首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

被忽略的細節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS

  • 　　看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細節(jié)決定技術，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節(jié)，來理解這個參數(shù)所設定的含義。 　　數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
  • 關鍵字： MOSFET  BVDSS  

Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  • 　　Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 　　SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。 　　Fair
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  

英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準

  • 　　英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應用，可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲，這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應用。 　　   　　800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當于將
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

步進電機的MOSFET管驅動設計

  • H橋功率驅動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅動。永磁步
  • 關鍵字： 步進電機  MOSFET  驅動設計  

意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。 　　電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

IGBT是啥？看完這篇文章我不信你還不明白

  • 　　電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命，由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放，人對電的需求不亞于人類世界的氧氣，如果沒有電，人類的文明還會在黑暗中探索。 　　然而在電力電子里面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。 　　   　　一說起IGBT，半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣，是國家“02專項”的重點扶持項目，這玩意是現(xiàn)在目前功率電子器件里
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓

  • 　　一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時，他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 　　   　　直到最近，電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
  • 關鍵字： MOSFET  封裝  

關于MOS管的基礎知識大合集

  • 　　下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 　　1，MOS管種類和結構 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 　　至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開
  • 關鍵字： MOS管  MOSFET  

意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進的高能效功率半導體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認證時間表。 　　電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導體率先推
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅動產(chǎn)品陣容

  • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！　∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC-MOSFET  

理解超級結技術

  • 　　基于超級結技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設計平臺是基于平面技術。但高壓下的快速開關會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結MOSFET過渡的設計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結技術的優(yōu)點。 　　為了理解兩種技術的差異，我
  • 關鍵字： MOSFET  超級結結構  

意法半導體(ST)新的MOSFET晶體管技術/封裝解決方案重新定義功率能效

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網(wǎng)絡、工業(yè)、消費電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機會?！　∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長，運行云計算技術的服務器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

  • 　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。　　MOS管在ON狀態(tài)時工作于線性區(qū)(相當于三極管的飽
  • 關鍵字： MOSFET  三極管  

解析IGBT的工作原理及作用

  • 　　本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。 　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。 　
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  

【E問E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？

  • 　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿)　　先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。　　1) Drain->Source穿通擊穿:　　這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
  • 關鍵字： MOS管  MOSFET  
共1534條 50/103 |‹ « 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473