3d-nand 文章最新資訊

研調(diào)：陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示，由于中國(guó)大陸內(nèi)需市場(chǎng)胃納量龐大，在伺服器以及智慧型手機(jī)的出貨需求持續(xù)攀升，預(yù)估今(2015)年中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達(dá)120億與66.7億美元，分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，從DRAM需求觀察，近年來(lái)中國(guó)品牌不論在個(gè)人電腦或是智慧型手機(jī)領(lǐng)域出貨量不斷增長(zhǎng)。其中，聯(lián)想(0992.HK)在個(gè)人電腦市場(chǎng)與第一名的惠普出貨量在伯仲之間，并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本，提升系統(tǒng)安全性

　　全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布推出面向高安全應(yīng)用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前，高安全應(yīng)用的設(shè)計(jì)者一直使用帶有分區(qū)保護(hù)的NOR閃存存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼，并利用商用級(jí)SLC NAND閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)固件和應(yīng)用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過(guò)為機(jī)頂盒、POS機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他高安全應(yīng)用提供帶有集成式分區(qū)保護(hù)特性的單一非易失性?xún)?nèi)存，可幫助用戶(hù)降低系統(tǒng)成本，提高系統(tǒng)的安全性。　　賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存，所有
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3D Touch火紅供應(yīng)鏈樂(lè)

　　蘋(píng)果iPhone 6s新機(jī)加入壓力感測(cè)3D Touch功能，預(yù)料將帶動(dòng)市場(chǎng)風(fēng)潮。目前已有華為、中興等品牌新機(jī)支援壓力感測(cè)功能，科技網(wǎng)站傳出，三星新一代旗艦機(jī)Galaxy S7，也搭載壓力感測(cè)，可望帶動(dòng)TPK宸鴻(3673)等相關(guān)概念股表現(xiàn)。　　三星供應(yīng)商新思日前已發(fā)表新的 “ClearForce”壓力觸控解決方案，可以區(qū)別按壓力道大小，做出不同回應(yīng)，并與全球 OEM和 LCM大廠進(jìn)行合作中，外傳三星已與新思洽商采用此一技術(shù)。　　法人表示，壓力感測(cè)器概念股包括敦泰、F-臻
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今年推兩款存儲(chǔ)芯片美光現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)

　　《巴倫周刊》(Barron’s)報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體廠商美光(Micron)盡管今年以來(lái)遭遇股價(jià)蒸發(fā)近半，但仍有許多投資人看多，原因在于訂于今年問(wèn)世的兩款記憶晶片──新一代3D NAND快閃記憶體與新款3D XPoint，鎖定手機(jī)應(yīng)用程式市場(chǎng)和大數(shù)據(jù)分析領(lǐng)域，料將大幅提升美光利潤(rùn)率。　　兩款晶片系與英特爾合作研發(fā)。前者料增進(jìn)美光2016年?duì)I收與凈利，而后者料自2018年起占美光營(yíng)收比明顯擴(kuò)大。　　有看多美光者預(yù)測(cè)，股價(jià)可能于1年間上漲逾6成，達(dá)每股30美元。較保守的假設(shè)為，1年間上漲
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紫光“三星化”壯大：企業(yè)合作找龍頭人才招募選精英

　　中國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)芯謀研究 (ICwise) 4 日在《微博》放話，“這兩天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)有重大新聞”，5 日正式發(fā)文，表示臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理高啟全將離職，加入中國(guó)紫光集團(tuán)，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體儲(chǔ)存業(yè)務(wù)。消息一出，果然在臺(tái)灣帶來(lái)震撼。外界也好奇，近來(lái)動(dòng)作頻頻的紫光集團(tuán)，究竟有什么背景與能耐，在半導(dǎo)體行業(yè)到處“興風(fēng)作浪”? 　　■紫光發(fā)展簡(jiǎn)歷　　依紫光集團(tuán)官網(wǎng)簡(jiǎn)介，紫光的前身是中國(guó)清華大學(xué)在 1988 年所成立的科技開(kāi)發(fā)公司，并在 1993 年改組為清華紫光 (集
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ARM出BUG最新iPhone 6s玩3D游戲閃屏

ARM新近推出的版本中出現(xiàn)Bug，iPhone 6s Plus玩3D游戲閃屏，不過(guò)后續(xù)通過(guò)軟件升級(jí)可以解決。
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東芝財(cái)報(bào)風(fēng)波長(zhǎng)期恐將損及NAND事業(yè)

　　東芝(Toshiba)財(cái)報(bào)不實(shí)風(fēng)波雖未涉及目前東芝利潤(rùn)最高的NAND快閃存儲(chǔ)器部門(mén)，但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問(wèn)日本半導(dǎo)體界人士，卻表示長(zhǎng)期終將損害快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。　　目前東芝半導(dǎo)體事業(yè)主力NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)品，由于移動(dòng)裝置需求持續(xù)成長(zhǎng)，銷(xiāo)售量不斷增大，為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體產(chǎn)品;但這項(xiàng)產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先，受企業(yè)財(cái)務(wù)狀況影響比其他半導(dǎo)體產(chǎn)品更大。　　現(xiàn)在東芝碰上財(cái)務(wù)問(wèn)題，對(duì)NAND快閃存儲(chǔ)器的投資必然受到影響，雖說(shuō)新社長(zhǎng)室町正志出身半導(dǎo)體事業(yè)，對(duì)這個(gè)
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3D Touch引爆市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)壓力觸控廠商加速布局

　　一場(chǎng)觸控界的革新，因?yàn)樘O(píng)果的參與而讓市場(chǎng)沸騰起來(lái)。新iPhone9月10日(北京時(shí)間)發(fā)布后，搭載的3D Touch技術(shù)讓消費(fèi)者們對(duì)手機(jī)操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮，經(jīng)歷了長(zhǎng)久蟄伏期之后，他們看到了潛在的市場(chǎng)爆點(diǎn)。不過(guò)興奮的同時(shí)，產(chǎn)業(yè)鏈廠商們也沒(méi)有太過(guò)樂(lè)觀，因?yàn)榘沧渴袌?chǎng)才是引爆市場(chǎng)的關(guān)鍵，而這恐怕還需等待一段時(shí)間。　　為部分App帶來(lái)革命性體驗(yàn) 　　壓感觸控技術(shù)是指在現(xiàn)有手機(jī)平面操作的基礎(chǔ)上增加第三種維度——重力感應(yīng)，根據(jù)力度的不同，調(diào)用的菜單也有所區(qū)別。而
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FinFET/3D NAND前景亮　推升半導(dǎo)體設(shè)備需求

　　鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現(xiàn)更高運(yùn)算/儲(chǔ)存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導(dǎo)體設(shè)備商應(yīng)用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(zhǎng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機(jī)臺(tái)和磊晶技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，隨著先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導(dǎo)線技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測(cè)技術(shù)。　　應(yīng)用材料副總裁兼臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求增

　　微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測(cè)廠(OSAT)多臺(tái)的訂單;大部份訂單需求的成長(zhǎng)系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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美光2016 資本支出大增至53億美元，市場(chǎng)冷淡

　　內(nèi)存大廠美光 14 日舉辦 2015 年夏季分析師會(huì)議(Analyst Conference)，會(huì)中宣布 2016 會(huì)計(jì)年度資本支出將增加為 53 億至 58 億美元，但盡管美光砸錢(qián)拚研發(fā)與產(chǎn)能，市場(chǎng)似乎對(duì)內(nèi)存前景不具信心，當(dāng)日股價(jià)仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。　　美光財(cái)務(wù)長(zhǎng) Ernie Maddock 在會(huì)中公布 2016 會(huì)計(jì)年度的資本支出將達(dá) 53 億至 58 億美元。反觀即將在本月底結(jié)束的 2015 年會(huì)計(jì)年度，資本支出僅介于 36 億美元至 40 億美元，再往回推至
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思：這個(gè)東西屬不屬于PCM？

　　美國(guó)閃存峰會(huì)上的演講提出假設(shè)性觀點(diǎn)。　　　　3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。　　本屆閃存記憶體峰會(huì)上的一次主題演講對(duì)英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測(cè)——包括這項(xiàng)技術(shù)的具體定義以及英特爾會(huì)在未來(lái)如何加以運(yùn)用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識(shí)淵博的從業(yè)專(zhuān)家進(jìn)行了咨詢(xún)，并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點(diǎn)——同樣圍繞這兩點(diǎn)，該技術(shù)究竟算是什么、未來(lái)又將如何發(fā)展。　　本月13號(hào)星期四在301-C會(huì)話環(huán)節(jié)中作出的這
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開(kāi)始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆艿秸w經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
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