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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

意法半導體推出5x6mm雙面散熱微型封裝汽車級功率MOSFET管

  • 　　意法半導體推出了采用先進的PowerFLATTM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會社選用?！　TLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機控制、電池極性接反保護和高性能功率開關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封裝保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極曝露在
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全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用

  • 　　英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現(xiàn)有的CoolMOS?技術(shù)產(chǎn)品陣容，推出600 V CoolMOS? P7和600 V CoolMOS? C7 Gold (G7)系列。這兩個產(chǎn)品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結(jié)MOSFET性能。它們可在目標應用中實現(xiàn)非常出色的功率密度?！　?00 V CoolMOS&
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東芝面向風扇電機推出600V／500V小型封裝高壓智能功率器件

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出新系列小型封裝高壓智能功率器件(IPD)，這些產(chǎn)品用于空調(diào)、空氣凈化器和空氣泵等各類風扇電機。該新系列包括600V/2.5A “TPD4204F"和500V/2.5A “TPD4206F2"兩款產(chǎn)品，產(chǎn)品出貨即日啟動?！　±脰|芝最新的MOSFET技術(shù)，新系列IPD在新開發(fā)的小型表面貼裝“SOP30”封裝中實現(xiàn)高壓和低功率損耗，該封裝尺寸僅為20.0mm x 14.2mm。其封裝空間僅約為東
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結(jié)N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動?！　≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關(guān)性能，同時，其優(yōu)化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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意法半導體(ST)同級領先的900V MOSFET管，提升反激式轉(zhuǎn)換器的輸出功率和能效

  • 　　意法半導體最新的900V MDmesh? K5超結(jié)MOSFET管讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高能效的系統(tǒng)需求，具有同級最好的導通電阻(RDS(ON))和動態(tài)特性?！　?00V擊穿電壓確保高總線電壓系統(tǒng)具有更高的安全系數(shù)。新系列產(chǎn)品含有首個RDS(ON)導通電阻低于100m?的900V MOSFET管，是RDS(ON) 電阻最低的DPAK產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)最低的柵電荷(Qg)確保開關(guān)速度更快，在需要寬輸入電壓的應用領域，實現(xiàn)更大的配置靈活性。這些特性確保標準準諧振電
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同步整流開關(guān)的功率MOSFET關(guān)鍵特性有哪些

  • 高性能轉(zhuǎn)換器設計中的同步整流對于低電壓、高電流應用（比如服務器和電信電源）至關(guān)重要，這是因為過將肖特 基二極管整流替換為同步整流 MOSFET 能夠顯著提高效率和 功率密度。同步整流 MOSFET 的很多關(guān)鍵參數(shù)甚至器件和印 制電路板的寄生元件都會直接影響同步整流的系統(tǒng)效率。同步整流 MOSFET 的主要要求為：同步整流中的功率損耗(1)導通損耗 二極管整流器的導通損耗占了電源總功耗的很大一部圖1 ?75 V MOSFET 和 600 V MOSFET 中 RDS(ON)的相對比例 ?
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為計算應用中的功率因數(shù)校正電路選擇MOSFET(上)

  •      功率因數(shù)校正 (PFC) 是輸入功率不低于75 W的AC-DC轉(zhuǎn)換器的一項強制要求。在某些消費應用（如LED照明） 中，要求在低至5 W的功率下進行某些形式的PFC。在低功 率下，可使用為控制線路頻率而設計的無源元件實現(xiàn)校正目 的。但在高功率下，無源解決方案會變得相當“笨重”而昂 貴；使用高開關(guān)頻率有源器件可減小所需無源元件的尺寸。 有源PFC的標準實現(xiàn)方式是輸入整流器后跟升壓轉(zhuǎn)換 器。盡管新式拓撲正逐漸獲得接受，但升壓PFC仍然是主要解決方案，本文將對其進行進一步
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東芝推出具備改進的低導通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進的低導通電阻、高速開關(guān)的800V超級結(jié)N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結(jié)結(jié)構(gòu)，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進的高速開關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動設備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V N溝道功率MOSFET

  • 　　東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動。　　隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場需要更高性能的用于次級側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領先的[1]低導通電阻和高速性能。該結(jié)
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采用ST F7 LV MOSFET技術(shù)的單片肖特基二極管:提高應用性能

  • 　　摘要–當一個功率MOSFET管被用在電橋拓撲或用作電源二次側(cè)同步整流管時，體漏二極管的特性以及品質(zhì)因數(shù)將變得非常重要。當需要Qrr 數(shù)值很低的軟反向恢復時，集成肖特基二極管的新60V ST “F7”功率MOSFET管確保能效和換向性能更加出色?！　.前言　　在同步整流和電橋結(jié)構(gòu)中，RDSon 和 Qg 兩個參數(shù)并不是對功率MOSFET管的唯一要求，實際上，本征體漏二極管的動態(tài)特性對MOSFET整體性能影響很大。體漏二極管的正向壓降(VF,d
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日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

  • 　　日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化，將處于世界優(yōu)勢地位。 　　功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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意法半導體下一代高達100W的智能功率模塊提升功能集成度、能效和靈活性

  • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)擴大其SLLIMM? nano系列電機驅(qū)動智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應用總體尺寸最小化和設計復雜性最低化的多種可選封裝外，新產(chǎn)品還集成更多的實用功能和更高能效的最新的500V MOSFET。　　新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A，目標應用瞄準最高功率100W的電機驅(qū)動市場，例如冰箱壓縮機、洗衣機或洗碗機的電機、排水泵、循環(huán)水泵、風扇電機、以及硬開關(guān)電路內(nèi)工作頻率小
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8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

  • 　　噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)中，因此噪聲測量主要指電子元件和器件、網(wǎng)絡和系統(tǒng)的熱噪聲和特性的測量。　　附加相位噪聲測試技術(shù)及注意事項　　本文簡單介紹了相位噪聲的定義，詳細介紹了附加相位噪聲的測試過程，給出了實際的測試結(jié)果，指出了附加相位噪聲測試過程中的一些注意事項，希望對附加相位噪聲測試人員有一定的借鑒意義?！　∮糜?G-LTE頻段噪聲測試
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MOSFET晶體管在移相ZVS全橋直流-直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性: 設計考慮因素和實驗結(jié)果

  • 　　摘要 – 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)(ZVS)轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性?！　?. 前言　　零壓開關(guān)移相轉(zhuǎn)換器的市場定位包括電信設備電源、大型計算機或服務器以及其它的要求功率密度和能效兼?zhèn)涞碾娮釉O備。要想實現(xiàn)這個目標，就必須最大限度降低功率損耗和無功功率
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碳化硅 mosfet介紹

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