3d 閃存文章最新資訊

3D打印機(jī)哪家強(qiáng)？看3D Hubs最新報(bào)告

　
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閃存存儲(chǔ)技術(shù)迅速走向成熟

　　閃存技術(shù)在中國(guó)這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進(jìn)的發(fā)展，正在迅速走向成熟，之前阻礙閃存普及的價(jià)格門(mén)檻，正在逐步降低，未來(lái)閃存的可靠性會(huì)和價(jià)格一齊下降，但我們能夠通過(guò)系統(tǒng)軟件來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)閃存的利用價(jià)值?！　artner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾　　2013年的中國(guó)閃存市場(chǎng)　　Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說(shuō)明2013年對(duì)于閃存來(lái)說(shuō)絕對(duì)是一個(gè)不平凡的一年，首先閃存顆粒，Gartner的研究表明，每GB的價(jià)格成本下降41%，這是一個(gè)非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代閃存能否成棟梁

　　隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量每?jī)赡攴兜乃俣仍鲩L(zhǎng)，人們選用的存儲(chǔ)介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化，到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到44ZB。如此高速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)，采取什么樣的存儲(chǔ)更為愉快?閃存能否成為未來(lái)存儲(chǔ)的棟梁? 俗話說(shuō)：以史為鑒，可以知興替?；仡欉^(guò)往，存儲(chǔ)行業(yè)從很久以前的磁帶存儲(chǔ)方式過(guò)渡到磁盤(pán)存儲(chǔ)方式，磁帶存儲(chǔ)沒(méi)有消亡，但磁盤(pán)占了主流。當(dāng)前從磁盤(pán)存儲(chǔ)方式逐漸過(guò)渡到閃存方式，未來(lái)磁盤(pán)存儲(chǔ)不會(huì)消亡，但閃存勢(shì)必會(huì)占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM：抓住閃存細(xì)分市場(chǎng)需求

當(dāng)前，基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點(diǎn)，市場(chǎng)上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門(mén)的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對(duì)于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯，無(wú)論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤(pán)、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗(yàn)證，尤其是隨著閃存成本價(jià)格穩(wěn)步下降，閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)必然加快。同時(shí)，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)化四大趨勢(shì)的來(lái)臨，超大型數(shù)據(jù)中心用戶對(duì)于加速的需求更進(jìn)一步，傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求，超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)?！　RAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
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3D堆疊的TLC閃存敢用嗎？三星850 EVO來(lái)了

三星早在7月初就宣布了新一代高端固態(tài)硬盤(pán)850 EVO，會(huì)采用3D立體堆疊的V-NAND TLC閃存顆粒，但卻一直沒(méi)有正式發(fā)布，相關(guān)資料也是從未公開(kāi)。感謝幾家坐不住的美國(guó)電商，850 EVO慢慢揭開(kāi)了面紗。嗯，2.5寸固態(tài)硬盤(pán)都是這副模樣，你還想看到啥?規(guī)格方面，目前了解到的是持續(xù)讀寫(xiě)速度，最高分別可達(dá)550MB/s、520MB/s，已經(jīng)是SATA 6Gbps下的實(shí)際極限了，基本不可能再高。還有個(gè)無(wú)關(guān)痛癢的重量，0.29磅，大約是132克。850 EVO系
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一分為二：CCOP公司在商用激光領(lǐng)域服務(wù)近25億美元市場(chǎng)

　　目前全球最大光纖零件供應(yīng)商、光通訊領(lǐng)域巨頭捷迪訊宣布，董事會(huì)已一致批準(zhǔn)將公司拆分為兩家獨(dú)立上市公司的計(jì)劃。　　據(jù)悉，拆分后，其中一家為“光學(xué)元器件及商用激光器公司”(CCOP)由目前捷迪訊旗下的通信及商用光學(xué)產(chǎn)品部門(mén)組成，將服務(wù)于規(guī)模達(dá)到74億美元且未來(lái)四年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)11%的光通信市場(chǎng)。此外，CCOP公司在商用激光領(lǐng)域亦服務(wù)近25億美元的市場(chǎng)，年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)到7%。　　另一家為“網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)支持公司”(NSE)，由目前捷迪訊旗下的網(wǎng)絡(luò)支持、服務(wù)
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蘋(píng)果、英特爾發(fā)力3D技術(shù) 3D版iPhone將出？

　　近日，臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》援引供應(yīng)鏈消息稱(chēng)，蘋(píng)果正在著手開(kāi)發(fā)一款不需要使用特殊玻璃的3D顯示屏。報(bào)道還聲稱(chēng)，蘋(píng)果正在打造3D“軟件生態(tài)系統(tǒng)”。此外，蘋(píng)果將期望從現(xiàn)在的內(nèi)嵌觸控顯示屏技術(shù)變成可能由合作伙伴T(mén)PK供應(yīng)的新型面板，據(jù)說(shuō)內(nèi)嵌觸控顯示屏無(wú)法和新的3D技術(shù)兼容。如果消息屬實(shí)，相信在不久的將來(lái)我們就可以看到蘋(píng)果推出具備3D顯示功能的iPhone了，這對(duì)于果粉而言，無(wú)疑是一個(gè)好消息。　　多家公司共同研發(fā)，3D技術(shù)或迎來(lái)爆發(fā) 　　3D技術(shù)正在變得越來(lái)越吃香，不光是蘋(píng)果，Inte
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東京大學(xué)開(kāi)發(fā)出“模擬觸感全息顯示屏”

　　現(xiàn)階段，3D和全息投影技術(shù)已經(jīng)在不少場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用，但是與“空氣”的互動(dòng)，卻沒(méi)能讓人體會(huì)到足夠的“真實(shí)感”。不過(guò)，東京大學(xué)的一個(gè)科學(xué)家團(tuán)隊(duì)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種手機(jī)檢測(cè)和超聲波反饋技術(shù)，足以讓你體會(huì)到浮動(dòng)按鈕的真實(shí)觸感。當(dāng)然，乍一看，你或許會(huì)以為圖標(biāo)是懸浮于物理屏幕上的。但其實(shí)，該團(tuán)隊(duì)使用了反光板來(lái)產(chǎn)生全息圖像。　　這種技術(shù)被他們稱(chēng)作“HaptoMime Display”(模擬接觸顯示屏)，而紅外傳感器會(huì)在你伸手時(shí)觸發(fā)超聲波
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比降5%

　　10月17日，美國(guó)閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，由于重組和收購(gòu)導(dǎo)致成本增長(zhǎng)9%，SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比下滑5%。由于業(yè)績(jī)未達(dá)分析師預(yù)期，SanDisk股價(jià)在盤(pán)后交易中下跌3%。　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤(rùn)為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤(rùn)為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計(jì)入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時(shí)，第三季度SanDisk營(yíng)收為17.5億
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3D平板電腦即將問(wèn)世：全息手機(jī)怎么看

3D平板電腦已投入開(kāi)發(fā)，將能夠提供3D數(shù)據(jù)采集和超高數(shù)據(jù)質(zhì)量，為大眾帶來(lái)3D內(nèi)容創(chuàng)建功能。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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市場(chǎng)報(bào)告：蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%閃存

　　根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trendforce的最新報(bào)告，蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。蘋(píng)果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋(píng)果通常會(huì)配備1GB運(yùn)行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快，不過(guò)增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤(pán)替代。在移
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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