半導體文章最新資訊

芯片業(yè)需要新的業(yè)務模式

在經(jīng)過半世紀的持續(xù)成長與創(chuàng)新后，半導體銷售與利潤在消費趨勢、市場動能與創(chuàng)新步伐等方面開始明顯放緩。如果這個產(chǎn)業(yè)正逐漸失去其原有的魔力，那么由此所導致的一連串整并也留下了許多驚嘆號。
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中國新5年規(guī)劃強攻半導體

　　中國政府“十三五”(二○一六至二○年)規(guī)劃草案，透露蛻變成“科技”及“網(wǎng)路”強權(quán)的野心，經(jīng)濟發(fā)展目標包括半導體等先進產(chǎn)業(yè) 及在晶片材料、機器人、航空設備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，擬運用“互聯(lián)網(wǎng)+”政策來振興疲弱的經(jīng)濟成長，且相關(guān)研發(fā)經(jīng)費將達GDP的二.五%，高于前五年的二.一%。　　中國政府“十三五規(guī)劃草案，經(jīng)濟發(fā)展目標包括半導體等先進產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機器人、航空設備和衛(wèi)星的次世代
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半導體業(yè)未來：臺灣隊如何打進國際杯？

無論是“臺灣隊”或“大陸隊”，都是以國家力量介入產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但產(chǎn)業(yè)興衰基本上是受市場力量支配，政府介入要獲致成功，還須視客觀條件能否配合。
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中科大半導體量子芯片開發(fā)取得重要進展

　　近日，中國科學技術(shù)大學郭光燦院士領(lǐng)導的中科院量子信息重點實驗室郭國平研究組在量子芯片開發(fā)領(lǐng)域取得一項重要進展，首次在砷化鎵半導體量子芯片中成功實現(xiàn)了量子相干特性好、操控速度快、可控性強的電控新型編碼量子比特。成果發(fā)表在國際權(quán)威物理學雜志《物理評論快報》上。　　芯片是現(xiàn)代計算機的核心，“量子芯片”則是未來量子計算機的“大腦”。郭國平研究組多年來致力于半導體量子芯片的開發(fā)，他們此次利用半導體量子點多電子態(tài)軌道的非對稱特性，首次在砷化鎵半導體系統(tǒng)中實現(xiàn)軌道
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韓半導體芯片產(chǎn)量落后臺灣漸失霸主地位

　　據(jù)韓聯(lián)社3月2日報道，美國著名半導體市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights2日宣布的2015年12月環(huán)球重要國度和地域半導體芯片產(chǎn)量視察浮現(xiàn)，中國臺灣地域半導體芯片產(chǎn)量市場占據(jù)率達21.7%，位居榜首，以1.2%的薄弱差距領(lǐng)先韓國?！　≈档靡惶岬氖侵袊_灣地域的半導體晶片產(chǎn)量在2011年橫跨日本后，時隔4年又趕超韓國。臺灣半導體工業(yè)生長郁勃的緣故起因之一是以臺灣積體為首的半導體代工企業(yè)的活潑?！　≈袊_灣和日本的主打產(chǎn)物為200mm晶圓芯片，韓國則是最大的300mm新型晶圓芯片出產(chǎn)國。連年來，半
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臺灣廠商半導體產(chǎn)能超越韓國成為全球第一

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告，臺灣廠商在2015年取代韓國同業(yè)，成為半導體晶圓廠產(chǎn)能全球第一;總計臺灣半導體廠商產(chǎn)能佔據(jù)全球總產(chǎn)能21.5%，高出韓國的20.5%。　　IC Insights的統(tǒng)計是將各家晶片製造商位于海外據(jù)點的產(chǎn)能也計算在內(nèi);該機構(gòu)指出，以區(qū)域市場來看，2015年亞洲、北美、與歐洲對全球半導體產(chǎn)能的貢獻度與上一年度相較略有下滑，但其他區(qū)域包括新加坡、以色列與馬來西亞則有些微增加?！　≡?015年，臺灣、韓國、日本與中國半導體業(yè)者佔據(jù)全球半導體總
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半導體二極管參數(shù)常用符號及其意義

　　文章介紹了半導體二極管參數(shù)符號及其意義　　CT---勢壘電容　　Cj---結(jié)(極間)電容，表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容　　Cjv---偏壓結(jié)電容　　Co---零偏壓電容　　Cjo---零偏壓結(jié)電容　　Cjo/Cjn---結(jié)電容變化　　Cs---管殼電容或封裝電容　　Ct---總電容　　CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比　　CTC---電容溫度系數(shù)　　Cvn---標稱電容　　IF---正向直流電流(正向測試電流)。鍺檢波二
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運用材料工程解決半導體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)

　　今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。　　由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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2015年南韓半導體出口629億美元續(xù)創(chuàng)新高

　　2015年南韓半導體出口金額自2014年626億美元增加3億美元至629億美元，連續(xù)2年創(chuàng)新高，然因進口金額自365億美元增加18億美元至383 億美元，在進口增加金額大于出口增加金額的情況下，南韓半導體順差金額由261億美元減少至246億美元，DIGITIMES Research觀察，2016年南韓存在DRAM等記憶體價格不易止跌回穩(wěn)，及三星電子(Samsung Electronics)面臨臺積電搶攻蘋果(Apple)應用處理器(Application Processor;AP)代工訂單等考驗，將使
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中芯國際：半導體龍頭助力“中國芯”崛起

　　如今，中國已經(jīng)成為全球最大的智能手機制造國和市場。雖然，作為手機最核心部件的芯片，特別是最具盈利能力的中高端芯片，始終掌握在少數(shù)海外企業(yè)手中，但值得欣慰的是，依托中國龐大的市場和小步快走的加速度，以中芯國際為代表的半導體制造巨頭已經(jīng)開始在市場上嶄露頭角，成為代表中國半導體行業(yè)崛起的一只領(lǐng)頭羊。　　打造中國內(nèi)地最大集成電路晶圓制造企業(yè) 　　集成電路產(chǎn)業(yè)總體上分為設計、制造、封裝測試三大部分。其中在制造環(huán)節(jié)，外資跨國公司一直占據(jù)領(lǐng)先地位，十多年前，中國內(nèi)地在這一領(lǐng)域可謂一片空白。　　2000年4
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中國打造半導體大國的收購煩惱

　　月24日，中國紫光集團發(fā)布公告放棄入股美國西部數(shù)據(jù)(WD)。原因為美國當局介入審查。這是又一起因美國當局審查導致的中資企業(yè)并購失敗案例。　　紫光在2015年9月曾與西部數(shù)據(jù)達成協(xié)定，出資38億美元獲得西部數(shù)據(jù)15%的股份。但是，紫光稱在23日接到了美國外國投資委員會(CFIUS)介入調(diào)查的通知。　　提交西部數(shù)據(jù)參與構(gòu)建了美國政府和企業(yè)的信息系統(tǒng)，有可能會被美國當局在事實上拒絕中國資本參與經(jīng)營。在紫光與西部數(shù)據(jù)在合同中約定，如果美國外國投資委員會介入調(diào)查就可以終止合同，因此紫光決定中止入股。
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2016年哪些物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和方案會帶來驚喜？

　　未來幾年是物聯(lián)網(wǎng)沖向爆發(fā)的重要年份，你所擁有的一切設備，以及幾乎你能夠想到的任何事物，都將連接到在物聯(lián)網(wǎng)上。Gartner這張技術(shù)成熟度曲線圖說明了這一切，IoT的發(fā)展速度可能比預期的還要快!　　　　Gartner還預測，今年全球使用中的物聯(lián)網(wǎng)設備將達到64億，比去年增加30%。到2020年實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的事物數(shù)量將增長逾3倍，達到近210億。另據(jù)CB Insights統(tǒng)計，過去六年中，迅速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域吸引了近75億美元投資，發(fā)生近900起交易。201
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半導體業(yè)進入成熟期，2016 年資本投資預估成長減緩

　　IC Insight 最新報告指出，全球半導體資本投資繼 2015 年衰退 1%后，預期今年復蘇力道也不明顯，幅度可能介于 1-5% 之間。　　其實，2015 年半導體投資出現(xiàn)衰退相當不尋常，由于與歷史軌跡有明顯落差，IC Insight 報告認為，這可能為半導體業(yè)發(fā)展趨近成熟的訊號。　　過去 33 年來，半導體業(yè)資本投資共曾經(jīng)歷 6 次衰退，時間 1-2 年不等，但走出衰退后，第二年支出成長幅度均遠勝于第一年，只有 2010-2011 年是例外。　　最近一次半導體資本投資衰退發(fā)生在 20
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中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片

未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢，產(chǎn)品應用也有機會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品，向下延伸至消費性產(chǎn)品，這也是下一波國內(nèi)半導體的焦點。
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韓廠欲擺脫大陸半導體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

　　大陸半導體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。　　大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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半導體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]