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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

  • 　　最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。 　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
  • 關鍵字： 矽晶  MOSFET  

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

  • 　　日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產(chǎn)品?！　≌故井a(chǎn)品簡介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
  • 關鍵字： 東芝  IEGT  SiC  

EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇

  • 　　功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優(yōu)勢快速推廣其技術和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 　　增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
  • 關鍵字： MOSFET  EPC  eGaN  201406  

首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

  • 　　5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品， 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。 　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。 　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
  • 關鍵字： 碳化硅  外延晶片  

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  電子產(chǎn)品世界  

三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

  • 　　三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。　　今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領域，包括：工業(yè)應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
  • 關鍵字： 三菱電機  PCIM  碳化硅  

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位

  • 　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！　∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計，從201
  • 關鍵字： 美高森美  MOSFET  SiC  

開關電源技術產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析

  • 　　開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關電源技術也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。 　　根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業(yè)類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達到855億元，2009年達931億元，
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

耐高溫半導體解決方案日益受到市場歡迎

  • 　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場大范圍推廣。　　諾衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術與 CISSOID 的技術及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅(qū)動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調(diào)節(jié)器?！　ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
  • 關鍵字： CISSOID  諾衛(wèi)卡  SiC  

一款基于AN8026的變頻器電源設計方案

  • 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術目前得到了廣泛的應用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標，作為基礎硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
  • 關鍵字： AN8026  MOSFET  

用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法

  • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
  • 關鍵字： P-FET  MOSFET  

IR擴充StrongIRFET系列

  • 　　　國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側(cè)同步整流等。　　全新60V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
  • 關鍵字： IR  StrongIRFET  MOSFET  

電容器

  • 　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！　eraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術相比：由于該款新電容
  • 關鍵字： TDK  電容器  CeraLink  SiC  

Allegro MicroSystems推出新型雙同步低降壓穩(wěn)壓器

  • 　　Allegro?MicroSystems,?LLC?公司宣布推出針對多輸出系統(tǒng)的新型雙轉(zhuǎn)換器。Allegro’經(jīng)?AEC-Q100?標準認證的?A8651?是雙?2?A?低?VIN?同步穩(wěn)壓器，帶可調(diào)頻率，整合了高端?P?通道?MOSFET?和低端?N?通道?MOSFET。A8651?整合電流模式控制，可
  • 關鍵字： Allegro  雙轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

工程師該如何選擇電源？

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 供電處理器  凌力爾特  MOSFET  均流控制器  二極管  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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