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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 肖特基二極管

肖特基二極管 文章 最新資訊

英飛凌推出第五代1200V thinQ!?碳化硅肖特基二極管可在單相和三相應用中實現(xiàn)更高效率和可靠性

  • 　　2014年6月16日——英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進一步擴展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其浪涌電流承受能力提高了一倍以上，并且具備卓越的散熱性能。得益于這些特性，該產(chǎn)品可以在太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、三相SMPS(開關(guān)電源)和電機驅(qū)動等應用中大大提高效率，并且可靠運行。 　　“第五代”碳化硅二極管采用了新的緊湊式芯片設計，將PN結(jié)設計
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一種用于汽車啟停系統(tǒng)的電源設計方案

  • 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟?！惫δ?，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動到加速踏板——或者在使用手動檔情況下釋放離合器踏板重新接入動力時又自動重新啟動發(fā)動機。在城市行駛和停停走走的高峰時段這種功能非常有助于減少燃油消耗。 然而，這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，因為在發(fā)動機重啟時電池電壓可能降至6.0V或更低。另外，典型的電子模塊都包含有一個反極性的二極管，
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改善高速IC比較器瞬態(tài)響應肖特基二極管的電路設計

  • 在設計實例中，一條電路把精確DC基準電壓切換到高速IC比較器的非逆變輸入端。該電路使用一個先斷后連(BBM)方...
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電路的均方根輸出在寬范圍內(nèi)與溫度呈線性比例關(guān)系

肖特基二極管組成的電荷泵多電壓輸出電路

  • 肖特基二極管組成的電荷泵多電壓輸出電路,概要在需要價格便宜的多電源輸出的方案或者一個簡單的負電壓、高電壓輸出回路的時候, 用二極管和電容組成的電荷泵很有用.在不用芯片和電感線圈的情況下,二極管電荷泵能夠高
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理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

  • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡及存儲服務器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。 　　全新30V及0.2A SDM0230CSP肖特基二極管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盤封裝，熱阻僅為261oC/W，比DFN0603封裝低約一半，有效把開關(guān)、反向阻斷和整流電路的功耗減半。 　　SDM0230CSP的占位面積為0.1
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Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky) 二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。
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Diodes肖特基二極管節(jié)省空間高達66%

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關(guān)、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機與平板電腦等超便攜產(chǎn)品更高密度的設計需求。
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PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器肖特基二極管（SBD）

  • 肖特基（Schottky）二極管是將金屬層沉積在N型硅的薄薄外延層上，利用金屬和半導體之間的接觸勢壘獲得單向?qū)?..
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適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管

  • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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肖特基二極管簡介

  • 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。 肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
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科銳推出新型碳化硅肖特基二極管系列

  • 　　碳化硅 (SiC) 功率器件市場領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二極管組成，不僅優(yōu)化了價格和性能，還可提供多種額定電流和封裝選擇。通過推出種類齊全的碳化硅二極管產(chǎn)品系列，科銳不斷將碳化硅功率器件向主流功率應用中推廣。
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英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。 　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

  • 　　應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉(zhuǎn)換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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肖特基二極管介紹

目錄 簡介 原理 優(yōu)點 結(jié)構(gòu) 特點 應用 其它 簡介 　　肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導 [ 查看詳細 ]

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