xì) ]
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