600v氮化鎵（gan）功率器件文章最新資訊

電源及其測(cè)試的熱點(diǎn)與動(dòng)向

　　通過對(duì)眾多公司的訪問，發(fā)現(xiàn)數(shù)字電源是增長(zhǎng)很快的領(lǐng)域;功率器件的效能在提升，封裝是其創(chuàng)新的一個(gè)重要部分;電源模塊正面向特定的應(yīng)用和客戶，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領(lǐng)域挺進(jìn);電源測(cè)試在從單臺(tái)儀器向整體解決方案轉(zhuǎn)型。
關(guān)鍵字：電源功率器件電源管理能量采集 201404

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應(yīng)管

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來的部分。
關(guān)鍵字： GaN.功率元件

本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車車門控制器設(shè)計(jì)方案，即以安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片NCV7462和...
關(guān)鍵字：前車門控制器感應(yīng)電阻器功率器件

　　雖然電動(dòng)汽車完全成為主流還需要一定的時(shí)間，但一些制造商深信面向大眾市場(chǎng)的零排放汽車時(shí)代已經(jīng)來臨。當(dāng)談到針對(duì)未來交通開發(fā)的技術(shù)時(shí)，電動(dòng)汽車和電池產(chǎn)業(yè)毫無疑問是焦點(diǎn)所在，當(dāng)前研發(fā)工作重點(diǎn)放在提高電池存儲(chǔ)容量和加快電池充電時(shí)間。通過與汽車和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場(chǎng)領(lǐng)域開發(fā)新的技術(shù)和解決方案。　　下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車電池模塊中的過溫檢測(cè)。該例使用了一個(gè)熱敏傳感器陣列來監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會(huì)使器件電阻迅速非
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車電源功率器件

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體