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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對(duì)系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過(guò)提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問(wèn)題和運(yùn)算時(shí)間較長(zhǎng)等問(wèn)題，亟待改進(jìn)。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過(guò)采用簡(jiǎn)化的模型
關(guān)鍵字： ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真，帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而，與制造商精細(xì)的器件模型相比，這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文探討了功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員該如何結(jié)合使用系統(tǒng)級(jí)模型和精細(xì)模型，探索設(shè)計(jì)空間，并帶來(lái)高可信度結(jié)果。本文使用MathWorks的系統(tǒng)級(jí)建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細(xì)的英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOSFET SPICE子電路），對(duì)該過(guò)程進(jìn)行示范性展示。?引言在開(kāi)發(fā)功率轉(zhuǎn)換
關(guān)鍵字：英飛凌高可信度 MOSFET模型基于模型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

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