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IR推出工業(yè)用認證之MOSFET

作者: 時間:2008-11-05 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態(tài)ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動工具等工業(yè)應(yīng)用。
  

本文引用地址:http://www.2s4d.com/article/89229.htm

  新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達50%,無需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝,有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外,低RDS (on) 可降低導(dǎo)通損耗,并提升系統(tǒng)效率。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個系列的卓越RDS (on) 額定值,可讓設(shè)計人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中,往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝,使系統(tǒng)成本降低50%。”

全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓,也符合工業(yè)級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。

產(chǎn)品基本規(guī)格如下:


元件編號

溝道型

Bvdss
(V)

RDS(on)
(mΩ)

Qg
(nC)

25 CId
(A)

封裝

 
 

IRFP4004PBF

N

40

1.7

220

195*

TO247

 

IRFP4368PBF

N

75

1.85

380

195*

TO247

 

IRFP4468PBF

N

100

2.6

360

195*

TO247

 

IRFP4568PBF

N

150

5.9

151

171

TO247

 

IRFP4668PBF

N

200

9.7

161

130

TO247


*封裝限制

各款全新MOSFET已經(jīng)開始供貨。產(chǎn)品詳細資料可瀏覽IR網(wǎng)址:www.irf.com。

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱IR,紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動高性能運算設(shè)備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。



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