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nor閃存文章最新資訊

Spansion發(fā)布NOR閃存解決方案

Spansion發(fā)布了其為新興市場設(shè)計的NOR VS系列閃存解決方案。該系列旨在使手機OEM廠商能夠提供簡化的、高性能的入門級手機，滿足中國、印度、俄羅斯等手機用戶數(shù)量迅速增長地區(qū)的需求。典型的針對新興市場的入門級手機包括從基本的、僅有語音功能的機型到帶有低相素攝像頭及2D游戲的彩屏手機。Spansion® NOR VS系列的容量從16Mb到64Mb，裸片尺寸的減小高達30%，從而使手機OEM廠商能夠開發(fā)出比早期產(chǎn)品更具成本效率、性能更高的解決方案。 NOR&nbs
關(guān)鍵字：消費電子 Spansion NOR閃存消費電子

ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

　　ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品。基于第四代多電平單元(MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。　　為滿足移動應(yīng)用市場對高分辨相機、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
關(guān)鍵字： 65nm NOR閃存 ST 單片機多電平單元裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系統(tǒng)

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nor閃存介紹

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細 ]

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Spansion發(fā)布NOR閃存解決方案

ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

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