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三星 sdi 文章 最新資訊

南亞科宣布10nm級內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

  • 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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三星發(fā)布T7 Touch移動SSD：支持指紋識別、讀寫1000+MB/s

  • 一般來說，提升SSD通常只有兩件事：提高速度、增加存儲容量。顯然，略顯枯燥。
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三星Galaxy Tab S6 5G平板規(guī)格曝光，和4G版基本一致

  • 據(jù)Emperor消息，目前三星Galaxy Tab S6平板電腦的5G版本配置曝光，可以看到和4G版本基本一致。
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三星表示已準(zhǔn)備好量產(chǎn)MicroLED屏幕：OLED取代者來了

  • 在本屆CES大展上，三星表示已經(jīng)準(zhǔn)備好大規(guī)模量產(chǎn)采用MicroLED面板的智能電視，并有望將2020打造成為MicroLED元年。
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三星：內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)恢復(fù)跡象 售價上漲不可能避免

  • 對于三星來說，本周他們給出的去年第四季度財報預(yù)期時指出，公司的利潤可能會跌幅超50%以上，主要是內(nèi)存等芯片價格下滑所致，不過他們看起來并不擔(dān)心。星電子副董事長Kim Ki-nam接受媒體采訪時表示，內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細(xì)考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動時間。這位三星電子副董事長在拉斯維加斯舉行的CES展會上對媒體表示：“有跡象表明市場正在復(fù)蘇。但是現(xiàn)在還很難預(yù)測市場復(fù)蘇了多少，也很難預(yù)測哪些因素將會起作用?！睋?jù)悉，三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相
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三星將展示“虛擬人”項目成果 能自主生成表情動作

  • 三星有望在周一的國際消費電子展（CES）上宣布其未來的“虛擬人”項目。
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三星6nm工藝量產(chǎn)出貨 3nm GAE工藝上半年問世

  • 由于在7nm節(jié)點激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。在進(jìn)入10nm節(jié)點之后，半導(dǎo)體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導(dǎo)致臺積電、三星把不同的工藝改進(jìn)下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實際上也就是7nm工藝的改進(jìn)版，在7nm EUV基礎(chǔ)上應(yīng)用三星獨特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯
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存儲芯片2020年將強(qiáng)勁復(fù)蘇

  • 半導(dǎo)體行業(yè)有明顯的周期性，2019年半導(dǎo)體市場處于低位，加上貿(mào)易戰(zhàn)的影響，存儲芯片降價也讓三星失去了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一的位置。不過，臺灣旺宏電子董事長預(yù)計2020年市場將強(qiáng)勁復(fù)蘇。他還指出，即便中國投入大量資本發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)，也需要至少20年來培養(yǎng)人才和積累技術(shù)。
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李在镕：三星計劃利用全球首個3納米工藝制造芯片

  • 據(jù)悉，三星電子事實上的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕（Lee Jae-yong）討論了三星利用全球首個3納米工藝制造芯片的戰(zhàn)略計劃。
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

  • 本周三，三星電子對外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因為當(dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲芯片制造上，會否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電 分析師：對清庫存是重大利好

  • 在內(nèi)存、閃存價格處于一個很敏感的拐點階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

  • 北京時間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

  • 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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三星沖刺ASIC芯片 智原當(dāng)盟友

  • 三星晶圓代工為了在7納米及更先進(jìn)制程市場擴(kuò)大市占率，未來幾年將調(diào)整策略，爭取亞馬遜、谷歌、阿里巴巴等網(wǎng)絡(luò)巨擘及系統(tǒng)大廠的人工智能及高效能運算（AI/HPC）特殊應(yīng)用芯片（ASIC）晶圓代工訂單。法人表示，三星晶圓代工策略轉(zhuǎn)向需要IC設(shè)計服務(wù)廠支援，中國臺灣廠商智原可望成為主要合作伙伴。
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三星Galaxy S11系列PCB主板已開始量產(chǎn)

  • 據(jù)韓國媒體報道，三星Galaxy S11系列手機(jī)的PCB主板已經(jīng)于本月初開始量產(chǎn)，該系列手機(jī)將于明年2月份左右正式推出。三星 Galaxy S11（全網(wǎng)通）產(chǎn)品綜述|圖片(12)|參數(shù)|報價|點評三星Galaxy S11+渲染圖根據(jù)此前的爆料顯示，三星今年將依然推出三款新機(jī)，分別為Galaxy S11、Galaxy S11+、Galaxy S11e。三款新機(jī)的外觀設(shè)計基本延續(xù)了Galaxy S系列一貫圓潤的風(fēng)格。正面采用了類似Note 10系列的居中打孔顯示屏，且前攝的孔徑進(jìn)一步縮小。
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