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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 2nm!

臺積電2nm預(yù)計2025年量產(chǎn)

  • 據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動化3DFabric晶圓廠預(yù)計于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā)：3年后量產(chǎn)

  • 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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臺積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%

  • 日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗很多。     
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臺積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競爭賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國外媒體報道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計在明年年中就將開始風(fēng)險試產(chǎn) ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計，臺積電2nm試產(chǎn)時間點最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺幣，初期可創(chuàng)造4500個工作機(jī)會。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺積電將砸 1 萬億擴(kuò)大 2nm 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)

  • 　　6月6日消息，據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。　　臺積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會上表示，臺積電2nm預(yù)期會是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長，臺積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)?！　∨_積電將在2nm的節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠

  • 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財訊》報道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當(dāng)?shù)啬硞€城市建設(shè)晶圓廠，往往還會
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英特爾與臺積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)

  • 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時間也不會有官方確認(rèn)的可能。據(jù)悉，臺積電3nm的量產(chǎn)時間預(yù)計2022年四季度啟動，且首批產(chǎn)能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節(jié)點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計會在2025年
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三星高調(diào)宣布2025年投入2nm量產(chǎn)

  • 韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調(diào)宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認(rèn)將導(dǎo)入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構(gòu)，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎(chǔ)上導(dǎo)入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎(chǔ)，在2023年時要導(dǎo)入第二代的3奈米制程，并于2025年導(dǎo)入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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三星2nm工藝曝光：2025年可量產(chǎn)

  • 在目前的芯片領(lǐng)域，三星和臺積電憑借著先進(jìn)的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場合中，曝光了三星最新的工藝技術(shù)。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個版本，分別在2022和2023年量產(chǎn)，而對比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現(xiàn)在會中，但有消息稱2nm將會在2025年量產(chǎn)。
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2nm工藝要上線？臺積電工廠環(huán)評被卡

  • 芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線，但是由于環(huán)評專案小組的初審，建廠計劃未能放行，還需要等8月31日之前補(bǔ)正后再審核。在全球先進(jìn)工藝量產(chǎn)上，臺積電一枝獨(dú)秀，5nm、3nm工藝已經(jīng)領(lǐng)先，再下一代工藝就是2nm了，會啟用全新GAA晶體管，技術(shù)升級很大，光是工廠建設(shè)就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設(shè)計劃現(xiàn)在遇到了阻力。消息稱，新竹科學(xué)園區(qū)擬展開寶山用地第二期擴(kuò)建計劃，環(huán)保部門于25日下午召開環(huán)評專案小組第三次初審會議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關(guān)注，專案小組歷經(jīng)逾三小時審議后，最終仍
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歐盟半導(dǎo)體“不再幼稚”：10年內(nèi)產(chǎn)能翻倍、搞定2nm工藝

  • 半導(dǎo)體技術(shù)的重要性已經(jīng)無需多提，現(xiàn)在美國、中國、日本、韓國等國家和地區(qū)都在大力投資先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現(xiàn)在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據(jù)報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復(fù)以前的市場份額，以滿足行業(yè)的需求。他還提到，多年來歐盟在半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額下降了，因為該地區(qū)過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產(chǎn)量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區(qū)先進(jìn)芯片制造商的支持，目前至少有22個
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里程碑！IBM宣布造出全球首顆2nm EUV芯片

  • 藍(lán)色巨人出手就是王炸。　　5月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片?！　『诵闹笜?biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預(yù)估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。　　2nm晶圓近照　　換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內(nèi)，就能容納500億顆晶體管?！　⊥瑫r，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當(dāng)前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。　　　　實際上，I
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臺積電最新進(jìn)展:2nm正在開發(fā) 3nm和4nm將在明年面世

  • 全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨(dú)特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務(wù)；另一方面，就容量和技術(shù)而言，他們必須領(lǐng)先于其他任何人；就產(chǎn)能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰(zhàn)，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預(yù)算中，約有80％將用于擴(kuò)展先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認(rèn)為，到今年年底，先進(jìn)節(jié)點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產(chǎn)能擴(kuò)大，擴(kuò)大后的產(chǎn)能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
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全球沖刺2nm，臺積電和中芯國際卻發(fā)展成熟工藝，這是為何？

  • 前兩天，臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產(chǎn)4萬片的28nm產(chǎn)能，據(jù)悉，該計劃將于不久后正式啟動，新產(chǎn)能預(yù)計在2022年下半年開始逐步產(chǎn)出，并于2023年實現(xiàn)月產(chǎn)4萬片的目標(biāo)。當(dāng)臺積電傳來擴(kuò)增28nm產(chǎn)能的消息時，大部分人對此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺積電作為全球工藝最先進(jìn)的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時候，它也應(yīng)該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進(jìn)的工藝，而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上，投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一，而其從始至終
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臺積電2nm工藝進(jìn)入研發(fā)階段：升級GAA晶體管、改進(jìn)EUV效率

  • 做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節(jié)點上領(lǐng)先三星等對手，明年面還會量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑?，F(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點轉(zhuǎn)向了測試載具設(shè)計、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。根據(jù)臺積電的說法，2nm工藝節(jié)點上，他們也會放棄FinFE
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