首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 缺陷

英特爾用AI技巧發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心芯片中隱藏的缺陷

  • 對于大型數(shù)據(jù)中心中的高性能芯片，數(shù)學(xué)可能是敵人。由于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心正在進行的計算規(guī)模龐大，在數(shù)百萬個節(jié)點和大量硅片上全天候運行，因此會出現(xiàn)極其罕見的錯誤。這只是統(tǒng)計數(shù)據(jù)。這些罕見的、“無聲的”數(shù)據(jù)錯誤不會在傳統(tǒng)的質(zhì)量控制篩查中出現(xiàn)，即使公司花費數(shù)小時尋找它們也是如此。本月，在加利福尼亞州蒙特雷舉行的 IEEE 國際可靠性物理研討會上，英特爾工程師介紹了一種使用強化學(xué)習(xí)來更快地發(fā)現(xiàn)更多無聲數(shù)據(jù)錯誤的技術(shù)。該公司正在使用機器學(xué)習(xí)方法來確保其 Xeon 處理器的質(zhì)量。當(dāng)數(shù)據(jù)中心發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  AI  數(shù)據(jù)中心  缺陷  Xeon  

考慮缺陷可能性，將車用IC DPPM降至零

  • 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對所有設(shè)計流程中的新挑戰(zhàn)，方能在快速成長的車用 IC市場中提升競爭力。為了符合ISO 26262國際安全規(guī)范中零百萬缺陷率（DPPM）的目標，可測試性設(shè)計（DFT）工程師采用了新的測試模式類型，包括單元識別（cell-aware）、互連和單元間橋接（單元鄰域）；但是在選擇應(yīng)用模式類型和設(shè)置覆蓋率目標時，傳統(tǒng)方式不管在質(zhì)量、測試時間還是測試成本上都存在著改善空間。 圖一 : 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對所有設(shè)計流程中的新挑戰(zhàn)，方能在快速成長的車用IC市場中提升競爭力。（sou
  • 關(guān)鍵字： 缺陷  車用IC  DPPM  Siemens EDA  

基于DM642的橋梁纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)設(shè)計

  • 針對目前國內(nèi)橋梁纜索表面缺陷檢測的不足，提出一種基于DM642的纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)。介紹了該系統(tǒng)的硬件平臺以及軟件設(shè)計。系統(tǒng)的硬件平臺
  • 關(guān)鍵字： 642  DM  表面  缺陷  

使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因

  • 錫膏印刷在無鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關(guān)問題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
  • 關(guān)鍵字： SPI  無鉛  缺陷  制造    

船體結(jié)構(gòu)焊縫超聲波探傷智能化方法

  • 摘要：通過使用計算機控制的陣列式超聲波探頭簡化超聲波探傷過程中探頭的運動方式，實現(xiàn)超聲波探傷的自動化和...
  • 關(guān)鍵字： 超聲波  探傷  焊接  缺陷  

數(shù)據(jù)采集硬件：如何避免缺陷與誤差

  • 誤差在日常生活中，我們對顯示在各種屏幕或計算機上的測量數(shù)據(jù)向來是深信不疑的。例如：汽車儀表盤上...
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集  缺陷  誤差  

電源設(shè)計小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其低成本的特點，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會在電容器壽命期間蒸發(fā)，從而改變其電
  • 關(guān)鍵字： 規(guī)避  方法  缺陷  常見  設(shè)計  電解電容  電源  

針對FPGA內(nèi)缺陷成團的電路可靠性設(shè)計研究

  • 引 言微小衛(wèi)星促進了專用集成電路(ASIC—ApplicatiON Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?，F(xiàn)場可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實現(xiàn)形式，是中國航天目前集成
  • 關(guān)鍵字： FPGA  缺陷  電路  可靠性設(shè)計    

LED燈具的致命缺陷―浪涌電壓

  • 所有的LED燈具都有這種致命的缺陷，而且至今為止，沒有人提出過好的解決辦法。所有搞LED電源的，或是搞LED成品燈具的，都對這個問題避而不談，裝作不知道，然而實際量產(chǎn)，這個問題更是層出不窮，當(dāng)然還有更多不怎么懂
  • 關(guān)鍵字： LED  燈具  缺陷  浪涌電壓    

LED照明產(chǎn)品檢測方法中的缺陷和改善的對策

  • 傳統(tǒng)的LED 及其模塊光、色、電參數(shù)檢測方法有電脈沖驅(qū)動 ,CCD 快速光譜測量 法,也有在一定的條件下,熱平衡后的測量法,但這些方法的測量條件和結(jié)果與LED 進入照明器具內(nèi)的實際工作情況都相差甚遠。文章介紹了通過Vfm
  • 關(guān)鍵字： LED  照明產(chǎn)品  檢測方法  缺陷    

嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹

  • 嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見的錯誤，并介紹的幾個技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯誤。大部分軟件開發(fā)項目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測試和功能測試來識別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要，而且能發(fā)現(xiàn)大多
  • 關(guān)鍵字： 方法  介紹  查找  缺陷  軟件技術(shù)  嵌入式  

巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計中的缺陷

  • 巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計中的缺陷,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見的錯誤，并介紹的幾個技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯誤。大部分軟件開發(fā)項目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測試和功能測試來識別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要，而且能發(fā)現(xiàn)大多
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  缺陷  軟件  嵌入式  查找  巧妙  

LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測技術(shù)

  • 摘要：為了在大批量封裝生產(chǎn)線上對LED的封裝質(zhì)量進行實時檢測，利用LED具有與PD類似的光伏效應(yīng)的特點，導(dǎo)出了LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光生電流之間的關(guān)系，并根據(jù)LED封裝工藝過程的特點，研制了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測
  • 關(guān)鍵字： 非接觸  檢測技術(shù)  缺陷  封裝  芯片  器件  LED  

控制SMT焊接幾種缺陷方式的解析

  • 1、引言表面組裝技術(shù)在減小電子產(chǎn)品體積、重量和提高可靠性等方面的突出優(yōu)點，迎合了未來制造技術(shù)的要求。但是，要制定和選擇適用于具體產(chǎn)品的表面組裝工藝不是簡單的事情，因為SMT技術(shù)是涉及了多項技術(shù)的復(fù)雜的系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 方式  解析  缺陷  焊接  SMT  控制  

晶體硅電池組件EL缺陷分析

  • :EL檢測儀，又稱太陽能組件電致發(fā)光缺陷檢測儀，是跟據(jù)硅材料的電致發(fā)光原理對組件進行缺陷檢測及生產(chǎn)工藝監(jiān)控的專用測試設(shè)備。給晶體硅電池組件正向通入1-1.5倍Isc的電流后硅片會發(fā)出1000-1100nm的紅外光，測試儀下
  • 關(guān)鍵字： 缺陷  分析  EL  組件  電池  晶體  
共39條 1/3 1 2 3 »
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473