長江存儲近日宣布,已經攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個閃存行業(yè)都在全面轉向100+層堆疊,其中東芝、西部數據是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海
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閃存 SK海力士 長江存儲
從去年下半年到現(xiàn)在,內存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產。據介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
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閃存 QLC閃存 長江存儲
全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產品家族新成員——32位RX72N產品組和RX66N產品組,其單個芯片集成了設備控制與網絡連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內核,具備240MHz最大工作頻率及雙以太網通道;RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網通道。在工業(yè)設備領域,性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此,存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存,可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率,同時具備1
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閃存 芯片
在NAND閃存市場,三星、東芝、西數、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產能,留給其他廠商的空間并不多。國內公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務,最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應求
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國產 閃存 SLC
今天國產的存儲芯片行業(yè)發(fā)生異動,傳聞紫光旗下的紫光存儲解散,相關人員要合并到長江存儲中。隨后這兩家公司分別發(fā)表聲明,辟謠相關報道。存儲芯片是近年來國產半導體發(fā)展的重中之重,畢竟一年進口的內存及閃存芯片超過1000億美元,份量極大,而紫光主導的幾家存儲公司是重點,尤其是長江存儲,去年首發(fā)量產了國產3D閃存。最新的爆料稱,紫光存儲公司解散,未來重點轉向DRAM內存,大部分員工正等著長江存儲挑選,沒有挑中的就要自謀生路。針對這一消息,紫光存儲方面已經發(fā)表了聲明,否認公司解散,但承認公司業(yè)務有所調整。紫光存儲表示
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內存 閃存 長江存儲
三星近日宣布開始量產512GB eUFS 3.1芯片,其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s,是其前代產品寫入速度的3倍。
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三星 512GB 閃存
為了扶植半導體發(fā)展,多部門推動成立了“國家集成電路產業(yè)投資基金”,也就是大基金,一期已經完成,二期大基金規(guī)模高達2041億元,今年3月份將開始實質投資。此前,國家集成電路產業(yè)投資基金(2014.09-2018.05)已經投資完畢,共募得普通股987.2億元,同時發(fā)行優(yōu)先股400億元,總投資額為1387億元(相比于原先計劃的1200億元超募15.6%),公開投資公司為23家,累計有效投資項目達到70個左右。據報道,大基金一期投資范圍涵蓋集成電路產業(yè)上、中、下游各個環(huán)節(jié),其中67%的投資投向了半導體制造,包括
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閃存 基金 長江存儲
3D閃存在2020年將全面升級到100+層堆棧,128層會是很多廠商的選擇,再加上QLC閃存的普及,閃存及SSD硬盤的容量會進一步增加,同時降低成本。不過新一代閃存的問題在于性能及可靠性都在下降了,以至于很多玩家都在反感QLC閃存,就像當年反感TLC閃存一樣。有沒有性能更強、可靠性更高的存儲芯片?這也是有的,美光、Intel在2015年聯(lián)合宣布的3D XPoint就是一種革命性的存儲芯片,基于PCM相變存儲技術,原理跟NAND閃存就不同,所以當時Intel、美光宣稱它具備1000倍于閃存的性能、1000倍
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閃存 QLC閃存
半導體行業(yè)因為種種原因,非常容易收到外來因素的影響。近日根據調查數據顯示,在剛過去的1月份,內存和閃存芯片在上游的交易價均有一定幅度的上漲。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內存內存環(huán)比上漲1.07%,均價來到2.84美元,128Gb MLC閃存顆粒價格環(huán)比上漲3.17%,均價來到4.56美元。
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內存 閃存
集邦科技旗下下半導體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報告,稱國內的內存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產的跡象,生產情況正常,而且Q1季度的合約價已經談完了,預計會小幅上漲。國內的存儲芯片工廠主要分為海外投資及自主國產兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠離武漢,正常生產沒有受到影響。國產的存儲芯片工廠中,合肥長鑫的內存工廠、福建晉華的內存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲是在武漢的,不過
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內存,閃存
武漢的疫情不僅影響了很多人的正常生活,也對武漢的一些企業(yè)帶來考驗,國內有60多家上市公司位于武漢,小米、京東方、天馬等公司都在武漢有生產基地。關心國產閃存的玩家也應該知道長江存儲總部也在武漢,該公司日前回應稱國產閃存生產有序進行,公司會將員工健康作為第一事項考慮。長江存儲表示,始終堅持“人員安全第一”原則,嚴格按照政府規(guī)定保障員工的安全,延緩外地員工的返崗時間,并在條件允許的情況下鼓勵遠程辦公,對在崗員工做好防疫宣傳,發(fā)放口罩,體溫檢測,加強消毒,動線隔離等工作。對于原材料供應和物流方面,目前長江存儲公司
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閃存 長江存儲
最近一段時間來,內存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手機、數據中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X,它們也會用上16GB內存及TB級SSD,也會爭搶內存閃存份額。
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閃存 PS5
最近一段時間來,內存、閃存漲價的消息搞的玩家心慌慌,2020年5G智能手機、數據中心、AI等市場對存儲芯片的要求更高了。值得注意的是,今年微軟、索尼還會推出新一代主機PS5、Xbox Series X,它們也會用上16GB內存及TB級SSD,也會爭搶內存閃存份額。微軟的Xbox One X、索尼的PS4系列主機用的還是8GB內存,硬盤倒是HDD機械盤,但是今年推出的PS5、Xbox Series X主機配置就會全面升級了,PS5的內存是16GB,Xbox Series X有兩個版本,少則12GB,多則16
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閃存 PS5
去年8月份,閃存巨頭SK海力士重返消費級SSD市場,首發(fā)產品Gold S31只是個試水之作,常規(guī)的2.5英寸SATA形態(tài),最大容量1TB。CES 2020展會上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點采用了SK海力士自己家的4D TLC NAND閃存。其實這里所謂的4D閃存,本質上還是3D堆疊閃存,依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Unde,只不過SK海力士在存儲單元陣列之下增加了一個電路層。SK海力士已在半年前開始量產這
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固態(tài)硬盤 閃存
紫光旗下的長江存儲在2019年9月份正式量產了國內首個64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯片,2020年長江存儲還會進一步提升產能,年底將達到每月6萬片晶圓的水平,是初期產能的10倍。擴大產能就意味著要購買更多的半導體生產設備,其中光刻機還只能依賴進口,但是其他設備有望加大國產采購力度。1月2日,上海中微半導體宣布中標了9臺蝕刻機,而2019全年他們中標的也不過13臺。蝕刻機是芯片制造中的一種設備,與光刻機、MOCVD并稱為三大關鍵性半導體生產設備,它主要用來在芯片上進行微觀雕刻,每個線條和深孔
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閃存,半導體
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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