EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶圓
晶圓 文章 最新資訊
中國(guó)手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)國(guó)時(shí)代將結(jié)束?
- 中國(guó)無(wú)晶圓廠晶片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)向來(lái)呈現(xiàn)小廠各立山頭、在低毛利的當(dāng)?shù)刂腔坌褪謾C(jī)晶片市場(chǎng)激烈競(jìng)爭(zhēng)的景況,而這種情勢(shì)正開(kāi)始出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。 擁有中國(guó)官方背景的投資機(jī)構(gòu)紫光集團(tuán)(TsinghuaUnigroup)在7月份時(shí)宣布收購(gòu)中國(guó)本土TD-SCDMA基頻晶片供應(yīng)商展訊(SpreadtrumCommunications),最近則傳出中國(guó)RF晶片設(shè)計(jì)大廠銳迪科(RDAMicroelectronics)也將收歸該集團(tuán)旗下。 而這波中國(guó)本土手機(jī)晶片業(yè)者的合并熱潮,有可能最后結(jié)合成一股足以與臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MediaT
- 關(guān)鍵字: 手機(jī)芯片 晶圓
揭秘IGBT市場(chǎng)成長(zhǎng)的動(dòng)力來(lái)源

- 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告,IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步。具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。IGBT將在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源。
- 關(guān)鍵字: IGBT 晶圓 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器
聯(lián)發(fā)科:臺(tái)積電是最大代工伙伴
- 手機(jī)芯片廠聯(lián)發(fā)科總經(jīng)理謝清江表示,目前28納米制程只有臺(tái)積電一家晶圓代工伙伴,未來(lái)先進(jìn)制程臺(tái)積電也將是最大合作伙伴。 謝清江今天與媒體餐敘。面對(duì)媒體提問(wèn)聯(lián)發(fā)科制程技術(shù)推進(jìn)進(jìn)度,謝清江指出,即將于20日正式發(fā)表的8核心智能手機(jī)方案將采臺(tái)積電28納米HPM制程。 謝清江說(shuō),目前聯(lián)發(fā)科28納米制程技術(shù)只有臺(tái)積電一家合作伙伴。破除聯(lián)發(fā)科轉(zhuǎn)單格羅方德(Globalfoundries)的市場(chǎng)傳言。 謝清江表示,LTE芯片因集成度高,須采用20納米制程技術(shù);聯(lián)發(fā)科預(yù)計(jì)明年下半年制程技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科 臺(tái)積電 晶圓
NANIUM 提升 eWLB 技術(shù),提高產(chǎn)品可靠性
- 2013 年 10 月 29 日,歐洲最大的外包半導(dǎo)體組裝與測(cè)試 (OSAT) 服務(wù)供應(yīng)商 NANIUM S.A. 宣布為其扇出晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 技術(shù)——即內(nèi)嵌式晶圓級(jí)球柵陣列 (eWLB) ——引入一項(xiàng)改進(jìn)的絕緣材料和工藝解決方案。這些改進(jìn)措施提高了 eWLB 的可靠性,能夠?qū)F(xiàn)有技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展至要求更為嚴(yán)苛的市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域,包括醫(yī)療設(shè)備、航空和汽車領(lǐng)域等。
- 關(guān)鍵字: NANIUM eWLB 晶圓
臺(tái)積電張忠謀:明年?duì)I運(yùn)樂(lè)觀看待 資本支出與今年相當(dāng)
- 臺(tái)積電17日舉辦法說(shuō)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀會(huì)中提及明年資本支出。他說(shuō),目前尚無(wú)法說(shuō)出具體數(shù)字但約是將較今年相當(dāng)、約在100億美元,同時(shí)該公司先進(jìn)制程技術(shù)已滲透各應(yīng)用領(lǐng)域,不宜單一面向解讀;因此他也仍樂(lè)觀看待2014年?duì)I運(yùn)。 臺(tái)積電在新臺(tái)幣兌美元29.5基礎(chǔ)上,預(yù)估第4季營(yíng)收在1440至1470億元之間;此水準(zhǔn)約季減在9.6%至11.4%之間。 以臺(tái)積電預(yù)估第4季營(yíng)收季減約10.5%左右,張忠謀說(shuō),此季節(jié)修正僅是一個(gè)短期過(guò)程;同時(shí)臺(tái)積電目前雖尚無(wú)法說(shuō)出明年資本支出具體數(shù)字,但約是將較
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓
同盟大軍 成臺(tái)積電最佳后盾
- 臺(tái)積電欽點(diǎn)漢微科、家登、辛耘、中砂、中德、盟立、沛鑫等多家臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備及材料廠投入研發(fā),打造「18寸晶圓同盟」。臺(tái)積電提前18寸晶圓廠建廠腳步,聯(lián)盟成員蓄勢(shì)待發(fā),是臺(tái)積電左打三星、右踢英特爾的最佳后盾。 漢微科在半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備長(zhǎng)期需求看佳帶動(dòng)下,上周五股價(jià)一度超越大立光,躍居臺(tái)股股王,盡管收盤價(jià)992元、略低于大立光的995元,但在臺(tái)積電加快18寸廠建廠題材帶動(dòng)下,本周臺(tái)股股王爭(zhēng)霸戰(zhàn)更有看頭。 家登已是英特爾18寸廠建廠晶圓傳載盒供應(yīng)鏈成員,與臺(tái)積電關(guān)系良好;其它包括從事離子植入機(jī)的
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 晶圓
山東天岳及韓國(guó)SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,以韓國(guó)和中國(guó)為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊,零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日~10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上,最近開(kāi)始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開(kāi)始對(duì)外銷售的直徑2~4英寸(50mm~100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
- 關(guān)鍵字: SiC 晶圓
聯(lián)電Q3營(yíng)收季增4.7% 世界季增4.36% 皆優(yōu)預(yù)期
- 聯(lián)電、世界9日公告9月業(yè)績(jī)數(shù)據(jù),隨出貨減少、客戶庫(kù)存調(diào)整等,聯(lián)電單月?tīng)I(yíng)收減1.34%、世界減5%,但二者單季營(yíng)收分別季增4.7%、4.36%皆優(yōu)預(yù)期。 聯(lián)電公布內(nèi)部自行結(jié)算9月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣108.51億元,月減1.34%,但較去年同期仍增加14.68%。 世界先進(jìn)公布9月?tīng)I(yíng)收17.84億元,受晶圓出貨量下滑,月減少5.32%,為近5個(gè)月以來(lái)低點(diǎn),但年增21.74%。 另一方面,二者單季營(yíng)收表現(xiàn)優(yōu)于原先預(yù)期,累計(jì)聯(lián)電第3季合并營(yíng)收344.06億元,隨Wi-Fi與特殊制程應(yīng)用需求支撐
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 晶圓
Gartner預(yù)測(cè)半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)兩年將蘇
- 研究機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)期,半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)兩年將蘇,晶片股今早炒上。Gartner指,手機(jī)市池軟,使今年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出,料僅346億美元,按年降8.5%,而行業(yè)整體資本開(kāi)支將減少6.8%,不過(guò),近期訂單出貨情況已見(jiàn)好轉(zhuǎn),加上業(yè)界在存儲(chǔ)器的支出有起色,料下半年整體開(kāi)支超越上半年,且可延續(xù)至之后兩年,估計(jì)2014年半導(dǎo)體資本開(kāi)支將增加14.1%,2015年再增13.8%,但到2016年會(huì)回落2.8%。 Gartner又預(yù)期,今年上半年晶圓設(shè)備產(chǎn)能使用率,在80%水平徘徊,明年初可望提高至80
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓
全新的自動(dòng)化在線多項(xiàng)目晶圓(MPW)報(bào)價(jià)系統(tǒng)提供即時(shí)報(bào)價(jià)
- 全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造服務(wù)提供商eSilicon公司日前宣布:該公司全新自動(dòng)化多項(xiàng)目晶圓(MPW)批次流片服務(wù)即時(shí)網(wǎng)上報(bào)價(jià)系統(tǒng)上線。這項(xiàng)可通過(guò)用戶友好型網(wǎng)頁(yè)或者智能手機(jī)界面接入的服務(wù),能即時(shí)生成可執(zhí)行的MPW服務(wù)報(bào)價(jià),而通常通過(guò)人工處理需要長(zhǎng)達(dá)一個(gè)星期的時(shí)間才能獲得一項(xiàng)報(bào)價(jià)。
- 關(guān)鍵字: eSilicon 晶圓 MPW
日本東北大學(xué)公開(kāi)300mm晶圓試產(chǎn)線
- 9月20日,日本東北大學(xué)為可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線“三維超級(jí)芯片LSI試制生產(chǎn)基地(GINTI:Global INTegration Initiative)”舉行了竣工儀式。向業(yè)界相關(guān)人士及媒體公開(kāi)了2013年3月在索尼仙臺(tái)技術(shù)中心(宮城縣多賀城市)內(nèi)的“宮城復(fù)興工業(yè)園”建成的GINTI,同時(shí)在仙臺(tái)市內(nèi)的酒店舉辦了紀(jì)念演講會(huì)。 GINTI是為半導(dǎo)體廠商及研究機(jī)構(gòu)提供三維LSI試制環(huán)境(采用300mm晶圓)的基地。該項(xiàng)目由著名的三維
- 關(guān)鍵字: 300mm 晶圓
DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)趨向成熟

- 據(jù)市調(diào)公司IC Insights今年7月發(fā)表的一份名為“Global Wafer Capacity 2013 report”報(bào)告稱,2012年末存儲(chǔ)器和代工(主要生產(chǎn)邏輯和混合信號(hào)電路)所用晶圓(以200mm晶圓計(jì))已超過(guò)世界每月晶圓產(chǎn)能的一半,計(jì)共922.7萬(wàn)片,占64%(其中存儲(chǔ)器占36.1%,代工27.5%),隨后邏輯電路占12.4%,微芯片(MPU,MCU和DSP)10.3%,模擬電路9.6%,其他4.1%。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 晶圓 DRAM 201310
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解,再于融液里種入籽晶,然后將其慢慢拉出,以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
