半導(dǎo)體 文章 最新資訊
EUV:終極的曝光技術(shù)
- 面向超越22nm工藝的最尖端半導(dǎo)體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長的新一代曝光技術(shù)EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實現(xiàn)了半導(dǎo)體的極小線寬,因而被稱為“終極的曝光技術(shù)”。另一方面,與現(xiàn)有的曝光技術(shù)相比,用于批量生產(chǎn)的技術(shù)壁壘非常高,所以至今為止仍無法擺脫“夢幻”技術(shù)的色彩。與以往的曝光技術(shù)相比,其技術(shù)壁壘之高主要體現(xiàn)在光源波長非常小上。
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備破冰
- 半導(dǎo)體工藝裝備是一個非常復(fù)雜的系統(tǒng)。多年來,中國半導(dǎo)體行業(yè)所需設(shè)備幾乎全部依賴進口。近20年來,中國半導(dǎo)體行業(yè)的強勁發(fā)展不僅沒有拉動中國半導(dǎo)體裝備的發(fā)展,反而由于引進的沖擊使中國的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)瀕臨全軍覆沒。 隨著中國近年來集成電路、光伏、LED、FPD產(chǎn)業(yè)與國際先進水平差距的縮小,相關(guān)的配套材料、零備件、工藝設(shè)備、維護服務(wù)等支撐行業(yè)迎來了千載難逢的發(fā)展機遇。國家重大科技專項的實施,大大增強了中國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的整體競爭能力。
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我國政府對半導(dǎo)體行業(yè)支持力度加大
- 據(jù)《上海證券報》10月28日報道,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會表示,“十二五”期間,我國半導(dǎo)體行業(yè)的投資有望超過2700億元,較“十一五”增加1倍。 報道稱,該協(xié)會人士表示,我國將繼續(xù)通過“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”支持集成電路產(chǎn)業(yè),且支持力度還將加大。在政府的全方位扶持下,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來一個“黃金時期”,龍頭上市公司有望被培育成具有國際競爭力的企業(yè)。
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未來半導(dǎo)體景氣指數(shù)或超預(yù)期
- IC封測龍頭廠硅品董事長林文伯認為,半導(dǎo)體景氣在第四季以及明年第一季可能會比預(yù)期來的好,隨時都有反轉(zhuǎn)向上的可能,而明年也將呈現(xiàn)穩(wěn)定成長,硅品的成長幅度更將會優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。 林文伯表示,根據(jù)國際Fabless大廠對于第四季的營收展望,落在-12%到8%之間,至于國內(nèi)前15大Fabless廠第三季的營收季減6%,進入第四季之后,開始出現(xiàn)調(diào)降庫存的動作,也降低封測外包的訂單,不過觀察系統(tǒng)廠商包括蘋果、諾基亞、英特爾對于第四季展望都相對樂觀。
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中國集成電路產(chǎn)業(yè)將迎來大發(fā)展
- 2000年6月,國務(wù)院發(fā)布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(國發(fā)18號文),在國務(wù)院“18號文”政策的鼓舞下,各地相繼制定本地區(qū)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的配套優(yōu)惠政策,積極改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境。在中央和地方政策引導(dǎo)下,國內(nèi)掀起了一股集成電路投資熱,我國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入了快速發(fā)展時期。據(jù)不完全統(tǒng)計,從2000年到2007年,投入資金超過290億美元。這一投資額是我國集成電路產(chǎn)業(yè)2000年以前30多年間投資總和的9倍。
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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