3月1日消息，研究發(fā)現，三星已經出貨的上億部Android智能手機存在安全漏洞，攻擊者可能利用漏洞從相關設備中獲取敏感和加密信息。以色列特拉維夫大學(Tel Aviv University)研究人員發(fā)現的這個漏洞是三星Galaxy系列手機ARM TrustZone系統(tǒng)中密鑰存儲方式的一個特定問題。Galaxy S8、Galaxy S9、Galaxy S10、Galaxy S20、Galaxy S21多款三星手機均受影響，涉及至少1億部Android智能手機。TrustZone是一種用硬件將敏感信息與主要操
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三星 Galaxy 安全漏洞
今日，三星宣布推出全新高端移動處理器Exynos 2200。這是一款全新設計的移動處理器，配有強大的基于AMD RDNA
2架構的Samsung
Xclipse圖形處理單元（GPU）。憑借目前市場上先進的基于Arm?的CPU內核和升級的神經處理單元（NPU），Exynos
2200將實現更好的手游體驗，同時增強社交媒體應用和攝影的整體體驗。三星半導體 Exynos 2200 三星半導體 Exynos 2200三星電子系統(tǒng)LSI業(yè)務總裁Yongin Park表示：“Exynos
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三星 Exynos 2200 AMD Xclipse GPU
新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，其人工智能設計系統(tǒng)（DSO.ai）已被三星采用，并成功完成了基于先進工藝技術的的最先進高性能設計。這是使用新思科技人工智能設計系統(tǒng)實現先進芯片設計的成功案例之一。新思科技董事長兼聯席首席執(zhí)行官Aart de
Geus表示：“數十年來，自主芯片設計只存在于科幻小說中。人工智能設計系統(tǒng)的出現是半導體歷史上的關鍵里程碑，也將為延續(xù)摩爾定律注入新的活力。祝賀三星取得這一非凡成就，我們非常期待與三星一起實現下一個1000倍的增長?！币c： DSO.ai
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新思科技 人工智能 DSO.a 三星 移動芯片 自主設計
2019年AMD與三星達成合作，三星基于此打造了全新的Exynos 2200處理器，原本應該在1月11日發(fā)布，但已經取消。Exynos
2200處理器預計會用于三星新一代的Galaxy S22系列旗艦機中，后者還會有新一代驍龍8的版本，但Exynos
2200因為是三星自研的，GPU非常吸引人，所以很多人都在期待Exynos 2200的正式發(fā)布。 這次推遲發(fā)布之后，三星沒有公布原因，也沒有提及新的發(fā)布時間，爆料稱會在1月底2月初再發(fā)布，趕在S22系
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三星 Exynos 2200 處理器 4nm
中國西安正受疫情影響而封城，目前尚無法預期解封時間，根據TrendForce調查，由于三星（Samsung）在當地設有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數產品，投片量占該公司NAND Flash產能達42.3%，占全球亦達15.3%，現下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而，當地封城措施嚴格管控人流及物流，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經安排妥適，但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能，這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
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TrendForce 三星 NAND Flash
據悉，2022年三星將為電動汽車和自動駕駛汽車市場推出一系列全新技術設備。目前三星已經開始生產相關車載設備，首批產品將于2022年1月的中上旬開始上市。即將推向市場的特斯拉Cybertruck將首次使用特斯拉最新的Hardware 4計算機 —— 韓國媒體的報道稱，三星將擊敗臺積電，獲得生產該計算機所使用的芯片的合同。特斯拉當前所生產的電動汽車，搭載的是HW 3.0芯片，這一款芯片也是由三星電子代工。作為HW 3.0芯片的繼任者，HW 4.0芯片也將用于多款特斯拉電動汽車。從外媒的報道來看，三星將獲得的是
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三星 特斯拉 自動駕駛 芯片
今日，三星宣布已開發(fā)出用于企業(yè)服務器的PM1743固態(tài)硬盤。PM1743 固態(tài)硬盤擁有最新的PCIe 5.0接口和三星先進的第6代V-NAND閃存技術。三星半導體PCIe Gen5 SSD PM1743三星電子高級副總裁兼內存控制器開發(fā)團隊負責人Yong Ho
Song表示：“十多年來，三星持續(xù)提供SATA、SAS和基于PCIe的固態(tài)硬盤，憑借出色的性能和可靠性得到了包括企業(yè)、政府和金融機構在內的先進服務器客戶的認可。PCIe
5.0固態(tài)硬盤的推出，以及正在進行的基于PCIe 6.0的產品開發(fā)，將
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三星 服務器 PCIe 5.0 固態(tài)硬盤
據國外媒體報道，三星電子計劃采用一種新的封裝技術，以降低圖像傳感器的成本。從外媒的報道來看，三星圖像傳感器計劃采用的是芯片級封裝（Chip Scale Package，CSP）技術，從明年開始采用，不過只會用于低分辨率的圖像傳感器。COB封裝技術據The Elec報道，目前三星電子的圖像傳感器采用板上芯片封裝（Chips on Board，COB） ——?COB是當前圖像傳感器最常用的封裝方法，即將圖像傳感器放置在PCB上，并通過導線連接，再將鏡頭附著在上面。然而，該過程需要一個潔凈室，因為在封
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三星 圖像傳感器 CSP 封裝
三星電子將于本周宣布其在美國的新芯片工廠的選址。此前，三星電子副會長李在镕訪問了美國和加拿大。投資者認為，此舉表明三星將考慮如何動用1000億美元的現金儲備。韓聯社援引三星內部匿名人士的話稱，李在镕與白宮官員討論了解決全球芯片短缺問題的方法，以及如果三星在美國新建廠，美國政府將給予的激勵措施。目前，三星電子在德克薩斯州奧斯汀設有一家芯片制造廠。同樣位于德克薩斯州的泰勒市被認為是第二家工廠最有可能的候選城市，因為該地區(qū)提供的激勵措施更為豐厚。李在镕于今年8月假釋出獄，隨后在11月14日開始了出獄后的首次海外
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李在镕 三星
據韓聯社報道，三星電子21日消息，正在美國考察的三星電子副會長李在镕當地時間19日與美國白宮高層會面就解決全球供應鏈問題的方案、美國聯邦政府為半導體企業(yè)提供優(yōu)惠的方案等進行了討論?！ 蟮婪Q，三星雖未具體公開與李在镕會面的人士，但李在镕應已決定在美國投資晶圓工廠，并向美方具體介紹。美國議會一消息人士透露，工廠選址將于今明兩天內正式公布。李在镕18日在美國聯邦議會會見負責半導體優(yōu)惠法案的核心議員。據了解，李在镕呼吁美方為提供半導體企業(yè)優(yōu)惠的法案獲得通過給予配合?！ ×硗?，李在镕還于20日在美國華盛頓的微
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三星 晶圓廠 建廠
據報道，韓國三星電子有限公司正考慮在計劃于明年上市的高端智能手機Galaxy
A73上搭載中國顯示器企業(yè)生產的有機發(fā)光二極管（OLED）面板。針對這款預計明年上半年上市的機型，三星電子日前向中國的京東方、華星光電和韓國三星顯示公司分別發(fā)出了OLED面板報價請求。業(yè)內人士稱，如果京東方和華星光電通過了三星電子的技術測試，可能會從今年下半年開始向三星供應OLED面板。和此前的Galaxy
A系列機型一樣，Galaxy A73很有可能會在明年3月在全球上市。而如果此次中國面板企業(yè)能夠通過三星電子的技術測
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韓國先驅報11月3日報道，業(yè)內人士周三表示，韓國前兩大芯片制造商三星電子SK海力士預計將在11月8日最后期限前向美國政府提交其芯片業(yè)務信息?！ 〈饲埃绹虅詹块L吉娜·雷蒙多警告說，如果公司不回應這一要求，“那么我們的工具箱里還有其他工具，要求他們向我們提供數據。我希望我們不會走到那一步。但如果我們不得不這樣做，我們會的?！薄 蟮涝晃徊辉竿嘎缎彰娜枪賳T說：“除了遵守這一要求，似乎沒有其他選擇?！薄 №n聯社此前報道稱，美國商務部此前以提高芯片供應鏈透明度為由，要求三星電子、SK海力士等全球半導
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10月28日消息，據外媒報道，據兩名印度政府消息人士透露，特斯拉、LG能源(LG Energy）和三星電子等大型電池制造商已被邀請參加招聘峰會。印度希望鼓勵電池制造商進入該國市場，并投資在當地建廠，以發(fā)展國內清潔交通和建立電動汽車供應鏈?！ ⑷耸客嘎?，印度官員下個月將開始訪問美國、德國、法國、韓國和日本，希望說服大型電池制造商在印度建立生產線。特斯拉、LG能源和三星已經受邀參加活動，盡管其他電池制造商的完整名單尚未起草或確認。Northvolt、松下和東芝也將是峰會受邀目標?！ ∵@類會議是促進印
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新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，三星晶圓廠與新思科技就 VC 功能安全管理器（VC Functional Safety Manager，簡稱“VC FSM”）解決方案開展合作，為汽車SoC的功能安全失效模式后果分析（FMEA）和失效模式后果診斷分析（FMEDA）提供關鍵自動化技術?；赩C FSM在安全分析、驗證和實施等方面的差異化特性，三星與新思科技開展合作，將VC
FSM作為新思科技統(tǒng)一功能安全解決方案的一部分加以推進，協(xié)助開發(fā)者
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隨著近年來芯片制造巨頭在半導體產業(yè)中的地位日益凸顯 ，先進制程正成為全球各國科技角力場的最前線。而最新的戰(zhàn)火，已經燒到3nm制程。TrendForce數據最新顯示，目前臺積電的市場份額接近52.9%，是全球最大的芯片代工企業(yè)，而三星位居第二，市場份額為17.3%。在近幾個季度的財報會議上，臺積電總裁魏哲家就透露，3nm晶圓片計劃今年下半年風險試產，明年可實現量產。而三星也一直對3nm工藝寄予厚望，不僅在多年前就已開始投入研發(fā)事宜，更在今年上半年宣布預備投入1160億美元研發(fā)和生產3nm制程，以期趕超臺積電
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