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什么是GDDR7內(nèi)存——有關(guān)即將推出的圖形VRAM技術(shù)

  • 什么是 GDDR7 內(nèi)存？它是用于 GPU 的下一代圖形內(nèi)存，例如即將推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它將在未來幾年內(nèi)用于各種產(chǎn)品，為現(xiàn)有的 GDDR6 和 GDDR6X 解決方案提供代際升級，從而提高游戲和其他類型的工作負載的性能。但這個名字下面還有很多事情要做。自從第二代GDDR內(nèi)存（用于“圖形雙倍數(shù)據(jù)速率”）推出以來，這種模式就非常清晰。GDDR（前身為 DDR SGRAM）早在 1998 年就問世了，每隔幾年就會有新的迭代到來，擁有更高的速度和帶寬。當前一代
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臺積電完勝三星！死忠客戶Google轉(zhuǎn)單

  • 三星3納米制程良率不佳，外傳低于20%，導(dǎo)致原有客戶出走，最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片，將改為臺積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報導(dǎo)，Google Pixel 10系列手機的Tensor G5處理器（SoC），目前已進入 Tape-ou（流片）階段。 Google首款完全自研手機處理器Tensor G5，前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改，由三星代工生產(chǎn)，如今已從過往三星獨家代工轉(zhuǎn)向臺積電。報導(dǎo)稱，Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺積電3納米制程，芯片
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三星為智能手機攝像頭推出三款多功能圖像傳感器

  • 6月27日，三星發(fā)布了三款專為智能手機主攝像頭和副攝像頭設(shè)計的新型移動圖像傳感器：ISOCELL HP9、ISOCELL GNJ和ISOCELL JN5。<三星半導(dǎo)體發(fā)布的ISOCELL HP9圖像傳感器，ISOCELL GNJ圖像傳感器，ISOCELL JN5圖像傳感器>隨著用戶對智能手機攝像頭質(zhì)量和性能的期望不斷提高，從各個角度拍出出色照片的需求也空前高漲。為此，三星半導(dǎo)體推出其最新的移動圖像傳感器產(chǎn)品矩陣，讓消費者從各個角度拍照，都能拍攝出滿意的圖像效果，為移動手機攝影打開了新天地。&q
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三星 Q3內(nèi)存喊漲15～20％

  • 據(jù)韓媒報導(dǎo)，隨著AI應(yīng)用熱度不減，三星電子日前告知戴爾、慧與（HPE）等主要客戶，將在第三季提高服務(wù)器用的DRAM和企業(yè)級NAND閃存的價格15～20％。   臺系內(nèi)存模塊大廠聞訊分析，三星此舉主要趁著第三季電子產(chǎn)業(yè)旺季來臨前率先喊漲，以期拉抬目前略顯疲軟的現(xiàn)貨價行情，但合約價實際成交價格，仍需視市場供需而定。以位產(chǎn)出市占率來看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分別是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根據(jù)外電報導(dǎo)指出，三星電子第二季已將供應(yīng)給企業(yè)的NAND閃存價格，調(diào)
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報道，認為這則傳聞“毫無根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個批次（lots）被報廢，按照 12 英寸晶圓計算，相當于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據(jù)”，仍在評估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認為，報道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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羅德與施瓦茨和三星攜手為FiRa聯(lián)盟定義的安全測距測試用例的采用鋪平道路

  • 羅德與施瓦茨和三星合作，共同驗證了超寬帶（UWB）物理層的安全測距測試案例，并評估基于FiRa規(guī)范的設(shè)備安全接收器特性。在FiRa 2.0技術(shù)規(guī)范中，規(guī)定了新的測試用例，旨在防止對基于UWB技術(shù)的安全測距應(yīng)用進行物理層攻擊。這些測試用例使用羅德與施瓦茨的R&S CMP200無線電通信測試儀，在三星最新的UWB芯片組上進行了驗證。通過FiRa?聯(lián)盟驗證流程后，羅德與施瓦茨的CMP200無線電通信測試儀已成為FiRa 2.0 PHY測試的認證工具。成功驗證物理層安全測試用例后，羅德與施瓦茨和三星共同努
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三星旗下Semes成功開發(fā)出一種ArF-i光刻涂膠/顯影設(shè)備

  • 6月24日，三星電子旗下的韓國半導(dǎo)體和顯示器制造設(shè)備公司表示，第一臺名為“Omega Prime”的設(shè)備已于去年供貨，Semes正在制造第二臺設(shè)備。Semes表示，在Omega Prime設(shè)備上應(yīng)用了噴嘴、烘烤溫度和機器人位置自動調(diào)整系統(tǒng)，以消除涂布層的偏差。目前，Semes已制造出KrF光刻涂膠/顯影設(shè)備，并在此基礎(chǔ)上開發(fā)了ArF版本，以支持波長更短的新型光刻機。
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下：韓國最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫存積壓嚴重

  • 6月25日消息，據(jù)國外媒體報道稱，自從美國對中國實施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來，韓國最難受，因為其半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴重。韓國半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會進行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國開始限制對華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來，韓國半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進封裝技術(shù)

  • 6月21日消息，據(jù)日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進封裝技術(shù)高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術(shù)。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術(shù)以及玻璃基板技術(shù)。報道稱，為應(yīng)對未來AI需求趨勢，臺積電正與設(shè)備和原料供應(yīng)商合作，準備研發(fā)新的先進封裝技術(shù)，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的
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曝三星3nm良率僅20%！但仍不放棄Exynos 2500

  • 6月23日消息，據(jù)媒體報道，Exynos 2500的良品率目前僅為20%，遠低于量產(chǎn)標準，但三星仍在積極尋求解決方案，以期在今年10月前將良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工藝的智能手機SoC，該工藝相較于前代4nm FinFET工藝，在能效和密度上預(yù)計有20%至30%的提升。然而，低良品率的問題可能導(dǎo)致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平臺，這將增加成本并可能影響產(chǎn)品定價。三星對Exynos 2500寄予厚望，該芯片在性能測試中顯示出超越高通第三代驍龍8的潛力
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消息稱三星 Exynos 2500 芯片良率目前不足 20%，能否用于 Galaxy S25 手機尚不明朗

  • IT之家 6 月 21 日消息，韓媒 ZDNet Korea 今日報道稱，三星電子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未來能否用于 Galaxy S25 系列手機尚不明朗。韓媒報道指出，三星電子一般要到芯片良率超過 60% 后才會開始量產(chǎn)手機 SoC，目前的良率水平離這條標準線還有不小距離。三星電子為 Exynos 2500 芯片量產(chǎn)定下的最晚時間是今年年底，因此在 9~10 月前三星 LSI 部門還有一段時間提升下代旗艦自研手機 SoC 的良率。如果到時良率仍然不足，那三
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英偉達、臺積、三星互搶 半導(dǎo)體挖角戰(zhàn)

  • 眼看人工智能（AI）市場需求快速擴大，全球半導(dǎo)體業(yè)爭奪人才的競爭日益白熱化。韓媒披露，根據(jù)LinkedIn截至6月18日的數(shù)據(jù)，AI芯片龍頭英偉達有515名員工是從三星電子挖角，而三星也還以顏色，不但從英偉達挖來278人，還從臺積電挖走195人。但目前挾著AI芯片霸主光環(huán)的英偉達，還是最大贏家。 韓國朝鮮日報20日根據(jù)專業(yè)社交網(wǎng)站領(lǐng)英（LinkedIn）截至今年6月18日為止資料統(tǒng)計，英偉達近日新進員工有89人是從臺積電跳槽，反觀臺積電僅12名新進人員是從英偉達跳槽。英偉達也有515名新進員工是從三星電子
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三星新旗艦手機將棄自家芯片

  • 三星下一代旗艦手機Galaxy S25系列，可能完全采用高通處理器，原因是三星自家Exynos 2500處理其3納米制程良率低于預(yù)期，導(dǎo)致無法出貨，而臺積電為高通Snapdragon 8 Gen 4處理器獨家代工廠，可望跟著受惠。若上述消息成真，對韓國最大企業(yè)三星是一大打擊，也凸顯其晶圓代工技術(shù)看不到臺積電車尾燈。天風(fēng)證券分析師郭明錤日前在社群平臺X發(fā)文表示，高通可能成為Galaxy S25系列唯一的處理器供貨商，關(guān)鍵在于三星的Exynos 2500處理器其3納米晶圓代工良率低于預(yù)期，可能導(dǎo)致無法出貨。而
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臺積電漲價卻滿手訂單 韓媒低頭認三星2大敗筆

  • 臺積電3納米產(chǎn)能供不應(yīng)求，預(yù)期訂單滿至2026年，日前傳出臺積電3納米代工價調(diào)整上看5％以上，先進封裝明年年度報價也約有10％～20％的漲幅。韓媒撰文指出，臺積電漲價三星并未獲得轉(zhuǎn)單好處，主因大客戶優(yōu)先考慮的并非價格，而是高良率與先進制程的可靠生產(chǎn)力。 韓媒BusinessKorea以「臺積電漲價仍留住客戶的原因是什么？」為題撰文指出，輝達執(zhí)行長黃仁勛6月初在臺北國際計算機展期間，曾表示支持臺積電提高代工價格，并表示蘋果、高通等也將會接受臺積電漲價。由于臺積電3納米供應(yīng)嚴重短缺，產(chǎn)生繼續(xù)漲價的空間，報導(dǎo)續(xù)
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NAND市場，激戰(zhàn)打響

  • 隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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