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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體 文章 最新資訊

任正非首次回應(yīng)美國禁令：半導(dǎo)體不賣給我們也沒關(guān)系

  • 5月18日，華為創(chuàng)始人任正非在深圳接受了《日本經(jīng)濟(jì)新聞》的采訪，對(duì)美國的禁令首次回應(yīng)道：“我們并沒有觸犯任何法律。”并且，華為在進(jìn)一步加強(qiáng)半導(dǎo)體等核心產(chǎn)品的自主研發(fā)
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變化中的全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

  • 根據(jù)SEMI的全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)（僅新設(shè)備）報(bào)告，2013年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)初步統(tǒng)計(jì)數(shù)字為320億美元，較2012年下降了13.3%。其中，前段晶圓制造設(shè)備作為......
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的思考：破局15萬億

  • 在未來的五年，十年，當(dāng)我們回頭溯源中國經(jīng)濟(jì)的再次騰飛，審視中國電子信息產(chǎn)業(yè)的再次崛起，當(dāng)人們都在熱切的討論“科技立國”之時(shí)，這一切都離不開“中國芯”在2018-2020年的厚重前行！
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世界半導(dǎo)體大會(huì)南京召開 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)爆發(fā)性增長(zhǎng)

  • 南京市集成電路產(chǎn)業(yè)2018年呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，今年的南京市政府工作報(bào)告顯示，2018年南京集成電路產(chǎn)業(yè)集聚上下游企業(yè)200余家、產(chǎn)值增長(zhǎng)55%。
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年下半年回暖？

  • 半導(dǎo)體供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)節(jié)庫存，第2 季產(chǎn)業(yè)景氣依然低迷，僅少數(shù)廠商第2 季業(yè)績(jī)得以較顯著成長(zhǎng)，業(yè)者多期待下半年景氣可望大幅好轉(zhuǎn)，美中貿(mào)易戰(zhàn)發(fā)展仍是各界關(guān)注焦點(diǎn)。
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國內(nèi)半導(dǎo)體重大突破 7納米時(shí)代已不遠(yuǎn) 支持投資5700億元

  • 在今年的全國電子信息行業(yè)工作座談會(huì)上，公布了去年我國在集成電路產(chǎn)業(yè)的銷售業(yè)績(jī)已經(jīng)攀升到6532億元，這是一個(gè)非?？捎^的體量。其中工藝級(jí)別發(fā)展到具備世界先進(jìn)設(shè)計(jì)水平的7納米級(jí)別，而14納米級(jí)的工藝即將投入量產(chǎn)，但與國外同期來說仍有兩代差距。
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沃衍資本金鼎：中國半導(dǎo)體的機(jī)遇-IC封測(cè)將成突破口

  • 根據(jù)IC Insights 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年，中國集成電路自給率僅為15.35%，核心芯片自給率更低?！靶就础敝?，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機(jī)會(huì)在哪里？這是一個(gè)值得深度思考的問題。
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半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇全靠5G？5G表示“無能為力”

  • 特朗普兩個(gè)推文就把上證指數(shù)打下了3000點(diǎn)，中國股市重演千股跌停的慘劇。緊接著IHS就將對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)2019年的預(yù)期從增長(zhǎng)2．9下調(diào)到下降7．4，甚至發(fā)文稱，芯片銷售下降7．4％將是自2009年大衰退以來半導(dǎo)體行業(yè)最糟糕的一年，當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體市場(chǎng)下跌近11％。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  5G  

恩智浦vs德州儀器 “半導(dǎo)體復(fù)蘇戰(zhàn)”中誰能拔得頭籌？

  • 去年，半導(dǎo)體銷售創(chuàng)下歷史新高，整個(gè)行業(yè)增長(zhǎng)13.7％至4688億美元。汽車，工廠自動(dòng)化和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的計(jì)算機(jī)化以及其他用途近年來為領(lǐng)先的芯片供應(yīng)商帶來了巨大的長(zhǎng)期順風(fēng)。
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的新機(jī)遇

  • 半導(dǎo)體行業(yè)是電子行業(yè)的一個(gè)分支，本質(zhì)上仍是制造業(yè)。和互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的不同是，半導(dǎo)體行業(yè)仍然需要制造設(shè)備和廠房，有具體的產(chǎn)品生產(chǎn)出來，需要設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試、銷售等環(huán)節(jié)。簡(jiǎn)單來講整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈分為三個(gè)大環(huán)節(jié)，分別是上游公司定義和設(shè)計(jì)芯片，中游晶圓制造上制造芯片，下游廠商把芯片應(yīng)用到個(gè)人電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。
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三星電子1160億美元重金投資芯片業(yè)務(wù)

  • 三星到2030年，邏輯半導(dǎo)體的研發(fā)和設(shè)備投資預(yù)計(jì)平均每年將達(dá)到11萬億韓元(約合95.7億美元)。
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SEMI報(bào)告：2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額躍升至創(chuàng)紀(jì)錄的645億美元

  • 美國加州時(shí)間2019年4月10日 – 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI報(bào)告，全球半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額從2017年的566.2億美元飆升14％至2018年的645億美元?dú)v史新高。 該數(shù)據(jù)現(xiàn)已在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告（WWSEMS）中提供。
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半導(dǎo)體所等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進(jìn)展

  • 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫，但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴(yán)重限制了深紫外LED的應(yīng)用。AlN材料質(zhì)量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的方法異質(zhì)外延生長(zhǎng)在c-藍(lán)寶石、6H-SiC和Si（111）襯底上，AlN與襯底之間存在較大的晶格失配與熱失配，使得外延層中存在較大的應(yīng)力與較高的位錯(cuò)密度，嚴(yán)重降低器件性能。與此同時(shí)，AlN前驅(qū)體在這類襯底上遷移勢(shì)壘較高，
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臺(tái)積電完成首顆3D封裝，繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界

ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)、街燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識(shí)的提高，在交流400V工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，相比現(xiàn)有的Si功率半導(dǎo)體，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，輔助電源中廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和
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半導(dǎo)體 介紹

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