半導(dǎo)體文章最新資訊

高效，創(chuàng)新，R&S全面的電子和半導(dǎo)體測試平臺

　　IIC-China電子工程盛會將于2014年9月2-5日在深圳會展中心舉辦。IIC-China在 2014 年踏入第 19 個年頭，展期延長至四天，并與全球最具規(guī)模的光電展- — 第 16 屆中國國際光電博覽會同期同場舉行，展示涉及消費電子、電腦及外圍設(shè)備、通信、工業(yè)控制及安全裝置、汽車電子、醫(yī)療、測試與測量、航空航海、軍用設(shè)備、元器件、EDA/IP/IC設(shè)計、傳感/MEMS、射頻/微波、控制/MCU、接口/總線、電源/新能源、光電及顯示、制造/封裝、嵌入式設(shè)計、EMI等。　　羅德與施
關(guān)鍵字：羅德與施瓦茨 MEMS 半導(dǎo)體

世界DRAM市場企穩(wěn)

　　原先DRAM在半導(dǎo)體產(chǎn)品中最是動蕩不定，令人難以捉摸。可通過近年的整合，世界DRAM市場企穩(wěn)：所存DRAM廠商已為數(shù)不多，如今三星、SK Hynix和Micron已成三巨頭鼎立之勢，且對DRAM都已不再有幾十億美元的大規(guī)模建設(shè)投資;產(chǎn)品應(yīng)用從PC獨大擴展到了智能手機、平板電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、車用電子等方方面面，增加了需求，(特別是移動DRAM)提高了價格;DRAM平均單價呈上升態(tài)勢。據(jù)市調(diào)公司IC Insights最近報告，2013年的DRAM平均單價幾乎月月上揚，2014年2月的售價為3.19美元，創(chuàng)2
關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體 201408

先進半導(dǎo)體銷售大增四成

　　每年第二、三季均為半導(dǎo)體行業(yè)旺季，先進半導(dǎo)體(03355)的情況亦不例外，總裁兼執(zhí)行董事王慶宇表示，第二季集團銷售大升近四成，而第三季訂單亦表現(xiàn)強勁，但未有透露詳情。他又說，目前內(nèi)地市場佔集團收入僅20%，深信未來發(fā)展?jié)摿薮螅瑢⒅铝訌娂夹g(shù)及設(shè)計服務(wù)能力，加大對服務(wù)平臺的投資，吸引更多內(nèi)地客戶使用集團產(chǎn)品。　　王慶宇表示，全球半導(dǎo)體市場已經(jīng)在今年上半年展現(xiàn)出正增長，并有望在未來幾個月內(nèi)保持成長的勢頭，主要得益于全球宏觀經(jīng)濟環(huán)境的改善。鑒于集團的業(yè)務(wù)極易受經(jīng)濟狀況、國際市場和半導(dǎo)體行業(yè)高周期性變化
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全球半導(dǎo)體廠勁飆資本支出

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價格走揚。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場，1
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半導(dǎo)體一到五月產(chǎn)值達6000億元

　　行動裝置熱銷，激勵今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)值噴發(fā)達6,003億元，創(chuàng)歷年同期新高。展望未來，經(jīng)濟部統(tǒng)計處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統(tǒng)旺季，應(yīng)能延續(xù)暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。　　經(jīng)濟部統(tǒng)計處昨(5)日公布今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，集成電路與半導(dǎo)體封測為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大主軸，合計兩者產(chǎn)值占整體逾九成，兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng)歷史同期新高，推升半導(dǎo)體產(chǎn)值續(xù)創(chuàng)新高。　　楊貴顯說，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值增速已達二位數(shù)成長，今年1至5月成長動能延續(xù)，上升至14.2%，凸顯半導(dǎo)體榮景
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半導(dǎo)體廠商資本支出戰(zhàn)爭愈演愈烈

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價格走揚。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場
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臺灣半導(dǎo)體前五月產(chǎn)值新高

　　行動裝置熱銷，激勵今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)值噴發(fā)達6,003億元，創(chuàng)歷年同期新高。展望未來，經(jīng)濟部統(tǒng)計處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統(tǒng)旺季，應(yīng)能延續(xù)暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。　　經(jīng)濟部統(tǒng)計處昨(5)日公布今年1至5月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，集成電路與半導(dǎo)體封測為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩大主軸，合計兩者產(chǎn)值占整體逾九成，兩者今年1至5月產(chǎn)值皆創(chuàng)歷史同期新高，推升半導(dǎo)體產(chǎn)值續(xù)創(chuàng)新高。　　楊貴顯說，去年半導(dǎo)體產(chǎn)值增速已達二位數(shù)成長，今年1至5月成長動能延續(xù)，上升至14.2%，凸顯半導(dǎo)體榮景
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機遇之IGBT產(chǎn)業(yè)

IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢，是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應(yīng)用的發(fā)展，在電力領(lǐng)域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統(tǒng)和新興領(lǐng)域，市場前景廣闊。
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半導(dǎo)體與DRAM產(chǎn)值同步創(chuàng)史上新高

　　以智慧型手機為首的行動裝置全球熱賣，帶動今年前5月半導(dǎo)體產(chǎn)值創(chuàng)下史上新高，達6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價量齊揚，以產(chǎn)值615億元也創(chuàng)下歷史新高，一口氣較去年同期成長56.9%。　　半導(dǎo)體是臺灣重要的外銷產(chǎn)業(yè)之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對馬來西亞及菲律賓的出口成長最快速。　　經(jīng)濟部今天公布上述臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值的統(tǒng)計結(jié)果。更進一步看，其中以積體電路業(yè)產(chǎn)值3916億元占65%為最大宗，半導(dǎo)體封裝及測試業(yè)產(chǎn)值1647億元占27%居次，2者合占逾9
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半導(dǎo)體新潮流全球爭研發(fā)碳化硅芯片

　　日經(jīng)新聞報導(dǎo)指出，鑒于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起碳化硅晶片潮流，日本電子業(yè)亦積極發(fā)展碳化硅晶片科技，并已運用于多項領(lǐng)域。預(yù)估日本國內(nèi)電力半導(dǎo)體市場年產(chǎn)值可達約3000億日圓(28.8億美元)至4000億日圓間，碳化硅晶片市場料將上看100億日圓。除日本外，美國、歐洲國家也將碳化硅晶片視為重要趨勢，并推行相關(guān)國家計劃。另外南韓、臺灣晶圓大廠亦積極擴展至相關(guān)領(lǐng)域。
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SK海力士擴大HBM供應(yīng)量搶占次世代半導(dǎo)體市場

　　2014年上半SK海力士(SKHynix)業(yè)績告捷，在次世代存儲器技術(shù)競爭中也占據(jù)優(yōu)勢，未來可望帶動版圖變化。　　SK海力士的次世代存儲器獲全球系統(tǒng)芯片業(yè)者搭載在2016年以后上市產(chǎn)品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優(yōu)勢。　　據(jù)韓國每日經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優(yōu)先供應(yīng)給AMD、NVIDIA等全球性系統(tǒng)芯片業(yè)者，搭載于次世代產(chǎn)品中進行測試。　　SK
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全球半導(dǎo)體廠勁飆資本支出芯片價格上揚

　　2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)好年冬，各廠紛紛調(diào)升資本支出，半導(dǎo)體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調(diào)升資本支出，晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)未來一年內(nèi)也是供需健康，芯片價格走揚。　　晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰(zhàn)局越來越激烈，28納米產(chǎn)能吃緊，20納米制程加入戰(zhàn)場
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悼念：半導(dǎo)體科學(xué)奠基人之一中科院院士王守武先生逝世

　　近日綜合媒體報道：我國著名半導(dǎo)體器件物理學(xué)家、中國半導(dǎo)體科學(xué)奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫(yī)治無效，7月30日在美國逝世，享年95歲。　　據(jù)了解，王守武先生曾組織領(lǐng)導(dǎo)并親自參加了我國第一臺單晶爐的設(shè)計、第一根鍺單晶的拉制、第一只鍺晶體管的研制和第一根硅單晶的拉制。1980年當(dāng)選為中科院院士。
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有研新材今日復(fù)牌 LED熒光粉盈利大增長

　　8月1日晚間，有研新材公告，公司擬將硅板塊全部資產(chǎn)和負(fù)債剝離給控股股東有研總院，后者以現(xiàn)金支付對價，交易價初步確定為約8.8億元。同時公司股票將于8月4日起復(fù)牌。　　有研新材剝離的硅板塊資產(chǎn)包括三部分：一是有研新材直接持有的硅板塊全部資產(chǎn);二是有研新材持有的國泰公司69.57%股權(quán);三是全資子公司國晶公司持有的國泰公司30.43%股權(quán)。重組后，公司將集中精力發(fā)展具有更強競爭力的稀土材料、高純/超高純金屬材料和光電材料等先進功能材料業(yè)務(wù)。同時，交易所得現(xiàn)金也為公司未來在新材料領(lǐng)域進一步發(fā)展提供了
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

　　IGBT 　　是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]