臺積電 文章 最新資訊
TSMC不會在2030年或更晚采用先進的High-NA EUV芯片制造工具 ——英特爾本周剛剛收到了其第一臺:報告
- TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV進行大規(guī)模生產(chǎn)。本周,英特爾開始收到其第一臺ASML的0.55數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻工具,它將用于學(xué)習(xí)如何使用這項技術(shù),然后在未來幾年內(nèi)將這些機器用于18A后的生產(chǎn)節(jié)點。相比之下,據(jù)中國Renaissance和SemiAnalysis的分析師表示,TSMC并不急于在不久的將來采用High-NA EUV,該公司可能要在2030年或更晚才會加入這一陣營?!芭c英特爾在轉(zhuǎn)向GAA(計劃在[20A]插入之后)后不久即開始使用High-NA
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特斯拉明年將采用臺積電3nm芯片
- 據(jù)外媒,除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達、英特爾、高通外,特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設(shè)計定案(New Tape-Outs,NTOs)。報道稱,特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明,其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據(jù)了解,臺積電N3P工藝計劃預(yù)計在2024年投產(chǎn),與N3E工藝相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。臺積電表示,N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo),以及技術(shù)成熟度,都超過了英特爾的18A工藝。
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臺積電全球化的隱憂
- 臺積電在歐洲、日本的新廠都傳來了新消息。11 月 21 日,有媒體報道臺積電考慮在熊本建造第三工廠,生產(chǎn)制程 3 納米芯片。預(yù)計相關(guān)投資額約達 200 億美元。臺積電目前正在熊本縣建設(shè)第一工廠,預(yù)計生產(chǎn) 12 納米的半導(dǎo)體等。不久前,11 月初德國聯(lián)邦反壟斷局批準(zhǔn)臺積電與德國半導(dǎo)體公司博世、英飛凌以及荷蘭半導(dǎo)體公司恩智浦成立合資公司。這標(biāo)志著臺積電在歐洲的第一座晶圓廠即將落地。作為一家代工廠,臺積電過去依靠的是規(guī)模化生產(chǎn),壓低成本,進而吸引客戶。在多年的積累中,臺積電在代工規(guī)模與代工技術(shù)兩個方面都已經(jīng)成為
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臺積電董事長劉德音計劃明年退休:或是受美國建廠影響
- 12月19日,臺積電官方宣布了一個非常突然和意外的消息:臺積電董事長劉德音將不再參加下一屆董事長提名,并于明年股東大會后退休。同時,臺積電提名現(xiàn)任CEO、副董事長魏哲家接任董事長,最終以明年6月的董事會選舉結(jié)果為準(zhǔn)。2018年6月,臺積電創(chuàng)始人張忠謀正式退休,公司開啟由劉德音任董事長、魏哲家任總裁的“雙首長制”時代。如果魏哲家未來接任董事長后,繼續(xù)身兼總裁暨CEO的話,臺積電事權(quán)的“雙首長制”時代將結(jié)束,而魏哲家也將成為臺積創(chuàng)立以來,同時身兼兩要職的第二人。值得注意的是,張忠謀86歲才退休,而劉德音自20
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臺積電董事長劉德音明年退休,董事會建議魏哲家接任
- 12 月 19 日消息,臺積電今日發(fā)布公告,劉德音董事長將不參與下屆董事提名,并將于明年股東大會后退休。從公告中獲悉,臺積電“提名及公司治理暨永續(xù)委員會”推薦副董事長魏哲家博士接任下屆董事長,并將以明年六月下屆董事會選舉結(jié)果為主。劉德音博士于 1993 年加入臺積電,并在創(chuàng)辦人張忠謀博士于 2018 年退休后接任董事長職位。在其董事長任內(nèi),劉德音博士重申公司對其使命的承諾,并著重在強化公司治理及企業(yè)競爭力,尤其是在技術(shù)領(lǐng)先、數(shù)字卓越及全球布局。臺積公司董事長劉德音博士表示:“過去三十年在臺積電
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臺積電芯片奇跡難復(fù)制 BBC揭密:其他地方找不到這批「終極武器」
- 臺積電布局海外,廣受全球矚目,外界都在關(guān)注是否可以重現(xiàn)在中國臺灣打造的芯片奇跡。但外媒報導(dǎo)指出,中國臺灣成為「芯片超級巨星」之路并不容易復(fù)制,因為中國臺灣的終極秘密武器:大批技術(shù)精湛且吃苦耐勞的工程師,顯然難以在海外尋得。全球有超過一半以上芯片都是由中國臺灣生產(chǎn)。BBC特地專訪中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先鋒、工研院院士史欽泰,試圖了解中國臺灣的成功秘訣。盡管BBC認為沒有人確切知道中國臺灣擅長芯片制造的原因,但史欽泰表示答案很簡單,「我們擁有全新的機器、最先進的設(shè)備,招募了最優(yōu)秀的工程師,就連機械操作員也都個個技
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臺積電2納米驚爆大弱點?三星搶訂單
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭,后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶,但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢,尤其三星至今在3納米方面,依然無法取得頂尖客戶的信任,三星高層也坦言,一旦臺積電在2納米轉(zhuǎn)進GAA技術(shù),三星還是得向臺積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此,三星也打算透過低價策略搶市,與臺積電做出差別。綜合外媒報導(dǎo),三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù),量產(chǎn)時間也比臺積電早數(shù)個月,但在良率與技術(shù)上無法獲得客戶青睞,蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上,臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱,希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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英特爾、三星和臺積電演示3D堆疊晶體管,三大巨頭現(xiàn)已能夠制造互補場效應(yīng)晶體管(CFET),擺脫摩爾定律的下一個目標(biāo)。
- 在本周的IEEE國際電子器件大會上,臺積電展示了他們對CFET(用于CMOS芯片的邏輯堆棧)的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結(jié)構(gòu)。在本周的舊金山IEEE國際電子器件大會上,英特爾、三星和臺積電展示了他們在晶體管下一次演變方面取得的進展。芯片公司正在從自2011年以來使用的FinFET器件結(jié)構(gòu)過渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在FinFET中,柵通過垂直硅鰭控制電流的流動。在納米片器件中,該鰭被切割成一組帶狀物,每個帶狀物都被柵包圍。 CFET
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蘋果芯片制造商首次討論高度先進的1.4納米芯片
- 2023年12月14日星期四,上午6:19,由Hartley Charlton提供,PST 臺積電(TSMC)正式提到了其1.4納米制造技術(shù),很可能將成為未來蘋果硅芯片的基礎(chǔ)。蘋果硅1特性 在其“未來邏輯”專題的幻燈片中(通過SemiAnalysis的Dylan Patel),TSMC首次披露了其1.4納米節(jié)點的官方名稱,“A14”。該公司的1.4納米技術(shù)預(yù)計將在其“N2” 2納米芯片之后推出。N2計劃于2025年底開始大規(guī)模生產(chǎn),隨后將在2026年底推出增強版“N2P”節(jié)點。因此,任何A14芯片在2
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從2D到3D:半導(dǎo)體封裝工藝與DTCO
- 前言 在馬上要過去的2023年,全球的通貨膨脹伴隨消費需求的下滑,2023年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)估將整體營收同比下滑12.5%。但是在2024年,隨著多家機構(gòu)給出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將觸底反彈的預(yù)測,整個半導(dǎo)體晶圓代工市場將迎來成長,預(yù)估明年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營收將有6.4%的增幅。而長期來看,半導(dǎo)體晶圓代工領(lǐng)域也是會總體保持增長。未來,芯片將越來越變得無處不在,價值越來越高,重要性也越來越高,在社會中逐漸變成引導(dǎo)社會變革的核心力量之一。就此臺積電中國區(qū)總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球在ICCAD2023就表示:“整個半導(dǎo)體在200
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臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn)
- IT之家 12 月 14 日消息,臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的小組研討會上透露,其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時,臺積電重申,2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產(chǎn)。圖源 Pexels根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片,臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。IT之家注意到,目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時間和具體參數(shù),但考慮到 N2 節(jié)點計劃于 2025 年底量產(chǎn),N2P 節(jié)點則定于 2
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