半導(dǎo)體 文章 最新資訊
英特爾第三季度凈利潤34.68億美元同比增17%
- 北京時(shí)間10月19日凌晨消息,英特爾今天公布了2011財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,英特爾第三季度凈營收為142億美元,比去年同期的111億美元增長28%;凈利潤為34.68億美元,比去年同期的29.55億美元增長17%。英特爾第三季度業(yè)績超出華爾街分析師預(yù)期,推動(dòng)其盤后股價(jià)小幅上漲不到1%。 在截至10月1日的這一財(cái)季,英特爾的凈利潤為34.68億美元,每股收益65美分,這一業(yè)績好于去年同期。2010財(cái)年第三季度,英特爾的凈利潤為29.55億美元,每股收益52美分。英特爾第三季度運(yùn)營利潤為47.
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微型基地臺(tái)半導(dǎo)體市場規(guī)??蛇_(dá)13億美元
- 市場研究機(jī)構(gòu) Mobile Experts 預(yù)測,毫微微蜂巢式基地臺(tái)(femtocell)、微微蜂巢式基地臺(tái)(picocell)等裝置應(yīng)用的半導(dǎo)體市場規(guī)模,將在2016年成長為2011年的十倍,達(dá)到13億美元規(guī)模。該機(jī)構(gòu)表示,此半導(dǎo)體市場包括多核心處理器、收發(fā)器、放大器、濾波器與溫度補(bǔ)償型振蕩器(TCXO),每年皆可取得50%以上的成長率。 「包括處理器、功率放大器等半導(dǎo)體組件的平均銷售價(jià)格(ASP)將在接下來幾年持續(xù)成長,主因是高帶寬、電信等級(jí)(carrier-class)的微型基地臺(tái)設(shè)備需求
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Microsemi宣布成功完成收購Zarlink半導(dǎo)體公司
- 美高森美公司宣布成功完成收購Zarlink半導(dǎo)體公司 。加拿大英屬哥倫比亞省無限公司0916753號(hào) (0916753 B.C. ULC, 美高森美間接全資控股子公司) 已經(jīng)完成此要約收購,將于今天獲得123,438,737股Zarlink股份,約占Zarlink流通股的96%,以及本金為54,417,000 加元的Zarlink可轉(zhuǎn)換債券,約占其流通債券的87%。美高森美成功完成這一收購,將于今天接管Zarlink半導(dǎo)體的董事會(huì)和運(yùn)營。根據(jù)加拿大商業(yè)公司法(Canada Business Corpo
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羅姆推出業(yè)內(nèi)頂級(jí)34mΩ的低導(dǎo)通電阻
- 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場,開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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羅姆開發(fā)出業(yè)內(nèi)最小尺寸的一體封裝電源模塊
- 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)日前開發(fā)出集電容和電感等電源所需的零部件于一體的超小型電源模塊“BZ6A系列”。作為插件產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最小尺寸※(2.3mm x 2.9mmx 1mm),為日益小型化的移動(dòng)設(shè)備的高密度封裝作出了巨大貢獻(xiàn)。本產(chǎn)品計(jì)劃在羅姆株式會(huì)社的總部(京都)生產(chǎn),并于10月份開始提供樣品,12月份起以月產(chǎn)50萬個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。 &n
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Microsemi宣布成功完成收購Zarlink半導(dǎo)體公司
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,) 宣布成功完成收購Zarlink半導(dǎo)體公司(Zarlink Semiconductor Inc.) 。加拿大英屬哥倫比亞省無限公司0916753號(hào) (0916753 B.C. ULC, 美高森美間接全資控股子公司) 已經(jīng)完成此要約收購,將于今天獲得123,438,737股Zarlink股份,約占Zarlink流通股的96%,以及本金為54,417,000 加元的Zarlink
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半導(dǎo)體技術(shù)助力戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 2011年9月—經(jīng)過中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)五屆二次常務(wù)理事會(huì)會(huì)議決定“第九屆中國半導(dǎo)體國際博覽會(huì)暨高峰論壇”(IC China 2011)在上海舉辦。本屆展會(huì)由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)共同主辦,由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)電子信息行業(yè)分會(huì)、上海市浦東新區(qū)人民政府、上海市張江高科技園區(qū)管理委員會(huì)、上海張江(集團(tuán))有限公司、上海集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、蘇州集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、世博集團(tuán)上海工業(yè)商務(wù)展覽有限公司承辦,展覽地點(diǎn)在上海世博展覽館1號(hào)館。
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半導(dǎo)體 介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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