3d 閃存 文章 最新資訊
矽穿孔技術(shù)襄助 3D IC提高成本效益
- 應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢。然而,若要讓3DIC成為主流,還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計自動化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命,包括類比與數(shù)位設(shè)計實現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計工具。半導(dǎo)體廠可以運用這個解決方案,滿足高效率設(shè)計應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。 隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加,許多IC團(tuán)隊都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
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傾角傳感器在人體姿態(tài)圖儀中應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: SCA61T-FAHH1G 3D-MEMS 溫度補(bǔ)償 VTITechnologies公司
安徽芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃 3年內(nèi)產(chǎn)值突破300億
- 記者昨日從省經(jīng)信委舉行的新聞發(fā)布會上獲悉,我拾芯片”產(chǎn)業(yè)有了新規(guī)劃,預(yù)計到2020年,20%的顯示面板、家電、汽車電子產(chǎn)品將有“本土芯”。 變頻空調(diào)運行、液晶顯示、汽車行駛……這些產(chǎn)品的運行都離不開它們的“心”—集成電路。為了進(jìn)一步扶持集成電路產(chǎn)業(yè),《安徽省人民政府辦公廳關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》近日發(fā)布,從多方面明確了我省集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展目標(biāo):到2017年產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破300億元,2
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應(yīng)用材料公司推出面向3D芯片結(jié)構(gòu)的先進(jìn)離子注入系統(tǒng)

- 應(yīng)用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的中電流離子注入設(shè)備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復(fù)雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應(yīng)用材料公司在精密材料工程領(lǐng)域的又一重大突破。 VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準(zhǔn)確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復(fù)性,優(yōu)化器件性
- 關(guān)鍵字: VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
3D傳感技術(shù)在光源照明等領(lǐng)域取得多項進(jìn)展

- 從消費電子市場到工業(yè)應(yīng)用,隨著新應(yīng)用在各領(lǐng)域的不斷出現(xiàn),3D傳感技術(shù)的市場在不斷地發(fā)展壯大?,F(xiàn)今幾乎所有的智能電視及操作系統(tǒng)都已經(jīng)能支持動作識別的相關(guān)功能,完成諸如畫面縮放和頻道切換等功能;傳感器能夠通過探測生產(chǎn)線的移動和表面質(zhì)量,從而控制產(chǎn)品在生產(chǎn)線中的流向;設(shè)計人員也可以對復(fù)雜的形狀進(jìn)行掃描并通過3D打印機(jī)進(jìn)行復(fù)制;監(jiān)控系統(tǒng)也已能確保動物和人類遠(yuǎn)離危險的區(qū)域。 如今的傳感器也已可以探測到極端細(xì)微的動作和特征?,F(xiàn)代的傳感器不僅能夠探測到點頭之類的動作,還可以精確地識別是誰點的頭;除了識別功
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SanDisk宣布11億美元收購Fusion-io
- 北京時間6月16日晚間消息,SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布,已同意以11億美元現(xiàn)金收購閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。 根據(jù)交易條款,SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元,較該股上周五收盤價溢價21%。 SanDisk預(yù)計此項交易將于其第三財季完成,并將幫助提高其下半財年調(diào)整后每股盈利。 Fusion-io位于美國鹽湖城,主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
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Ziptronix和EVG集團(tuán)展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和 SmartView ? NT 鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片 (SoC)?! iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
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美開展太空3D打印研究 圖謀在軌閉環(huán)制造

- 為了真正意義上“開發(fā)能夠自我維持,在軌道上形成閉環(huán)制造流程,減少發(fā)射攜帶的物品,并增加滿足需求的能力”,美國國家宇航局(NASA)決定授予兩份新的3D打印項目合同,每年國家宇航局為小企業(yè)創(chuàng)新研究計劃和小企業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移計劃撥款約1.3億美元,今年,他們在小企業(yè)創(chuàng)新研究(SBIR)和小企業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移(STTR)計劃中撥出了12.5萬美元,授予太空制造(MadeinSpace)公司開展能夠在軌道上回收ABS塑料的系統(tǒng)(R3DO)項目研究,由其開發(fā)在太空中回收3D打印塑料耗材重新利用的設(shè)備
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研究人員以低溫材料制造低成本的3D IC

- 通常一提到3D晶片就會聯(lián)想到采用矽穿孔(TSV)連接的晶片堆疊。但事實上,還有一些技術(shù)并未采用TSV,如BeSang公司最近授權(quán)給韓國海力士(SKHynix)的垂直晶體陣列技術(shù)。此外,由半導(dǎo)體研究聯(lián)盟(SRC)贊助加州柏克萊大學(xué)最近開發(fā)出采用低溫材料的新技術(shù),宣稱可帶來一種低成本且靈活的3D晶片制造方法。 該技術(shù)直接在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶片上的金屬薄層之間制造主動元件,從而免除了垂直堆疊電晶體或以TSV堆疊晶片的開銷。 「對我來說,令人振奮的部份在于它是一款單晶片的整合,而不是采用至今在
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

- 據(jù)悉,TDK株式會社(社長:上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列,該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD,通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte,并支持串行ATAⅡ。 目前,在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注,而在工業(yè)用途方面,預(yù)計M.2的采用也會得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時,更加重視可靠性,許多裝置的使用年限都超過了10年。 因此,考
- 關(guān)鍵字: TDK 閃存 SNG4A
Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項專利訴訟
- 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項專利訴訟,控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲產(chǎn)品中,在過往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。 涉案的四項專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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