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消息稱臺(tái)積電有望 9 月啟動(dòng) 2nm 制程 MPW 服務(wù)，吸引下游企業(yè)搶先布局

  • IT之家 8 月 29 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道稱，臺(tái)積電即將于 9 月啟動(dòng)每半年一輪的 MPW 服務(wù)客戶送件，而本輪 MPW 服務(wù)有望首次提供 2nm 選項(xiàng)，吸引下游設(shè)計(jì)企業(yè)搶先布局。MPW 即多項(xiàng)目晶圓，其將來自多個(gè)客戶的芯片設(shè)計(jì)樣品匯集到同一片測(cè)試晶圓上進(jìn)行生產(chǎn)，可分?jǐn)偩A成本，并能快速完成芯片的試產(chǎn)和驗(yàn)證。臺(tái)積電對(duì) MPW 的稱呼是 CyberShuttle 晶圓共乘服務(wù)。▲ 臺(tái)積電官網(wǎng) CyberShuttle 晶圓共乘服務(wù)頁面配圖。圖源臺(tái)積電臺(tái)媒在報(bào)道中表示，臺(tái)積電 3nm
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晶圓代工冰火兩重天？

  • AI正驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷前行，受益于AI浪潮帶動(dòng)先進(jìn)制程芯片需求提升，晶圓代工產(chǎn)業(yè)逐漸走出低谷，但消費(fèi)類芯片以及車用芯片等需求仍未完全回暖，成熟制程芯片競(jìng)爭(zhēng)激烈，晶圓代工呈現(xiàn)出冷熱分明的景象。01財(cái)報(bào)看市況：AI強(qiáng)勁，車用終端疲軟近期，多家晶圓代工大廠公布今年第二季度財(cái)報(bào)，并針對(duì)未來市況發(fā)表了觀點(diǎn)。截至今年6月30日的第二季度，臺(tái)積電合并營(yíng)收約208.2億美元，同比增長(zhǎng)32.8%，環(huán)比增長(zhǎng)10.3%。臺(tái)積電表示，公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)歸功于市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電3nm和5nm技術(shù)的強(qiáng)勁需求。財(cái)報(bào)顯示，先進(jìn)技術(shù)（7nm及以下）
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半導(dǎo)體晶圓代工“神仙打架”！

  • 近期，半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財(cái)報(bào)顯示，晶圓代工業(yè)務(wù)迎來利好；另一方面，臺(tái)積電、世界先進(jìn)的對(duì)外增資案也獲得批準(zhǔn)。多家廠商代工業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)季英特爾實(shí)現(xiàn)營(yíng)收128億美元，同比下降1%，低于市場(chǎng)分析師普遍預(yù)期的129.4億美元。盡管總體營(yíng)收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務(wù)方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收43億美元，較2023年同期增長(zhǎng)4%。圖片來源：英特
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臺(tái)積電預(yù)估CoWoS產(chǎn)能將超倍增長(zhǎng)

  • 7月18日，臺(tái)積電舉辦第二季度法說會(huì)。董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家提出“晶圓代工2.0”，將包含封裝、測(cè)試、光罩制作以及記憶體制造相關(guān)的IDM產(chǎn)業(yè)，預(yù)期在此新定義下，今年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將增長(zhǎng)10%。按制程來看，臺(tái)積電第二季度3nm營(yíng)收占晶圓總收入的15%，5nm占35%，7nm占17%。魏哲家指出，過去三個(gè)月，公司觀察到更強(qiáng)客戶需求，包含AI相關(guān)和高端智能手機(jī)相關(guān)需求相較三個(gè)月前更加強(qiáng)大，這使得公司領(lǐng)先業(yè)界的3nm和5nm制程技術(shù)的整體產(chǎn)能利用率在2024年下半年增加。對(duì)于CoWoS（Chip on Wafer on
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消息稱臺(tái)積電本周試產(chǎn) 2nm 制程：蘋果拿下首波產(chǎn)能，有望用于 iPhone 17 系列

  • IT之家 7 月 15 日消息，臺(tái)媒工商時(shí)報(bào)消息，臺(tái)積電 2nm 制程本周試產(chǎn)，蘋果將拿下首波產(chǎn)能。臺(tái)積電 2nm 制程芯片測(cè)試、生產(chǎn)與零組件等設(shè)備已在二季度初期入廠裝機(jī)，本周將在新竹寶山新建晶圓廠進(jìn)行 2nm 制程試產(chǎn)，并計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)，消息稱預(yù)計(jì)由 iPhone 17 系列搭載。IT之家注：iPhone 15 Pro 搭載采用臺(tái)積電 3nm 工藝（N3B）制造的 A17 Pro 芯片；M4 iP
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晶圓代工成熟制程芯片“不香”了？

  • 在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域的推動(dòng)下，晶圓代工先進(jìn)制程勢(shì)頭正盛，臺(tái)積電、三星及英特爾等半導(dǎo)體廠商紛紛加速布局，但成熟制程芯片的競(jìng)爭(zhēng)并未停止...近日，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥新任CEO克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）表示，世界需要中國(guó)生產(chǎn)的傳統(tǒng)制程芯片。報(bào)道稱，富凱表示，目前汽車行業(yè)，尤其是德國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)，都需要中國(guó)芯片制造商目前正在投資的傳統(tǒng)制程芯片。成為阿斯麥全球第二大市場(chǎng)高管看好中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為全球最大的光刻機(jī)廠商，自1988年進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)以來，阿斯麥便一直與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓（HV）和中壓（MV）CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN）的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40 V至700 V電壓，進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫，這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴(kuò)大CoolGaNTM的優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能，確保其在GaN器件市場(chǎng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測(cè)，未來五年GaN器件市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到46%。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事
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目標(biāo) 2026 年量產(chǎn)，初探臺(tái)積電背面供電半導(dǎo)體技術(shù)：最直接高效，但生產(chǎn)難度、成本高

  • IT之家 7 月 4 日消息，根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、高效，但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)？由于晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數(shù)也越來越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，需要穿過 10-20 層堆棧，大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí)，避免晶體管
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

  • 7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示，此次收購進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì)，可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求，
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消息稱臺(tái)積電 3/5 nm 制程明年漲價(jià)：AI 產(chǎn)品漲 5~10% ，非 AI 產(chǎn)品 0~5%

  • IT之家 7 月 2 日消息，中國(guó)臺(tái)灣消息人士 @手機(jī)晶片達(dá)人 爆料稱，臺(tái)積電正準(zhǔn)備從明年 1 月 1 日起宣布漲價(jià)，主要針對(duì) 3/5 nm，其他制程維持原價(jià)。據(jù)稱，臺(tái)積電計(jì)劃將其 3/5 nm 制程的 AI 產(chǎn)品報(bào)價(jià)提高 5%-10% ，非 AI 產(chǎn)品提高 0-5% 。實(shí)際上，上個(gè)月臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)也表示臺(tái)積電已經(jīng)開始傳出漲價(jià)消息。全球七大科技巨頭（英偉達(dá)、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果及谷歌）將陸續(xù)導(dǎo)入臺(tái)積電 3nm 制程，例如高通驍龍 8 Gen 4、聯(lián)發(fā)科天璣 9400 及蘋果
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬億韓元損失？三星回應(yīng)：毫無根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）發(fā)布聲明，否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道，認(rèn)為這則傳聞“毫無根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過程中發(fā)現(xiàn)缺陷，導(dǎo)致 2500 個(gè)批次（lots）被報(bào)廢，按照 12 英寸晶圓計(jì)算，相當(dāng)于每月 65000 片晶圓，損失超過 1 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 52.34 億元人民幣）。三星駁斥了這一傳言，稱其“毫無根據(jù)”，仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了，并指出三星的
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晶圓代工市場(chǎng)冷熱分明，部分特定制程價(jià)格補(bǔ)漲、先進(jìn)制程正醞釀漲價(jià)

  • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，中國(guó)大陸6.18促銷節(jié)、下半年智能手機(jī)新機(jī)發(fā)表及年底銷售旺季的預(yù)期，帶動(dòng)供應(yīng)鏈啟動(dòng)庫存回補(bǔ)，對(duì)Foundry產(chǎn)能利用率亦帶來正面影響，運(yùn)營(yíng)正式度過低谷。觀察中國(guó)大陸Foundry動(dòng)態(tài)，受惠于IC國(guó)產(chǎn)替代，中國(guó)大陸Foundry產(chǎn)能利用復(fù)蘇進(jìn)度較其他同業(yè)更快，甚至部分制程產(chǎn)能無法滿足客戶需求，已呈滿載情況。另一方面，因應(yīng)下半年進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上美國(guó)設(shè)備出口管制，產(chǎn)能吃緊情境可能延續(xù)至年底，使得中國(guó)大陸Foundry有望止跌回升，甚至進(jìn)一步醞釀特定
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三星公布新工藝節(jié)點(diǎn)，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日，三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒?dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計(jì)算（HPC）的性能。
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鄭州合晶：實(shí)現(xiàn)高純度單晶硅量產(chǎn)，12 英寸大硅片訂單排到 2026 年

  • IT之家 6 月 14 日消息，IT之家從河南鄭州航空港官方公眾號(hào)獲悉，鄭州合晶硅材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鄭州合晶”）已實(shí)現(xiàn)高純度單晶硅的量產(chǎn)。鄭州合晶相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，硅片生產(chǎn)主要分兩個(gè)流程，一是將原材料融解，種入籽晶，拉出圓柱狀的單晶硅晶棒；二是把硅晶棒切成厚薄均勻的硅片，然后再經(jīng)過打磨、拋光等 20 多道工序，最終做成芯片的載體 —— 單晶硅拋光片。該負(fù)責(zé)人表示，生產(chǎn)的硅片質(zhì)量已躋身國(guó)際先進(jìn)行列，產(chǎn)品得到中芯國(guó)際、臺(tái)積電、華潤(rùn)微電子等全球硅晶圓頭部供應(yīng)商的認(rèn)可。鄭州合晶正推進(jìn) 12 英寸大硅
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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