4200a 文章最新資訊

用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)

_____在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子誘導(dǎo)的退化（也稱(chēng)為HCI或熱載流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并會(huì)影響所有區(qū)域的器件
關(guān)鍵字： 4200A 矩陣開(kāi)關(guān) 可靠性評(píng)估平臺(tái) Clarius軟件泰克

每個(gè)芯片上更多器件和更快時(shí)鐘速度的不斷發(fā)展，推動(dòng)了幾何形狀縮小、新材料和新技術(shù)的發(fā)展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更復(fù)雜和新的失效機(jī)制，所有這些因素都對(duì)單個(gè)器件的壽命和可靠性產(chǎn)生了巨大的影響，曾經(jīng)壽命為100年的器件的生產(chǎn)工藝現(xiàn)在可能只有10年的壽命，這與使用這些器件的預(yù)期工作壽命非常接近。較小的誤差范圍意味著，必須從一開(kāi)始就考慮器件的壽命和可靠性，從設(shè)備開(kāi)發(fā)到工藝集成再到生產(chǎn)不斷進(jìn)行監(jiān)控，即使是很小的壽命變化，對(duì)今天的設(shè)備來(lái)說(shuō)也可能是災(zāi)難性的。每個(gè)芯片上更多器件和更快時(shí)鐘速度的不斷發(fā)展，推動(dòng)了幾何形狀
關(guān)鍵字：泰克科技 4200A-SCS

泰克高性能4200A-SCS 是一個(gè)模塊化、可定制、高度一體化的參數(shù)分析儀，可同時(shí)進(jìn)行電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 電學(xué)測(cè)試。
關(guān)鍵字：泰克 4200A-SCS 模塊化參數(shù)分析儀

共3條 1/1 1

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條4200a!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)4200a的理解，并與今后在此搜索4200a的朋友們分享。創(chuàng)建詞條