芯原和中芯國際發(fā)布0.13微米平臺

芯原股份有限公司（芯原，VeriSilicon），主要基于中國半導體生產(chǎn)工藝的領先芯片設計代工廠和世界一流的集成電路代工廠中芯國際(“SMIC”)，近日共同發(fā)布針對中芯國際0.13微米CMOS先進工藝的半導體標準設計平臺。這套平臺包括存儲器編譯器有單口和雙口靜態(tài)隨機存儲器，擴散可編程只讀存儲器，雙口寄存器組，標準單元庫和輸入／輸出單元庫。

該標準設計平臺是針對高密度、高速及低功耗、低漏電要求為中芯國際的0.13微米CMOS工藝量身定制的，通過了中芯國際流片驗證并支持業(yè)內(nèi)主流EDA工具，包括Cadence、Magma、Mentor Graphics及Synopsys。 

芯原的董事長兼首席執(zhí)行長戴偉民博士表示："我們特別針對中芯國際0.13微米先進工藝開發(fā)了低功耗、低漏電技術并將之用于標準設計平臺中，可較大程度降低芯片的功耗，對手持設備等領域采用的芯片意義重大。 超過500家國內(nèi)外用戶已經(jīng)下載了芯原的標準設計平臺并用于他們的設計，許多復雜的、百萬門級的系統(tǒng)級芯片取得了一次投片成功并進入量產(chǎn)。" 

中芯國際的總裁兼首席執(zhí)行長張汝京博士表示：“在我們過去近四年的密切合作中，芯原公司為中芯國際提供過的0.25微米、0.18微米及0.15微米標準設計平臺，均取得了成功。現(xiàn)在又提供了0.13微米標準設計平臺。芯原的標準設計平臺加上其SoC設計服務能力與中芯國際先進工藝的結合，將會促使雙方國內(nèi)外業(yè)務持續(xù)增長。”