- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
- IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著供給增加，產品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。
在產品價格大漲帶動下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產值可望達 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達 39%。
IC Insight
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DRAM
- 臺灣DRAM教父高啟全轉戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術開發(fā)具競爭力后才開始投產，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!
長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產業(yè)投資基金和
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長江存儲 DRAM
- 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露，間接給大陸廠商和相關員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產業(yè)崛起的縮影之一
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晉華 DRAM
- 近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！ ∈袌龈莻鞒?，美光這一行動已經波及聯電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯電臺灣南科廠設置的試產線停產?！ 〔贿^，4月5日，聯電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發(fā)階段，尚無試產線，并無外傳試產線暫停的情況，其DRAM技術的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變?！ 「鶕钭稍冇^察，近年來，中國
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美光 DRAM
- DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調升兩倍。
IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
IC Insights 指出
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存儲器 DRAM
- 2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產業(yè)發(fā)展綱要」的出現，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。
中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個字
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IC DRAM
- 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704
- 自 2016 年中開始，DRAM 內存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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三星 DRAM
- 2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所委托，北京中企慧聯科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。
北京中企慧聯評價機構嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結報告，對評價資料進行了審查，經嚴格質詢和充分討論形成了評價意見。
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紫光國芯 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業(yè)界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產，并將以此建立Micron在臺之后段生產基地。Micron現已取得這新生產基地之所有權。
經由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據點，并專注于建立集中式的后段封測營運。
全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點，構建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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Micron DRAM
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據) 工作原理 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的?！ ?nbsp;
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DRAM NAND
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