三星(samsung) 文章最新資訊

去年全球半導(dǎo)體銷售額三星退居第二英特爾重返榜首

據(jù)日媒報(bào)道，美國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner周二發(fā)布了2019年全球半導(dǎo)體廠商銷售額排行榜，在2017至2018年連續(xù)排在榜首的韓國(guó)三星電子由于主力產(chǎn)品存儲(chǔ)芯片的行情惡化而退居第2。
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2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析

　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場(chǎng)供需格局以及價(jià)格走勢(shì)，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM 三星 SK海力士美光

南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來(lái)很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來(lái)自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來(lái)將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購(gòu)華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來(lái)源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來(lái)自美光
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三星發(fā)布T7 Touch移動(dòng)SSD：支持指紋識(shí)別、讀寫1000+MB/s

一般來(lái)說，提升SSD通常只有兩件事：提高速度、增加存儲(chǔ)容量。顯然，略顯枯燥。
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三星Galaxy Tab S6 5G平板規(guī)格曝光，和4G版基本一致

據(jù)Emperor消息，目前三星Galaxy Tab S6平板電腦的5G版本配置曝光，可以看到和4G版本基本一致。
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三星表示已準(zhǔn)備好量產(chǎn)MicroLED屏幕：OLED取代者來(lái)了

在本屆CES大展上，三星表示已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)采用MicroLED面板的智能電視，并有望將2020打造成為MicroLED元年。
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三星：內(nèi)存芯片市場(chǎng)開始出現(xiàn)恢復(fù)跡象售價(jià)上漲不可能避免

對(duì)于三星來(lái)說，本周他們給出的去年第四季度財(cái)報(bào)預(yù)期時(shí)指出，公司的利潤(rùn)可能會(huì)跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價(jià)格下滑所致，不過他們看起來(lái)并不擔(dān)心。星電子副董事長(zhǎng)Kim Ki-nam接受媒體采訪時(shí)表示，內(nèi)存芯片市場(chǎng)開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動(dòng)時(shí)間。這位三星電子副董事長(zhǎng)在拉斯維加斯舉行的CES展會(huì)上對(duì)媒體表示：“有跡象表明市場(chǎng)正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測(cè)市場(chǎng)復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測(cè)哪些因素將會(huì)起作用?！睋?jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
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三星將展示“虛擬人”項(xiàng)目成果能自主生成表情動(dòng)作

三星有望在周一的國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）上宣布其未來(lái)的“虛擬人”項(xiàng)目。
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三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體工藝制造越來(lái)越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺(tái)積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實(shí)際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨(dú)特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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存儲(chǔ)芯片2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇

半導(dǎo)體行業(yè)有明顯的周期性，2019年半導(dǎo)體市場(chǎng)處于低位，加上貿(mào)易戰(zhàn)的影響，存儲(chǔ)芯片降價(jià)也讓三星失去了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一的位置。不過，臺(tái)灣旺宏電子董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)將強(qiáng)勁復(fù)蘇。他還指出，即便中國(guó)投入大量資本發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，也需要至少20年來(lái)培養(yǎng)人才和積累技術(shù)。
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李在镕：三星計(jì)劃利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片

據(jù)悉，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個(gè)3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃。
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對(duì)外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫(kù)存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來(lái)連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對(duì)清庫(kù)存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國(guó)華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對(duì)于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對(duì)內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬(wàn)美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來(lái)看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬(wàn)美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并正在評(píng)估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬(wàn)億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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