首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 其他ic／制程

其他ic／制程 文章 最新資訊

c制程漸成熟 有助3C產(chǎn)品微縮設(shè)計(jì)

  • 　　行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計(jì)，目前相關(guān)設(shè)計(jì)多使用整合晶片減少元件用量，對(duì)于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì)造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計(jì)… 　　矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級(jí)、改善的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，以往透過(guò)SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對(duì)于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來(lái)越高，
  • 關(guān)鍵字： 3D  制程  矽穿孔  

臺(tái)積電新制程 攻行動(dòng)穿戴

  • 　　就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS影像傳感器、指紋辨識(shí)元件、微機(jī)電及光感測(cè)元件等，都是臺(tái)積電未來(lái)2～3年的布局重點(diǎn)。 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀在上周法說(shuō)會(huì)中，特別提及特殊技術(shù)重要性，因?yàn)樾袆?dòng)裝置及智能穿戴裝置的ARM架構(gòu)核心處理器芯片，會(huì)大量用到28納米以下先進(jìn)制程，但其它的類比或感測(cè)芯片同樣重要，而這些芯片雖不需應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  制程  NFC  

ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

  • 　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
  • 關(guān)鍵字： ARM  制程  14nm  

LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

  • 在LED制程中，藍(lán)寶石基板雖然受到來(lái)自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢(shì)，可以預(yù)見(jiàn)接下來(lái)藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石，因此對(duì)它進(jìn)行
  • 關(guān)鍵字： LED  基板  芯片  制程    

左擁臺(tái)積右抱GF　ARM忙擴(kuò)事業(yè)版圖

  • 　　繼日前與臺(tái)積電延伸合作至20奈米(nm)以下制程，安謀國(guó)際(ARM)再于14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推采用格羅方德20奈米制程與鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的ARM核心系統(tǒng)單晶片(SoC)，并攜手發(fā)展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
  • 關(guān)鍵字： ARM  制程  晶體  

中芯國(guó)際：2013年中28nm工藝基本完成

  • ?????????? 問(wèn):作為中國(guó)本土的旗艦型制造企業(yè)，您認(rèn)為中國(guó)制造型企業(yè)，應(yīng)該如何用創(chuàng)新去應(yīng)對(duì)調(diào)整？如何走特色發(fā)展的道路？ ? 答：首先從工藝方面來(lái)看，這15年是非常特殊的時(shí)期，發(fā)展速度很快。我記得我們?cè)谧?0nm的時(shí)候，我們就有一種想法，覺(jué)得做到40、45nm的時(shí)候就差不多了，不過(guò)后來(lái)又發(fā)現(xiàn)還在演進(jìn)。所以我相信，尤其我們年輕一代，用創(chuàng)新精神會(huì)繼續(xù)往下做。 ??
  • 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際  工藝  制程  

LED晶圓(外延)的生長(zhǎng)制程

  • 今天來(lái)探討LED晶圓的生長(zhǎng)制程，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6英寸的晶圓上制作數(shù)以千計(jì)的晶粒，現(xiàn)在次微米線寬的...
  • 關(guān)鍵字： LED  晶圓  生長(zhǎng)  制程    

臺(tái)積電2009年-十月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告

  • 　　臺(tái)積電公司今(10)日公布2009年十月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣291億8,100萬(wàn)元，較今年九月增加了4.1%，較去年同期增加了2.9%。累計(jì)2009年一至十月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣2,259億2,700萬(wàn)元，較去年同期減少了21.9%。 　　就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，2009年十月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣302億1,900萬(wàn)元，較今年九月增加了4.4%，較去年同期增加了2.5%。累計(jì)2009年一至十月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣2,338億6,600萬(wàn)元，較去年同期減少了21.5%。 　　臺(tái)積電營(yíng)收?qǐng)?bào)告(非合
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  40nm  制程  

臺(tái)積電40nm制程仍存良率不足問(wèn)題

  • 　　據(jù)業(yè)界分析，臺(tái)積電的40nm制程目前仍然存在著良率不足的問(wèn)題。今年早些時(shí)候，臺(tái)積電曾公開(kāi)承認(rèn)此問(wèn)題，但后來(lái)他們宣稱已解決先前大部分良率問(wèn)題。不過(guò)，根據(jù)本周四Nvidia公司舉辦的一次會(huì)議的內(nèi)容，我們可以看出Nvidia公司內(nèi)部對(duì)臺(tái)積電的40nm產(chǎn)能及良率方面仍然存在較大的擔(dān)憂。而另外一 家廠商AMD也是深受其害。 　　不過(guò)并非所有廠商的情況均是如此，比如Altera公司便表示其委托臺(tái)積電代工的40nm FPGA產(chǎn)品“良率數(shù)據(jù)良好。” 　　相比之下，Nvidia則對(duì)臺(tái)積電的4
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  40nm  制程  

代工產(chǎn)業(yè)醞釀巨變 整合將使第一階陣營(yíng)縮小

  • 　　市場(chǎng)研究公司iSuppli指出，IC市場(chǎng)低迷很可能縮小第一階純代工廠商陣營(yíng)，未來(lái)第一階代工廠商的數(shù)量可能減少至3家。 　　“2009年是代工廠商希望趕緊過(guò)去的一年。”iSuppli分析師Len Jelinek在一份聲明中表示，“然而，明年很可能出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)成本的增長(zhǎng)將使玩家數(shù)量減少。” 　　2009年全球純代工廠商收入預(yù)計(jì)為178億美元，減少10.9%，明年將增長(zhǎng)21%至216億美元。 　　“開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)下一代制程的成本迅速增長(zhǎng)。想在
  • 關(guān)鍵字： TSMC  代工  制程  

臺(tái)積電為提升45納米以下制程產(chǎn)能進(jìn)行采購(gòu)

  • 　　臺(tái)積電近日表示，雖然尚未公布今年的資本支出計(jì)劃，但仍將持續(xù)進(jìn)行設(shè)備采購(gòu)，并以提升45、40納米的先進(jìn)制程產(chǎn)能為主。 　　臺(tái)積電本周連續(xù)公告自AMAT等廠商購(gòu)入設(shè)備，金額累計(jì)達(dá)54.8億臺(tái)幣。據(jù)悉，第二季臺(tái)積電投資設(shè)備金額將超過(guò)100億臺(tái)幣。對(duì)此，臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉皓對(duì)表示，“設(shè)備采購(gòu)基本上以45、40納米的先進(jìn)制程為主，我們?cè)谶@方面較缺乏，至于投入多少要以市場(chǎng)需要而定。”他并指出，公司今年資本支出還沒(méi)決定，但還沒(méi)決定不代表不買設(shè)備。 　　雖然臺(tái)積電未說(shuō)明在45、40納米先
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  制程  

臺(tái)積電率先推出40納米制程

  • 臺(tái)積電今（24）日表示，領(lǐng)先專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域推出40納米制程。此一新世代制程包括提供高效能優(yōu)勢(shì)的40納米泛用型制程（40G）以及提供低耗電量?jī)?yōu)勢(shì)的40納米低耗電制程（40LP）；同時(shí)提供完備的40納米設(shè)計(jì)服務(wù)套件及包括經(jīng)過(guò)制程驗(yàn)證的合作廠商硅智材、設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具，以及臺(tái)積公司的電性參數(shù)模型（SPICE Model）及核心基礎(chǔ)硅智材的完整設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境。而首批客戶產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2008年第二季產(chǎn)出。 臺(tái)積公司40納米制程重點(diǎn)： ?芯片閘密度（Raw gate density）是65納米制
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 40納米 制程  

制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

  • IBM聯(lián)盟開(kāi)發(fā)出可在32納米芯片中加速實(shí)現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡(jiǎn)單和更省時(shí)間的途徑，由此而能夠帶來(lái)的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過(guò)使用高電介質(zhì)金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開(kāi)發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片，同時(shí)提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的
  • 關(guān)鍵字： 制程 工藝  

Xilinx新小封裝FPGA降低50%成本

  •   2008年1月15日，中國(guó)北京-全球領(lǐng)先的可編程邏輯器件（PLD）供應(yīng)商賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX)）宣布推出其最新的90nm低成本Spartan™-3A FPGA器件。針對(duì)數(shù)字顯示、機(jī)頂盒以及無(wú)線路由器等應(yīng)用而優(yōu)化的這些小封裝器件滿足了業(yè)界對(duì)更小器件封裝尺寸的需求，為成本極為敏感的消費(fèi)電子設(shè)計(jì)提供將更好的支持。 Spartan-3系列平臺(tái):低成本消費(fèi)應(yīng)用的首選 賽靈思在大批量消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域所取
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  FPGA  其他IC  制程  

半導(dǎo)體進(jìn)入個(gè)人消費(fèi)時(shí)代 產(chǎn)品差異化提升設(shè)計(jì)工具價(jià)值

  • 　　近年來(lái)，消費(fèi)電子產(chǎn)品的成長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，更小、更快、更省電的芯片日益得到市場(chǎng)的青睞。同時(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也面臨著非常嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)和壓力，包括不斷上漲的研發(fā)費(fèi)用、產(chǎn)品生命周期管理和消費(fèi)者變化多端的個(gè)性化需求。在與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的研發(fā)緊密關(guān)聯(lián)的電子自動(dòng)化解決方案(EDA)領(lǐng)域，也同半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一樣，面臨著日益激烈的競(jìng)爭(zhēng)。合作成為各大公司發(fā)展的必然，而工藝技術(shù)從65nm到45nm進(jìn)而向32nm的演進(jìn)，集成化的完整的端到段端的設(shè)計(jì)解決方案將成為2008年EDA供應(yīng)商的追求。 消費(fèi)類芯片是中國(guó)市場(chǎng)最大熱點(diǎn) Synopsys中國(guó)
  • 關(guān)鍵字： 其他IC／制程  半導(dǎo)體  其他IC  制程  
共500條 7/34 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473