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國際整流器（ir）公司 文章 最新資訊

IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。 　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導和開關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
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IR推出75V低側(cè)智能功率開關(guān) 適用于24V汽車環(huán)境

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS2051L 和 AUIPS2052G 75V 低側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) ，適用于嚴苛的 24V 汽車環(huán)境，包括卡車接線盒應用。 　　AUIPS2051L 和 AUIPS2052G 具有 70V 有源箝位，并提供全面的保護功能。這兩款器件在過溫或過流情況下可自動關(guān)閉，當再次關(guān)、開輸入后會重啟，通過連接到輸入引腳的串聯(lián)電阻提供診斷信息。此外，AUIPS205x 系列采用了 IR 的 75V 技術(shù)，使其完全滿
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IR推出高效解決方案 為DDR3內(nèi)存模塊提供動力

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase ® 芯片組，為DDR3多相位內(nèi)存應用提供全面的功率解決方案。 　　新推出的IR3522雙輸出脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器內(nèi)置了I2C接口，為DDR3 VDDQ和Vtt軌提供了全面的系統(tǒng)控制。這款器件能夠與任何數(shù)目的IR3506相位IC 連接，驅(qū)動盡可能多的相位，為任何數(shù)量的DDR3雙列直插內(nèi)存模塊 (DIMMS) 提供動力，簡化了設計，減少了電路板面積，從而節(jié)省了整
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IR推出自振蕩半橋驅(qū)動器IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIR2085S車用控制IC，適用于高中低電壓汽車驅(qū)動應用，包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、HEV輔助轉(zhuǎn)換器和電池管理轉(zhuǎn)換器。 　　AUIR2085S是一款自振蕩100V半橋驅(qū)動器IC，占空比為50%，并具備集成的軟啟動電容器，能夠在5毫秒內(nèi)將占空比從零逐漸增加到50%，從而限制啟動時的浪涌電流，并能在整個啟動過程中使高側(cè)和低側(cè)MOSFET的脈沖寬度保持一致。 　　該產(chǎn)品的半橋低側(cè)及高側(cè)脈沖在±25納秒內(nèi)匹
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IR推出新一代 XPhase雙相位IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3527 XPhase雙相位IC，為多相位節(jié)能服務器應用提供獨立的省電功能。 　　IR3527 IC能夠驅(qū)動及監(jiān)測多相位同步降壓轉(zhuǎn)換器的兩個相，從而顯著減少整體系統(tǒng)成本和整個解決方案的體積。IR3527為每個功率級提供獨立的省電功能 (PSI) ，并且具有順序相位時序功能，可用于單輸出多相位轉(zhuǎn)換器。當省電模式啟動后，功率級便會禁用其輸出，避免了開關(guān)損耗，同時通過單功率級或與其它轉(zhuǎn)換器功率級的配合來修正轉(zhuǎn)換器的操作。
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IR推出適用于汽車柵極驅(qū)動應用的器件AUIRS2016S

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅(qū)動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅(qū)動器。 　　AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側(cè)驅(qū)動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅(qū)動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側(cè)配置中驅(qū)動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
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武科大控制與信息技術(shù)研究所推出雷達天車防撞系統(tǒng)

  • 　　武漢科技大學控制與信息技術(shù)研究所近日推出了最新行車防撞雷達測距控制系統(tǒng)產(chǎn)品—WKD-IR系列。該產(chǎn)品已經(jīng)于2009年2月6日在武漢鋼鐵集團公司工業(yè)港三區(qū)的行車上進行了相關(guān)性能、參數(shù)和工作穩(wěn)定性測試。經(jīng)過現(xiàn)場的測試證明：該系統(tǒng)工作穩(wěn)定可靠、環(huán)境適應性強，尤其適用于在大粉塵、高濕度、環(huán)境溫度復雜等惡劣工作環(huán)境和雨、雪、霧等惡劣天氣情況。該系統(tǒng)人機界面友好、操作簡單，完全滿足工業(yè)現(xiàn)場的行車防撞要求?，F(xiàn)該產(chǎn)品實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)并經(jīng)由北京辦事處全權(quán)代理銷售(中文及韓文市場銷售事宜咨詢leongzhunw
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IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網(wǎng)絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 　　這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁
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IR推出150V和200V MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。 　　與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用技術(shù)的日
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IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關(guān)應用達到最佳效果。 　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導
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BAE公司開發(fā)三向無刷永磁電機的面向現(xiàn)場的控制研究

IR推出多功能IR3640M PWM控制IC

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應用，包括服務器、存儲、網(wǎng)絡通信、游戲機和通用DC-DC轉(zhuǎn)換器。 　　IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，擁有集成式MOSFET驅(qū)動器和自舉二極管。新組件的單個環(huán)路電壓式架構(gòu)簡化了設計，同時提供精確的輸出電壓調(diào)節(jié)和快速瞬變反應。 　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR364
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IR推出AUIRS2003S 200V IC

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應用，包括汽車預電充開關(guān)、步進驅(qū)動器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。 　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅(qū)動器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動器跨導降至最低，而浮動通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動一個 N 溝道功率MOSFET。
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IR推出增強型25V及30V MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。 　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。 　　新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
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