三星(samsung) 文章 最新資訊
三星計劃177億美元大手筆投資芯片業(yè)務
- 據(jù)路透社報道,三星將在近期宣布大幅度提高今年的芯片業(yè)務投資支出。而韓國當?shù)孛襟w透露說,投資金額將達到20萬億韓元(177億美元)。 三星預計在新晶圓廠動工儀式上宣布這項投資計劃,該數(shù)字是原來規(guī)劃的兩倍還多。不過業(yè)界擔心,設備制造商可能很難為三星的這項大規(guī)模投資提供充足的設備支持,這就使得他們可能將之前打算向其它晶圓廠提供的設備轉向三星。 由于近幾年的全球芯片業(yè)務投資都低于平均水平,這使得市場的芯片供應非常吃緊。目前各大芯片制造商都在尋求增加投資支出、建立先進的生產(chǎn)工廠以擴大產(chǎn)能。 三
- 關鍵字: 三星 芯片
三星投資203.32億美元 發(fā)展綠色及健康事業(yè)
- 三星集團(Samsung Group)預計至2020年前將投資約23兆韓元(約203.32億美元),發(fā)展汽車及太陽能電池、Bio制藥、醫(yī)療器材等5個親環(huán)境及健康相關未來產(chǎn)業(yè)。此外,三星也將開放雇用約4.5萬名員工,將成為景氣恢復的催生劑,受到各界矚目。 由三星集團會長李健熙于首爾市龍山區(qū)漢南洞的承志園中,所主持召開的新產(chǎn)業(yè)促進相關社長團會議中,三星表示為培育太陽能及汽車用電池、LED、Bio制藥、醫(yī)療器材等親環(huán)境、健康增進等新興產(chǎn)業(yè),將投資共約23兆韓元的金額。 三星表示,將由結晶系太陽能
- 關鍵字: 三星 LED 太陽能
三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計,三星的市占率高達39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長率較上季增加15%,但平均單價(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關鍵字: Samsung NAND DRAM
Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭
- DRAM價格走揚,帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元,較去年第4季再成長6.9%;其中,南韓三星市占率達32.3%,穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 集邦科技表示,盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季,不過,在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下,帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡,價格也持續(xù)走揚。 根據(jù)統(tǒng)計,第一季DDR3合約季均價上漲16%,現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面,第1季合約季均價上漲5%,現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 而在產(chǎn)品價格走揚,加上各
- 關鍵字: 三星 DRAM DDR3
三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機閃存卡
- 三星計劃于今年晚些時候推出相變內(nèi)存卡(PCM),旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術。 相變內(nèi)存由相變材料制成,通過加熱材料形式來存儲數(shù)據(jù)。與閃存存儲相比,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時更加省電,預計可延長電池續(xù)航時間20%。 在速度方面,相變內(nèi)存的優(yōu)勢更加明顯,其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示,相變內(nèi)存模塊預計于今年晚些時候下線,最初的容量為512MB。三星預計,對于多種電子產(chǎn)品,相變內(nèi)存最終取代當前的閃存技術。 值得一提的是,相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時所需溫度在150至600攝氏度之間,
- 關鍵字: 三星 PCM
三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能
- 頂級內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐,刺激服務器廠商對DDR3內(nèi)存的需求量大增,因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右,目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。 三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示:“當與
- 關鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 40nm DDR3
集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

- 根據(jù)集邦科技公布價格,DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后,在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后,在2010年第一季淡季不淡,合約季均價續(xù)漲5%,現(xiàn)貨季均價持平,持續(xù)維持在高檔價格。 由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2,而DRAM廠快速轉進至DDR3,使買方亦努力拉
- 關鍵字: Samsung DRAM DDR3
追隨三星之路 爾必達推出32GB容量模塊
- 日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),在三星電子(Samsung Electronics)于3月底,宣布推出由32GB大容量服務器內(nèi)存模塊后,日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世,不但采40奈米制程生產(chǎn),未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊,應用于服務器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等,DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn),逐漸由主流規(guī)格2Gb,延伸至4Gb容量。 爾必達22日指出,將正式推出4Gb DDR3芯片,主要是采用40納米制程生產(chǎn),且響應近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
- 關鍵字: Samsung DRAM 40納米
三星確認投建5.5代線OLED面板廠
- 今年一月份曾經(jīng)傳出三星計劃投建5.5代線OLED面板廠的消息,近日,三星表示他們確實在計劃5.5代線OLED面板廠,并表示該面板廠將在2011年1月投產(chǎn)。 三星稱,新面板廠所生產(chǎn)的基板大小為1,300 x 1,500mm,初期將主要集中在用于移動工具的小型OLED面板。不過該基板同樣可用于顯示器OLED面板和中小型OLED電視。 三星也表示他們還會生產(chǎn)筆記本使用的OLED面板,此前傳聞稱,蘋果已經(jīng)開始研發(fā)第二代 iPad并將配備OLED面板,不知這兩者是否有所關聯(lián)。外界分析稱,5.5代線的
- 關鍵字: 三星 OLED 面板
三星、海力士停電 PC恐受沖擊
- 存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件,海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外,海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降,由于有不斷電系統(tǒng)支應,并未造成任何損失,存儲器業(yè)者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點,長達2小時之久,盡管停電事件對于實際產(chǎn)出影響有限,然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊,若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能,恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。 海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件,公司在第1時間出面
- 關鍵字: Samsung 存儲器 DRAM
三星未來三年內(nèi)ARM處理器發(fā)展藍圖浮出水面
- 據(jù)從三星內(nèi)部泄露出來的一份文件顯示三星正在開發(fā)一系列新款ARM處理器,并計劃將這些ARM處理器應用到將來上市的上網(wǎng)本產(chǎn)品中去。這份文件的編制日期 是去年11月份,文章的開頭部分鼓吹稱由Intel和微軟控制的Windows平臺最終將被由三星和谷歌Chrome兩者所組成的Ubuntun平臺所取 代。 文件的開頭部分列出了一款代號為S5PV210(代號Taurus)的芯片產(chǎn)品,這是一款單核Coretex-A8處理器,運行頻率為1GHz,據(jù)文件顯示,這款處理器目前正處在送樣階段,有望于今年三季度量產(chǎn)。
- 關鍵字: 三星 處理器
三星(samsung)介紹
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