瑞薩文章最新資訊

2007年1月11日，瑞薩重組中國事業(yè)體制

　　2007年1月11日，為了擴大在中國的事業(yè)，瑞薩將重組在中國的銷售和應用技術體制。
關鍵字：瑞薩 Renesas

瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
關鍵字： DrMOS MOSFET 單片機電源技術集成驅動器模擬技術嵌入式系統(tǒng) 瑞薩

2006年11月6日，瑞薩單片機汽車競賽支持胡志明自然科學大學教育事業(yè)

　　2006年11月6日，瑞薩宣布贊助2006年HCMUNS-瑞薩單片機汽車競賽(HCMUNS-Renesas Micom Car Rally)，該賽事是為支持教育事業(yè)在胡志明自然科學大學(HCMUNS)舉辦的。
關鍵字：瑞薩汽車電子 Renesas

瑞薩科技開發(fā)高可靠性銅電子熔絲技術

--全球第一款熔融狀態(tài)切斷的熔絲可防止低介電系數(shù)材料開裂-- 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布開發(fā)出一種用于65nm（納米）工藝的銅電子熔絲技術，其低介電常數(shù)不會導致低介電系數(shù)材料的開裂，因此具有很高的可靠性。這種新技術在全球首次實現(xiàn)了利用熔融狀態(tài)下切斷銅熔絲的方法來防止低介電系數(shù)材料的開裂。該技術已經(jīng)應用于65nm制造工藝的試驗階段，且已被證實可提供以下卓越的性能：1.一根熔絲切斷所需的時間少于10μs。2.在熔絲完好無損的條件下，熔絲切斷后
關鍵字：電源技術工業(yè)控制模擬技術熔絲技術瑞薩銅電子工業(yè)控制

瑞薩科技發(fā)布電視系統(tǒng)大規(guī)模集成電路

-- 豐富的電視系統(tǒng)開發(fā)解決方案有助于支持液晶電視、數(shù)字電視、HDMI等應用，使降低系統(tǒng)價格成為可能 --瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出陣容廣泛的九種電視系統(tǒng)大規(guī)模集成電路（LSI）型號，這些產(chǎn)品將有助于高效而低成本地實現(xiàn)全球市場各種電視系統(tǒng)開發(fā)解決方案。該產(chǎn)品系列和樣品供貨的開始日期如下。 1.液晶電視LSI（3個型號）：2006年（兩個型號）9月6日，2006年10月（一個型號）； 2.液晶電視數(shù)字廣播解碼器LS
關鍵字： HDMI 大規(guī)模集成電路電視系統(tǒng) 瑞薩數(shù)字電視消費電子消費電子

瑞薩擴展九州后道工序處理工廠生產(chǎn)能力

--熊本制造工廠將建立一座新的建筑物將鞏固福岡工廠的運營-- 瑞薩科技公司宣布，計劃在位于日本九州的瑞薩九州半導體公司的熊本工廠建設一座新的建筑物，作為全資擁有的后道工序工藝制造子公司。增加新的建筑物的計劃旨在提高生產(chǎn)能力并改進效率，從而有助于瑞薩利用新的廠房鞏固瑞薩九州半導體福岡工廠的運營。目前熊本工廠主要從事微控制器、混合信號器件和分立器件的組裝和測試業(yè)務。今天，半導體市場需要出眾的性能和質量，同時面對著降低成本的巨大壓力。為了滿足這種需求，實現(xiàn)前道工序的改進，例如采用更精細的制造工藝節(jié)點，以及后道
關鍵字：單片機工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 瑞薩生產(chǎn)能力通訊網(wǎng)絡無線工業(yè)控制

瑞薩擴展日九州后道工序處理工廠生產(chǎn)能力

--熊本制造工廠將建立一座新的建筑物將鞏固福岡工廠的運營-- 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，計劃在位于日本九州的瑞薩九州半導體公司的熊本工廠建設一座新的建筑物，作為全資擁有的后道工序工藝制造子公司。增加新的建筑物的計劃旨在提高生產(chǎn)能力并改進效率，從而有助于瑞薩利用新的廠房鞏固瑞薩九州半導體福岡工廠的運營。目前熊本工廠主要從事微控制器、混合信號器件和分立器件的組裝和測試業(yè)務。今天，半導體市場需要出眾的性能和質量，同時面對著降低成本的巨大壓力。為了
關鍵字： Renesas 單片機后道工序嵌入式嵌入式系統(tǒng) 瑞薩微控制器組裝和測試

2006年6月19日，瑞薩推出全球最薄的RFID引入線

　　2006年6月19日，瑞薩推出RKT101xxxMU m-Chip引入線。這是一種安裝在RFID(射頻識別)IC上的m-Chip，其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID標簽的平坦度。
關鍵字：瑞薩 RFID Renesas

2006年6月12日，瑞薩推出業(yè)界第一個無鉛玻璃封裝二極管

　　2006年6月12日，瑞薩推出玻璃封裝二極管(“玻璃二極管”)，在業(yè)界第一次實現(xiàn)了在封裝二極管用的玻璃封裝中完全使用無鉛玻璃的玻璃體無鉛實現(xiàn)方法。
關鍵字：瑞薩二極管 Renesas

2006年6月7日，瑞薩推出全球第一款商業(yè)通用DVB-H手機

　　2006年6月7日，瑞薩宣布其公司的用于移動電話的SH-Mobile11應用處理器已被LG電子制造的新型LG-U900手機采用。LG-U900是全球第一款具備(WCDMA)DVB-H2能力的商用通用移動電信系統(tǒng)(UMTS)手機。
關鍵字：瑞薩 DVB-H 手機 Renesas

2006年4月5日，瑞薩推出32位智能卡微控制器AE55C1

　　2006年4月5日，瑞薩宣布其具有先進加密程序庫功能的AE55C1 32位智能卡微控制器已獲得ISO/IEC 15408國際標準IT(信息技術)產(chǎn)品安全EAL4+認證。
關鍵字：瑞薩智能卡 AE55C1 Renesas

瑞薩采用間距焊料凸點的芯片對芯片技術

-- 30μm超精細間距焊料凸點和高引腳數(shù)連接有助于實現(xiàn)芯片間高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝阅躍iP產(chǎn)品 -- 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，已開發(fā)出采用30μm超精細間距焊料凸點的芯片對芯片（COC）技術，以及一種采用該技術的倒裝芯片球柵陣列（COC-FCBGA）封裝。預期這種下一代封裝技術將成為開發(fā)包括數(shù)字設備和高速網(wǎng)絡設備等新型高性能產(chǎn)品的關鍵因素。 COC是一種在單個封裝中堆迭多個芯片的結構。新技術是使用一種超精細間距的微型凸點將
關鍵字：測試測量間距焊料凸點的芯片瑞薩

2006年2月28日，瑞薩與捷德公司合作提供前沿嵌入式安全解決方案

　　2006年2月28日，瑞薩與捷德公司(Giesecke & Devrient，簡稱G&D)共同宣布，瑞薩科技已獲得G&D用于嵌入式安全應用的安全集成電路的高度安全JavaCardTM操作系統(tǒng)授權。
關鍵字：瑞薩捷德 Renesas

瑞薩科技宣布管理團隊更迭

瑞薩科技公司宣布了其在管理團隊方面的最新變化，這是在瑞薩董事會會議上做出的決定。總裁兼首席執(zhí)行官Satoru Ito將出任主席兼首席執(zhí)行官，并將全面負責瑞薩科技的管理工作。Katsuhiro Tsukamoto執(zhí)行副總裁將出任總裁兼首席運營官，負責業(yè)務運營。新的任命將進一步加強公司結構以達到更加敏銳和敏捷的管理。高級執(zhí)行副總裁、董事Yasuhiko Fukuda和高級副總裁、董事Katsumi Suizu將于2006年3月31日從他們目前的職位退休。此外，Yut
關鍵字：管理團隊瑞薩無線應用

瑞薩發(fā)布具有片上內(nèi)核電控制復位IC

無需上電定時設計，有助于縮短系統(tǒng)開發(fā)時間  瑞薩科技公司發(fā)布了業(yè)界第一個集成了一個內(nèi)核上電控制功能的復位IC*1 RNA50C27AUS。該功能可用于采用3.3VI/O電源電壓*2和1.8V內(nèi)核電源電壓*3的雙電源微型機。樣品將在2006年4月從日本開始出貨。 RNA50C27AUS通過預先連接諸如晶體管的外部器件，集成了一個內(nèi)核上電控制電路，可以在與I/O電源狀態(tài)協(xié)調(diào)的情況下實現(xiàn)與內(nèi)核電源的上電/斷電控制。這樣就避免了在實現(xiàn)電源系統(tǒng)設計時所需的復雜的上電定時設計。 &
關鍵字：復位IC 片上內(nèi)核電控制嵌入式系統(tǒng) 瑞薩

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瑞薩介紹

瑞薩科技株式會社（日文：株式會社ルネサステクノロジ；英文：Renesas Technology Corp.），由日立制作所和三菱電機株式會社的半導體事業(yè)部于2003年4月1日合并而成的半導體公司，總部位于日本東京。成立之時（2003年），為世界第三大半導體公司，僅次于英特爾（Intel）和三星（Samsung）。目前（至2008第三季）瑞薩科技為世界第七大半導體公司。瑞薩科技為移動、汽車及個 [ 查看詳細 ]