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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 600v氮化鎵（gan）功率器件

600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 最新資訊

關于開關電源技術技術關注點的十大闡述

  • 開關電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術，而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時刻關注的問題，不然一不留神就會跟...
  • 關鍵字： 功率器件  開關電源  電源  

硅基GaN LED及光萃取技術實現(xiàn)高性價比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
  • 關鍵字： GaN    LED    光萃取技術  

隔離驅(qū)動IGBT功率器件設計技巧八大問

  • IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和...
  • 關鍵字： 隔離驅(qū)動  功率器件  

大功率高壓變頻器功率器件熱設計淺析

  • 大型電力電子設備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設計直接關系到設備的可...
  • 關鍵字： 大功率  高壓變頻器  功率器件  

功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
  • 關鍵字： GaN  功率器件  

電子化開啟汽車新概念時代

富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別?！边@是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
  • 關鍵字： SiC  GaN  

瑞薩針對配有微型隔離器的IGBT驅(qū)動器發(fā)布智能功率器件

  • 　　微型隔離器的應用可進一步縮小電動及混合動力汽車功率逆變器的體積 　　瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動器智能器件 　　日本東京訊-全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動器的R2A25110KSP智能型功率器件， 適用于電動和混合動力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項技術。這些技術可為汽車應用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。 　　用于驅(qū)動電動和混合動力汽車中的電機
  • 關鍵字： 瑞薩  功率器件  

未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字： GaN  半導體  SiC  

未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字： GaN  半導體  SiC  

如何解決驅(qū)動單元設計中的電磁兼容問題

  • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導，在工程領域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅(qū)動單元作為大功率...
  • 關鍵字： 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
  • 關鍵字： MOSFET  功率器件  

三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。 　　目前，三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 　　而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
  • 關鍵字： LED  GaN  

IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設計保駕護航

  • 在可以預見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
  • 關鍵字： IR  功率器件  節(jié)能設計  
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600v氮化鎵（gan）功率器件介紹

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