半導(dǎo)體 文章 最新資訊
美國要求芯片自主可控 臺積電:先給巨額補貼再考慮建廠

- 由于眾所周知的原因,國內(nèi)近年來對半導(dǎo)體芯片自主可控要求很高,希望2025年將芯片國產(chǎn)率提升到70%。在這個問題上,美國政府也一樣面臨難題,因為美國軍方很多芯片也是在國外晶圓廠生產(chǎn)的,美國現(xiàn)在也希望臺積電等公司在美國建立晶圓廠。美國不是沒有先進的晶圓廠,相反美國擁有全球最先進的半導(dǎo)體工藝,光Intel一家就足夠了,在美國亞利桑那、俄勒岡都有最先進的14nm、10nm工廠,其X86處理器性能也是最強的。AMD公司代工合作伙伴GlobalFoundries在美國紐約州也有14nm/12nm工藝的Fab 8晶圓廠
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對半導(dǎo)體行業(yè)很重要!臺工研院建議重視電子材料鏈
- 據(jù)自由時報報道,中國臺灣工研院今日表示,預(yù)期隨著5G、AIoT時代的到來,掌握電子材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及自制率的提升,將成為發(fā)展電子產(chǎn)業(yè)的競爭優(yōu)勢。據(jù)中國臺灣工研院保守統(tǒng)計,電子材料全球市場需求自2016年以來,每年規(guī)模皆超過1100億美元,且需求仍在增長中。臺灣工研院指出,雖然較終端市場規(guī)模而言,電子材料規(guī)模很小,但對當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)來說卻非常重要,尤其在貿(mào)易戰(zhàn)局勢下更加明顯。舉例來說,在日韓貿(mào)易戰(zhàn)中,電子材料就突顯著重要性。臺灣工研院還表示,無論如何,半導(dǎo)體制程都將面臨摩爾定律的瓶頸,半導(dǎo)體開始走向異質(zhì)整合
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美國要求芯片自主可控 臺積電:先給巨額補貼再考慮建廠

- 由于眾所周知的原因,國內(nèi)近年來對半導(dǎo)體芯片自主可控要求很高,希望2025年將芯片國產(chǎn)率提升到70%。在這個問題上,美國政府也一樣面臨難題,因為美國軍方很多芯片也是在國外晶圓廠生產(chǎn)的,美國現(xiàn)在也希望臺積電等公司在美國建立晶圓廠。美國不是沒有先進的晶圓廠,相反美國擁有全球最先進的半導(dǎo)體工藝,光Intel一家就足夠了,在美國亞利桑那、俄勒岡都有最先進的14nm、10nm工廠,其X86處理器性能也是最強的。AMD公司代工合作伙伴GlobalFoundries在美國紐約州也有14nm/12nm工藝的Fab 8晶圓廠
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格芯和臺積電宣布通過廣泛的專利交叉授權(quán)解決其全球爭端
- 近日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)和臺灣積體電路制造公司(臺積電)今日宣布將撤銷兩家公司相互之間的,以及涉及到任何客戶的全部訴訟。兩家公司已經(jīng)同意,就各自在全球范圍內(nèi)的現(xiàn)有半導(dǎo)體專利以及未來十年內(nèi)將要申請的專利,互相給予對方寬泛的專利有效期交叉許可。兩家公司均將持續(xù)并大量投入半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。這一決定確保了格芯和臺積電可以自由地從事各自的經(jīng)營活動,同時保證了其各自的客戶可以持續(xù)地獲得晶圓廠的完整的技術(shù)和服務(wù)。“我們很高興能夠迅速達成和解,這一和解方案也表明了我們各自的知識產(chǎn)權(quán)的優(yōu)勢。今天宣布這一
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可用于汽車的有機太陽能電池
- 在現(xiàn)在的生活中,太陽能產(chǎn)品處處可見,人們用太陽能煮飯,還有太陽能熱水器等等,無處不見太陽能產(chǎn)品,當(dāng)然,最重要的還是太陽能發(fā)電,但是目前的技術(shù)并不能讓人們很好利用太陽能發(fā)電。據(jù)外媒報道,研究人員發(fā)現(xiàn),在太陽能電池中,可利用有機分子混合物,吸收陽光并將其轉(zhuǎn)換成電能。此外,這種電池還能應(yīng)用于汽車車身等曲面。這一發(fā)現(xiàn)挑戰(zhàn)傳統(tǒng)觀念,有助于早日實現(xiàn)太陽能電池的商業(yè)化應(yīng)用。
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世界第三大半導(dǎo)體切割設(shè)備制造商以色列ADT入駐鄭州航空港
- 近日,先進微電子裝備(鄭州)有限公司全資收購以色列ADT新聞發(fā)布會在上海舉行,這標(biāo)志著先進微電子(鄭州)有限公司收購以色列ADT的工作全部完成,中國ADT公司正式成立,世界先進半導(dǎo)體切割設(shè)備制造企業(yè)以色列ADT正式入駐航空港實驗區(qū),將填補我省在該領(lǐng)域的空白。此次收購?fù)瓿珊?,新成立的ADT公司除了繼續(xù)保留以色列的研發(fā)中心和生產(chǎn)工廠,未來將在航空港實驗區(qū)建立研發(fā)和生產(chǎn)基地,同時帶動國內(nèi)相關(guān)零部件配套產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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第三代半導(dǎo)體將催生萬億元市場
- 日前,第三屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳舉行。與會專家學(xué)者認為,第三代半導(dǎo)體未來應(yīng)用潛力巨大,具備變革性的突破力量,是半導(dǎo)體以及下游電力電子、通訊等行業(yè)新一輪變革的突破口。 2018年,美國、歐盟等持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)支持力度,國際廠商積極、務(wù)實推進,商業(yè)化的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)電力電子器件新品不斷推出,性能日益提升,應(yīng)用逐漸廣泛。受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等積極因素,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展。但是,在材料指標(biāo)、器件性能等方
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利用?NI?半導(dǎo)體?測試?系統(tǒng)?(STS)?軟件?的?增強?功能,?進一步?加速?測試?程序?的?開發(fā),?提高?運營?效率
- 2019年9月12日 – 美國國家儀器(National Instruments,簡稱“NI”)是一家軟件定義平臺的提供商,其平臺有助于加速自動化測試和自動化測量系統(tǒng)的開發(fā)和性能提升,該公司于今日推出了STS軟件的最新增強功能,這些功能可顯著提升NI半導(dǎo)體測試系統(tǒng)的編程和調(diào)試體驗,并大大提高測試執(zhí)行速度、并行測試效率和整體設(shè)備效率。由于市場壓力不斷增加,半導(dǎo)體生產(chǎn)測試工程師正在力圖加快新測試程序的開發(fā)、調(diào)試和部署進程,以快速投入量產(chǎn)。對于尚未擁有測試系統(tǒng)的用戶,STS軟件2019提供了更優(yōu)化的線
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廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門中心正式成立
- 近日,珠西科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心掛牌儀式暨廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院江門中心成立大會,在江門市國家高新區(qū)火炬大廈隆重舉行。江門市委常委統(tǒng)戰(zhàn)部長歷為民、省科學(xué)院副院長李定強、江門市政協(xié)副主席任安良、江海區(qū)區(qū)長勞茂昌、江門市科技局局長馮一寧、省科學(xué)院對外合作部副主任裘鋼、省半導(dǎo)體院黨委書記彭海寧,省科學(xué)院產(chǎn)業(yè)育成中心黨委書記趙明、省工業(yè)檢測中心副主任林義民,以及江門市相關(guān)政府部門領(lǐng)導(dǎo)、企業(yè)負責(zé)人,省半導(dǎo)體院學(xué)科帶頭人、平臺負責(zé)人、科研骨干100余人參加成立大會。
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半導(dǎo)體談判失敗!韓國GDP或因此損失2.2%,那日本經(jīng)濟損失多少?
- 據(jù)報道,2019年10月13日,韓國與日本就半導(dǎo)體材料進出口一事的協(xié)商再次失敗——這意味著從2019年上半年開始的“日韓半導(dǎo)體爭端”,雖然經(jīng)過多輪協(xié)商,但一直無法解決問題。外界分析,從目前兩國的分歧來看,短期內(nèi)此事或仍將無解。韓國、日本的半導(dǎo)體之爭20多年前,全球半導(dǎo)體行業(yè)是美國企業(yè)獨大——英特爾也是全球最大半導(dǎo)體公司。此時日本和韓國都在積極進入半導(dǎo)體(俗稱芯片)行業(yè),但最終結(jié)果卻是:韓國相關(guān)企業(yè)“全面勝出”,如三星、SK海力士等,成為全球頂尖半導(dǎo)體公司。三星集團甚至最終超過了美國的英特爾,成為全球最大的
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半導(dǎo)體內(nèi)載荷子特征參數(shù)增至7個
- 科技日報北京10月14日電 (記者劉霞)半導(dǎo)體是如今這個電子時代的基礎(chǔ),但半導(dǎo)體內(nèi)的電子電荷還有很多秘密有待揭示,這限制了該領(lǐng)域的進一步發(fā)展。最近,一個國際科研團隊稱,他們在解決這些已延續(xù)140年的物理學(xué)謎題上取得重大突破。他們研制出一種新技術(shù),可獲得更多有關(guān)半導(dǎo)體內(nèi)電子電荷的信息,有望推動半導(dǎo)體領(lǐng)域的進一步發(fā)展,使我們獲得更好的光電設(shè)備等。為了真正理解半導(dǎo)體的物理性質(zhì),首先需要了解其內(nèi)部載荷子的基本特性。1879年,美國物理學(xué)家埃德溫·霍爾發(fā)現(xiàn),磁場會偏轉(zhuǎn)導(dǎo)體內(nèi)載荷子的運動,偏轉(zhuǎn)量可測為垂直于電荷流的電
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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