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使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

- 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
- 關(guān)鍵字: SoC 存儲(chǔ)器 設(shè)計(jì) ASIC 嵌入式 SRAM 工藝 實(shí)現(xiàn) 使用
開關(guān)電源EMI濾波器選擇與使用
- 摘要:介紹了電源用的電磁干擾濾波器的基本原理、組成和特點(diǎn),提出了電磁干擾濾波器的設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用方法[1] 引言隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,電子,電力電子,電氣設(shè)備應(yīng)用越來越廣泛,它們在運(yùn)行中產(chǎn)生的高密度,
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使用鋁電解電容的長串LED boost驅(qū)動(dòng)器

- TV和顯示器背光、路燈、停車場照明經(jīng)常使用長串LED,這類系統(tǒng)需要一個(gè)能夠產(chǎn)生高壓的電流驅(qū)動(dòng)器。本參考設(shè)計(jì)利用MAX16834構(gòu)建了一個(gè)這樣的驅(qū)動(dòng)器,能夠獲得非常高的調(diào)光比。
該參考設(shè)計(jì)利用MAX16834構(gòu)建一個(gè)boost - 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)器 boost LED 電解電容 使用
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