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存儲器 文章 最新資訊

長鑫存儲公布新路線圖:已開始生產(chǎn)19nm計算機存儲器

  • 長鑫存儲技術(shù)有限公司(CXMT)已經(jīng)開始生產(chǎn)基于 19nm 工藝的計算機存儲器,且該公司至少制定了兩條以上的 10nm 級制程的路線圖,計劃在未來生產(chǎn)各種類型的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)。為了提升產(chǎn)量,長鑫存儲還計劃建造另外兩座晶圓廠。作為中國制造 2025 項目的一部分,其有望支撐全球一半左右的 DRAM 需求。
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Microchip全新EERAM存儲器解決方案,可降低存儲器成本并在斷電時提供數(shù)據(jù)保護

  • 從智能電表到生產(chǎn)線,需要進行重復(fù)任務(wù)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用必須能夠在處理過程中斷電的情況下自動恢復(fù)內(nèi)容。按照每比特存儲單價計算,目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度(64 Kb至1Mb)非易失性串行RAM(NVRAM)解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口(SPI)EERAM存儲器產(chǎn)品,與當(dāng)前的串行NVRAM產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計人員節(jié)省高達25%的成本。新系列產(chǎn)品為Microchip的EERAM產(chǎn)品陣容增添了范圍從
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ASML:邏輯芯片需求強勁延續(xù)至2020年 存儲器則疲弱復(fù)蘇中

  • 半導(dǎo)體芯片設(shè)備制造商ASML執(zhí)行長日前表示,針對全球半導(dǎo)體市場狀態(tài),目前來說高端的邏輯運算芯片需求依舊非常強勁,但存儲器市場相較來說就顯得疲弱,不過即便如此,目前存儲器市場已開始逐漸復(fù)蘇。
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HBM2E開啟超高速存儲器半導(dǎo)體新時代

  • TSV技術(shù):解鎖HBM無可比擬的“容量和速度”
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

  • 據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC,XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案,樣品預(yù)計將于下月送樣檢測,或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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汽車電子為半導(dǎo)體帶來的挑戰(zhàn)

  • 摘?要:ADAS/自動駕駛、新能源汽車驅(qū)動了汽車電子的變革,MCU、雷達、攝像頭/圖像傳感器、AI芯片、電池/電源管理器件、功率器件、存儲器、接口等技術(shù)產(chǎn)品在不斷迭代出新。本文采訪了部分業(yè)內(nèi)有代表性的廠商,從中可以了解到相關(guān)領(lǐng)域的半導(dǎo)體創(chuàng)新動向。關(guān)鍵詞:ADAS;雷達;MCU;電池;電源;存儲器1 ?雷達與攝像頭1.1 用于ADAS和自動駕駛的雷達與攝像頭大概十年前,恩智浦需要交付的是三十個大客戶,其中包括十大車企、二十家tier 1(一級供應(yīng)商)。但是如今在美國灣區(qū)以及在中國,整個生態(tài)系統(tǒng)在不
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AI 時代推動存儲器的創(chuàng)新與發(fā)展

  • 在物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能 (AI) 的推動下,從交通運輸、醫(yī)療保健到零售和娛樂等眾多行業(yè)將走上轉(zhuǎn)型之路,應(yīng)用材料公司將其統(tǒng)稱為 AI 計算時代。在以前的計算時代中,大型機/小型機、PC/服務(wù)器和智能手機/平板電腦均受益于摩爾定律的進步,伴隨著 2D 微縮,產(chǎn)品的性能、功耗和面積/成本(也稱為“PPAC”)得以同步提升。雖然 AI 時代的各類應(yīng)用正在蓬勃發(fā)展,但摩爾定律卻放緩了腳步;因此,行業(yè)需要在 2D 微縮以外取得突破,以全新方式推動 PPAC 的提升。具體而言,我們需要新的計算架構(gòu)、新材料、新結(jié)構(gòu)(
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科學(xué)家研發(fā)出解決數(shù)字技術(shù)能源危機的新型計算機存儲器并獲得了專利

  • 近期,英國蘭卡斯特大學(xué)(Lancaster University )的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機的新型計算機存儲器并獲得了專利。在科學(xué)報告中發(fā)表的研究報告中描述了這種電子存儲設(shè)備,據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘I睢?/li>
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存儲器第1季銷售額比前一季減少25%,三星下滑最多!

  • 身為三星電子、SK海力士主力的存儲器半導(dǎo)體市場持續(xù)低迷,整體半導(dǎo)體市場也創(chuàng)下10年來最差紀(jì)錄。
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不看這4個數(shù)你買內(nèi)存就虧了:內(nèi)存時序了解下

  • 本期筆者為大家?guī)淼氖顷P(guān)于內(nèi)存時序那些事,平常我們在購買內(nèi)存時,每一款內(nèi)存的外包裝盒上都會標(biāo)明,那么這四組數(shù)字到底是什么意思呢?
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鐵電隨機存儲器F-RAM在動力電池管理上的應(yīng)用

  •   隨著電動汽車技術(shù)的發(fā)展,以及政府的政策鼓勵與扶持,電動汽車(混動+純電動)以每年超過50%的速度高速增長,電池以及電池管理系統(tǒng)作為電動汽車的核心組件,其市場需求也獲得相應(yīng)的快速增長。本文將就電池管理系統(tǒng)對存儲器的需求進行分析  電池管理系統(tǒng)(Battery Management System, 即BMS)主要實現(xiàn)三大核心功能:電池充放電狀態(tài)的預(yù)測和計算(即SOC)、單體電池的均衡管理,以及電池健康狀態(tài)日志記錄與診斷。功能框圖如下:  在整個電池管理系統(tǒng)中,電池荷電狀態(tài)的預(yù)測和計算(即SOC)是其最
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存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

  • 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕?,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損,但若想實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
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存儲器廠群聯(lián)擴大非消費性電子領(lǐng)域布局 搶攻高端NAND Flash商機

  •   全球智能手機市場疲弱,車用電子、AIoT等逐漸成為市場矚目焦點。NANDFlash控制芯片及存儲解決方案廠群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成,今年大舉進軍AIoT、車載系統(tǒng)及服務(wù)器等高端NANDFlash存儲應(yīng)用市場,并將于全球最大嵌入式系統(tǒng)及應(yīng)用展(EmbeddedWorld)展出相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品,期望通過車載系統(tǒng)、服務(wù)器、AIoT為未來運營開辟出一條新路?! ∪郝?lián)董事長潘健成出,車用電子、服務(wù)器與智能是群聯(lián)耕耘多年的高端NANDFlash儲存應(yīng)用領(lǐng)域,在車用物聯(lián)網(wǎng)及自駕車時代的來臨,每輛車每天產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將大于4TB,
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現(xiàn)實生活中,哪些產(chǎn)品里面有存儲器?

  •   存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設(shè)備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。    存儲器可以是一張卡,也可以是軟盤,可以是活動的,也可以是固定的,用于保存圖像?! f閃存卡  一種袖珍閃存卡,(compact fl
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全球半導(dǎo)體業(yè)績已“觸頂”?熱潮退卻過后該何去何從?

  • 全球半導(dǎo)體廠商的業(yè)績“觸頂”跡象正在加強。2月9日之前發(fā)布業(yè)績的韓國三星電子等8家主要廠商的2018年第四季度凈利潤合計環(huán)比下滑約3成。在中國經(jīng)濟增速放緩日趨明顯的背景下,美國蘋果公司的iPhone等智能手機銷售放緩,數(shù)據(jù)中心的建設(shè)熱潮也告一段落。
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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