半導(dǎo)體文章最新資訊

Avago半導(dǎo)體申請在Nasdaq上市

　　三年前從安捷倫半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離出來的Avago公司21日周四向美國證券委員會正式填寫發(fā)行IPO的S-1表格，預(yù)計最高融資4億美元。　　Avago公司最新一個季度的盈利是每股8分錢。2007財年該公司一度注銷過高達(dá)1.58億美元的資產(chǎn)。除了光模塊業(yè)務(wù)，Avago目前還提供傳感器，LED顯示，RF器件等產(chǎn)品。
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飛兆半導(dǎo)體舉辦第六屆全球功率技術(shù)研討會

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 將于9月起舉辦第六屆全球技術(shù)研討會，每個研討會均為期一天，內(nèi)容非常豐富，將為功率設(shè)計工程師提供開發(fā)高能效應(yīng)用的設(shè)計技術(shù)、產(chǎn)品技術(shù)和行業(yè)發(fā)展趨勢信息。　　2008 至 2009年度功率技術(shù)研討會的技術(shù)主題包括：　　通過修正的正弦脈寬調(diào)制 (PWM) 減小 BLDC 紋波扭矩　　PQFN封裝的板級評測　　不對稱半橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計考慮事項. 　　高能效低待機(jī)功耗的輔助電源設(shè)計　　從電源到變壓器. 　　在低輸出電壓的直流
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張忠謀：暫無意在內(nèi)地設(shè)12英寸晶圓廠

　　據(jù)臺灣媒體報道，臺積電董事長張忠謀昨日表示，全球經(jīng)濟(jì)不景氣，今年發(fā)展情況會比去年差很多，在大環(huán)境不好下，臺積電已二度下調(diào)今年全球半導(dǎo)體市場增長率到4%，目前也無意申請在內(nèi)地設(shè)立12英寸晶圓廠。　　張忠謀是在出席海基會董監(jiān)事會議后，被媒體追問對全球經(jīng)濟(jì)的看法時，做出上述表示的。他指出，受到美國次貸風(fēng)暴影響，全球經(jīng)濟(jì)、股市去年以來開始出現(xiàn)疲弱跡象。　　早前，臺積電已將今年全球半導(dǎo)體市場增長率從5%下調(diào)到4%，這也是臺積電今年內(nèi)第二次下調(diào)行業(yè)預(yù)測。　　張忠謀說，目前大環(huán)境不好，在看不見市場需求下
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日本對現(xiàn)代半導(dǎo)體征收反補貼關(guān)稅降為9.1%

　　當(dāng)?shù)貢r間本周五，路透社披露消息稱，日本計劃削減韓國儲存芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體在日本銷售DRAM芯片征收反補貼關(guān)稅。　　媒體援引日本經(jīng)濟(jì)、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報道說，日本收取的進(jìn)口反補貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。　　數(shù)年來，美國、歐盟和日本以儲存芯片競爭者提出抱怨為理由，對現(xiàn)代半導(dǎo)體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體提供了不公平的補貼，制約了市場的公平競爭。　　今年三月，歐盟委員會正式采納了一項決定，取消進(jìn)口現(xiàn)代半導(dǎo)體DRAM儲存芯片的反補貼關(guān)
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此消彼長全球半導(dǎo)體投資格局風(fēng)移亞洲

　　受半導(dǎo)體銷售增長放緩的影響，全球半導(dǎo)體投資緊縮。　　據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)的消息，由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，預(yù)計2008年半導(dǎo)體銷售增長放緩，但整體半導(dǎo)體銷售額將在2011年以前保持強勁增長。　　市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場拖累，預(yù)計2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29。Gartner還稱，預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)備制造開支將減
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安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求，擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證，且工作溫度范圍極寬，并且高度結(jié)合板載功能，典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。　　安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池，提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流，具有板載保護(hù)功能，并具有上電復(fù)位和延遲時間選擇功
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半導(dǎo)體特征循環(huán)與可重構(gòu)芯片

　　1 引言　　1965 年，摩爾用三個集成電路產(chǎn)品集成度隨時間的增長數(shù)據(jù)，外加1959 年的晶體管（集成度為1）和1965 年預(yù)計可推出的實驗室產(chǎn)品（有64 個元件），用半對數(shù)坐標(biāo)，外插預(yù)測到十年后集成電路的集成度將達(dá)到65,000 個元件。1975 年預(yù)測成真，隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來，“摩爾定律”作為半導(dǎo)體發(fā)展的指南針對整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。由此我們可以體會到總結(jié)規(guī)律、預(yù)測發(fā)展的重要意義。半導(dǎo)體產(chǎn)品是半導(dǎo)體技術(shù)的載體，也是半導(dǎo)體
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安森美推出極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求，擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證，且工作溫度范圍極寬，并且高度結(jié)合板載功能，典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 μA。　　安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池，提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流，具有板載保護(hù)功能，并具有上電復(fù)位和延遲時間選擇功能的器件。汽車系統(tǒng)電源模塊
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HOLTEK推出八位Dual Slope A/D型微控制器

　　HT46R72D-1A與HT46R73D-1A是HOLTEK半導(dǎo)體新推出的Dual Slope A/D Type 8-Bit OTP MCU，其符合工業(yè)規(guī)格，同時具有OTP Partial Lock功能，再配合豐富及多樣化的功能，特別適用于電橋式傳感器的量測系統(tǒng)，可用來量測壓力、溫度、濕度變化的產(chǎn)品，如：體重計、壓力計、溫度計、濕度計、胎壓計等。　　HT46R72D-1A與HT46R73D-1A規(guī)格包含有2K與4K OTP ROM程序內(nèi)存、96 Byte數(shù)據(jù)存儲器 (RAM)、16-bit Tim
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HOLTEK推出HT82A836R USB Audio控制芯片

　　HOLTEK半導(dǎo)體新推出USB Audio的高整合型單芯片 - HT82A836R，本產(chǎn)品主要特色除整合USB音效、Audio Codec及高功率放大器外，更結(jié)合嵌入式微控制器，并以單次燒錄 (One Time Programming; OTP) 的只讀存儲器 (Read Only Memory; ROM)，做為微控制器的程序內(nèi)存 (Program Memory) 核心，提供非常便利的設(shè)計及生產(chǎn)制造平臺，并以保有設(shè)計的靈活性，使用者可快速因應(yīng)各種應(yīng)用的延伸。　　HT82A836R在芯片硬件的配置上
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)大全球分銷代理產(chǎn)品陣容

　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前宣布，因收購AMI半導(dǎo)體而得到的廣泛專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)系列，如今已透過全球認(rèn)可分銷代理商網(wǎng)絡(luò)提供給客戶，這些ASSP涵蓋汽車、醫(yī)療和工業(yè)等應(yīng)用，包括收發(fā)器、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器、數(shù)字信號處理器(DSP)系統(tǒng)、超低功耗(ULP)存儲器、以太網(wǎng)供電(PoE)電源器件、驅(qū)動器、時鐘和圖像傳感器等產(chǎn)品。　　安森美半導(dǎo)體全球渠道銷售副總裁Jeff Thomson說："我們非常高興納入這些新產(chǎn)品，經(jīng)我們的全球分銷代理商渠道推出。我們的全球代理商網(wǎng)絡(luò)
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達(dá)75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導(dǎo)體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達(dá)內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達(dá)14.2億美元，占當(dāng)季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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“會”聚產(chǎn)業(yè)精英，共舞手機(jī)中國制造風(fēng)

　　2007年，中國手機(jī)制造量為5.48億部，占到全球手機(jī)產(chǎn)量的52%！并首次突破50％的份額，2008年第一季度，中國手機(jī)生產(chǎn)量達(dá)1.4128億部，較去年同期增長6.7%！目前在中國已經(jīng)形成了涵蓋手機(jī)芯片開發(fā)、手機(jī)設(shè)計、手機(jī)制造、手機(jī)銷售等各個環(huán)節(jié)的完整手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈，中國制造的手機(jī)正以前所未有的廣度和深度沖擊著全球市場！在中國手機(jī)弄潮全球的大軍中，高交會電子展手機(jī)制造等相關(guān)主題活動發(fā)揮了獨特而重要的作用！　　“會”聚產(chǎn)業(yè)精英　　據(jù)權(quán)威數(shù)據(jù)統(tǒng)計：2006年，深圳手機(jī)年產(chǎn)量、銷
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AMD售德國8英寸廠設(shè)備：俄羅斯企業(yè)接手

　　力圖擺脫債務(wù)壓力、走出連續(xù)虧損泥淖的AMD，似乎已開始執(zhí)行董事長魯毅智的“輕資產(chǎn)”戰(zhàn)略。　　昨日，外電稱，AMD已將其位于德國德累斯頓的一座工廠的設(shè)備與技術(shù)出售給俄羅斯半導(dǎo)體企業(yè)Angstrem。《第一財經(jīng)日報》了解到，這座工廠代號為Fab30，是AMD公司旗下技術(shù)較為陳舊的一家工廠，使用的是90納米工藝生產(chǎn)8英寸半導(dǎo)體。據(jù)悉，Angstrem將利用上述設(shè)備與技術(shù)在莫斯科郊外Zelenograd興建一座新工廠，2009年底正式投產(chǎn)。　　AMD發(fā)言人Karin Rath確
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對我國集成電路產(chǎn)業(yè)新政策的期待和建議

　　縱觀中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，主要可分成4個階段：一是上世紀(jì)80年代的4項優(yōu)惠政策，二是上世紀(jì)90年代的“908”、“909”重大工程專項，三是2000年頒布的國發(fā)18號文，四是目前的“十一五”發(fā)展規(guī)劃。應(yīng)該說，國發(fā)18號文和2001年的國辦51號函、2002年的財稅70號文等確實推動了我國軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，這些政策沒有顧及半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)和集成電路封裝業(yè)、支撐業(yè)，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈前后脫節(jié)。　　
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]