電源供應器 文章 進入電源供應器技術社區(qū)
基于PI HiperPFSTM-4 PFS7627H 的 275 W 之電源供應器方案

- Power Integrations,推出HiperPFSTM-4系列 IC,此系列將連續(xù)導通模式 (CCM) 升壓式功率因數(shù)修正 (PFC) 控制器、閘極驅動器和 600 V 功率 MOSFET 整合至一Package中,同時節(jié)省了對外部電流感測電阻器的零件,消除了由其所產生的功率損失,而是改用創(chuàng)新的控制技術來調整輸出負載、輸入線電壓和輸入線電壓周期的切換頻率,大大的將低了周邊空間,但仍保持了水準以上的Performance。HiperPFSTM-4系列 IC適用于前端非隔的升壓線路,用以提升功率因數(shù),
- 關鍵字: PI HiperPFSTM-4 PFS7627H 電源供應器
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案

- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體,它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字: NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
基于 STEVAL-LLL009V1 開發(fā)板: 以PFC + LCC架構設計,支援恒壓(CV)和恒流(CC)操作的高壓輸入300W LED數(shù)字電源方案

- LED燈和燈泡可以根據(jù)應用的特定用途,大小和尺寸而具有多種不同的形狀因數(shù),包括翻新燈泡,高棚燈,低棚燈,應急燈。 驅動一串LED與AC-DC和DC-DC轉換有關–使用非隔離,隔離,單級或多級拓撲設計–必須確保以有競爭力的成本獲得高效率和可靠性。 STEVAL-LLL009V1 數(shù)位控制 300 W 電源由功率因數(shù)校正 (PFC) 和半橋 LCC 諧振轉換器電源階段組成。STM32F334R8微控制器實現(xiàn)直流轉直流和輸出同步整流數(shù)位控制,而PFC則由L6562AT控制器在過渡模式下驅動。該系統(tǒng)支援
- 關鍵字: 意法半導體 ST STEVAL-LLL009V1 電源供應器
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