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3d 閃存 文章 最新資訊

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

  • 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
    關(guān)鍵詞:DDR NAN
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式  接口  設(shè)計(jì)  高性能  閃存  DDR  NAND  基于  

3D標(biāo)準(zhǔn)列入工信部重點(diǎn)工作

  •   工業(yè)和信息化部日前對(duì)外公布了2011年標(biāo)準(zhǔn)化重點(diǎn)工作,其中3D電視等標(biāo)準(zhǔn)的制定被列進(jìn)今年的標(biāo)準(zhǔn)化重點(diǎn)工作。   
  • 關(guān)鍵字: 3D  三網(wǎng)融合  

Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財(cái)報(bào)

  •   行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財(cái)季的運(yùn)營(yíng)成果。由于公司重組后實(shí)行的新會(huì)計(jì)計(jì)量產(chǎn)生的影響,Spansion公司同時(shí)提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國(guó)GAAP凈銷售額為2.929億美元,經(jīng)營(yíng)虧損70萬(wàn)美元,凈虧損1410萬(wàn)美元。公司美國(guó)非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元,調(diào)整后運(yùn)營(yíng)收入3850萬(wàn)美元,調(diào)整后凈收入為2510萬(wàn)美元。
  • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存  

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

  • 帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過(guò)去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲(chǔ)器的MCU(我們?cè)赨SB閃存驅(qū)動(dòng)器、存儲(chǔ)器等內(nèi)擁有閃存),從首批帶有一次性編
  • 關(guān)鍵字: MCU優(yōu)點(diǎn)  閃存  雙組  帶有  

單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

  • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時(shí)間會(huì)隨著晶體管溝道長(zhǎng)度尺寸的縮小而縮短,但與此同時(shí)互聯(lián)電路部分的延遲則會(huì)提升。舉例而言,90nm制程晶體管的延遲時(shí)間大約在 1.6ps左右,而此時(shí)互聯(lián)電路中每1mm長(zhǎng)度尺寸的互聯(lián)線路,其延遲時(shí)間會(huì)
  • 關(guān)鍵字: TSV  研究  技術(shù)  集成  3D  芯片  單片  

三星FULL HD全高清3D橫掃中國(guó)市場(chǎng)

  • 5月6日-8日,深圳光電顯示周暨中國(guó)(國(guó)際)彩電節(jié)“CODECTVF2011”在深圳召開(kāi),作為專業(yè)顯示器展覽會(huì),三星電子在本...
  • 關(guān)鍵字: 3D  HD  

4月上旬閃存芯片價(jià)格創(chuàng)7個(gè)月新高

  •   據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù),今年四月上旬NAND閃存芯片價(jià)格創(chuàng)下了7個(gè)月以來(lái)的新高水平,一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價(jià)格的總體情況。  
  • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  

Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開(kāi)業(yè)儀式

  •   Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開(kāi)業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元,員工人數(shù)有望達(dá)到1200人。這間工廠從去年中期開(kāi)始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品,目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候該廠將能開(kāi)足馬力進(jìn)行生產(chǎn)。 
  • 關(guān)鍵字: Intel  閃存  

英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

  •   英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù),英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。   英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示,“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模,因?yàn)槲覀儗?huì)在制程技術(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來(lái)越微小的技術(shù)?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  20納米  閃存  

Honeycomb到位:Android成為平板OS的關(guān)鍵特色

  • iPad 2發(fā)表會(huì)上,賈伯斯以「copycats」來(lái)形容Android平板計(jì)算機(jī)大軍,著實(shí)給了一記當(dāng)頭棒喝。不過(guò)這也是事實(shí)。在iPad取得大成功后,Android大軍很快地轉(zhuǎn)向了平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)
  • 關(guān)鍵字: iPad  Android  3D  

3D主動(dòng)快門式眼鏡標(biāo)準(zhǔn)出臺(tái)

  •   Panasonic株式會(huì)社和X6D公司(XPAND 3D)宣布制定了旨在支持可兼容3D電視、3D投影機(jī)以及3D影院的3D主動(dòng)快門式眼鏡標(biāo)準(zhǔn)M-3DI(*)。電視機(jī), 影院系統(tǒng)以及投影機(jī)的一些業(yè)界主要企業(yè): 四川長(zhǎng)虹電器股份有限公司、船井電機(jī)株式會(huì)社、青島海信電器股份有限公司、日立民用電子株式會(huì)社、三菱電機(jī)株式會(huì)社、精工愛(ài)普生株式會(huì)社、SIM2 Multimedia S.p.A、ViewSonic同意參加本標(biāo)準(zhǔn)。M-3DI的授權(quán)許可將由M-3DI授權(quán)許可代理從2011年4月開(kāi)始。
  • 關(guān)鍵字: 3D  投影機(jī)  

3D電視價(jià)格戰(zhàn)硝煙漸起

  •   近日,國(guó)內(nèi)彩電品牌相繼推出普及型3D電視,42英寸3D電視的價(jià)格降至5000元內(nèi),價(jià)格門檻逐漸消失,3D電視開(kāi)始具備普及的基礎(chǔ),但價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈,業(yè)內(nèi)人士指廠商暫不會(huì)拿3D產(chǎn)品作為價(jià)格戰(zhàn)的武器。  
  • 關(guān)鍵字: 3D  液晶  

3D電視即將步入普及

  •   近日,國(guó)內(nèi)彩電品牌相繼推出普及型3D電視,42英寸3D電視的價(jià)格降至5000元內(nèi),價(jià)格門檻逐漸消失,3D電視開(kāi)始具備普及的基礎(chǔ),但價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈,業(yè)內(nèi)人士指廠商暫不會(huì)拿3D產(chǎn)品作為價(jià)格戰(zhàn)的武器。   
  • 關(guān)鍵字: 創(chuàng)維  3D  

北斗牽手道道通 3D實(shí)景地圖隨心體驗(yàn)

  • 自汽車消費(fèi)刺激政策的退場(chǎng)便導(dǎo)致了2011年的車市注定以冷清開(kāi)局,特別是在優(yōu)惠政策退出、車船稅提價(jià)、北京...
  • 關(guān)鍵字: 北斗  道道通  3D  導(dǎo)航儀  

NAND閃存市場(chǎng)或?qū)ⅰ氨辣P”

  •   在2011年的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細(xì)節(jié)。   在一段時(shí)間內(nèi),由于手機(jī)、平板電腦和固態(tài)存儲(chǔ)等產(chǎn)品市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,NAND閃存廠商一直有著驚人的增長(zhǎng)速度。   
  • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  
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3d 閃存介紹

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