首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 襯底

TSMC 選擇更小的襯底進(jìn)行初始 PLP 運(yùn)行

  • 一位消息人士告訴《日經(jīng)新聞》（Nikkei），決定生產(chǎn)“應(yīng)該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗(yàn)中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學(xué)品均勻地涂覆整個(gè)基材尤其具有挑戰(zhàn)性。首次生產(chǎn)將于 2017 年在桃園市試行。據(jù)報(bào)道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產(chǎn)線，但在聽說臺(tái)積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點(diǎn)生產(chǎn)線。PLP 技術(shù)由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當(dāng)時(shí)它與 17 個(gè)合作伙伴成立了面板級(jí)封裝聯(lián)盟 （PLC）。
  • 關(guān)鍵字： TSMC  襯底  PLP  

成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

  • 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì)大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計(jì)算機(jī)的計(jì)算化學(xué)，通過推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  襯底  

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

  • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對(duì)我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國應(yīng)該集中優(yōu)勢(shì)資源重點(diǎn)發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字： ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴(kuò)產(chǎn)  

車規(guī)碳化硅功率模塊——襯底和外延篇

  • 中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對(duì)于核心的功率器件的要求。安
  • 關(guān)鍵字： 車規(guī)碳化硅功率模塊  襯底  外延  

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 射頻  抗擊穿  LDMOS  埋層  漂移區(qū)  襯底  

基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的模擬電路設(shè)計(jì)

  • 隨著亞微米、深亞微米技術(shù)和系統(tǒng)芯片（SOC）技術(shù)的日益成熟，功耗已經(jīng)成為模擬電路設(shè)計(jì)中首要考慮的問題，低電壓低功耗集成電路設(shè)計(jì)漸漸成為主流。因?yàn)镸OS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS，所以經(jīng)常
  • 關(guān)鍵字： 襯底  驅(qū)動(dòng)技術(shù)  模擬電路設(shè)計(jì)    

采用塑料封裝和IMS襯底的混合動(dòng)力汽車功率IGBT模塊

  • 混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因?yàn)槌杀靖?，可靠性達(dá)不到汽車應(yīng)用的期望，而無法適
  • 關(guān)鍵字： IGBT  IMS  塑料封裝  襯底    

LED用藍(lán)寶石基板(襯底)詳細(xì)介紹

  • 1:藍(lán)寶石詳細(xì)介紹藍(lán)寶石的組成為氧化鋁(Al2O3)，是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型...
  • 關(guān)鍵字： LED  藍(lán)寶石  基板  襯底    

三種LED襯底材料的比較

  • 對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和led器件的要求...
  • 關(guān)鍵字： LED  襯底  

一種低壓低功耗襯底驅(qū)動(dòng)軌至軌運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

  • 介紹了一種基于襯底驅(qū)動(dòng)技術(shù)的低電壓低功耗運(yùn)算放大器。輸入級(jí)采用襯底驅(qū)動(dòng)MOSFET，有效避開閾值電壓限制；輸出采用改進(jìn)前饋式AB類輸出級(jí)，確保了輸出級(jí)晶體管的電流能夠得到精確控制，使輸出擺幅達(dá)到軌至軌。整個(gè)電路采用PTM標(biāo)準(zhǔn)0.18 μm CMOS工藝參數(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)，用Hspice進(jìn)行仿真。模擬結(jié)果顯示，測(cè)得直流開環(huán)增益為62.1 dB，單位增益帶寬為2.13 MHz，相位裕度52°，電路在0.8 V低電壓下正常運(yùn)行，電路平均功耗只有65.9 μW。
  • 關(guān)鍵字： 低壓  低功耗  襯底  驅(qū)動(dòng)    

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì)，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

襯底技術(shù)進(jìn)步快 集成創(chuàng)新成LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)

  • 　　2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇5月24日在“深圳光電顯示周”期間舉行。與此同時(shí)，為表彰和鼓勵(lì)優(yōu)秀企業(yè)和技術(shù)創(chuàng)新，首屆中國LED行業(yè)年度評(píng)選頒獎(jiǎng)典禮同時(shí)舉行。 　　LED(發(fā)光二極管)產(chǎn)業(yè)是朝陽產(chǎn)業(yè)、綠色產(chǎn)業(yè)。LED顯示成為5月23日-26日“深圳光電顯示周”期間的最大亮點(diǎn)。在國際金融危機(jī)的背景下，眾多展會(huì)和論壇“冷場(chǎng)”或“縮水”，而24日的“2009中國LED顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇”
  • 關(guān)鍵字： CREE  LED  襯底  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關(guān)鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    
共13條 1/1 1

襯底介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條襯底!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)襯底的理解，并與今后在此搜索襯底的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473