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應用材料公司推出全新SEMVision G4缺陷再檢測系統(tǒng)

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作者: 時間:2007-12-20 來源:電子產品世界 收藏

  近日,公司推出最先進的缺陷再檢測(掃描電子顯微鏡)S系統(tǒng),它將公司非常成功的S系統(tǒng)的技術和生產能力提升到45納米及更小的技術節(jié)點。S 系統(tǒng)的關鍵在于全新的聚焦離子槍技術和增強的多視角成像系統(tǒng)(MPSI),他們具有卓越的2納米物理精度,能提供無與倫比的成像質量,其每秒一個缺陷的檢測速度也設定了新的基準。

  公司工藝診斷和控制事業(yè)部SEM部門總經理Ronen Benzion表示:“45納米存儲器和邏輯芯片具有深高寬比和高密集度,因此高可靠性和高生產力的缺陷再檢測及分類對SEM的表現(xiàn)提出了前所未有的要求。SEMVision 系統(tǒng)為成像質量和生產能力設定了新的標準,同時帶來了新技術使客戶加速缺陷根源成因分析并大幅提升成品率?!?/P>

  東芝集團半導體公司四日市分公司制造工程部資深經理Tomoharu Watanabe表示:“SEMVision G4系統(tǒng)已于近期投入生產,我們期待它能夠在線上缺陷根源成因分析的應用上起到重要的作用。

  SEMVision G4系統(tǒng)把一些工程分析層面上先進的監(jiān)測能力引入到大規(guī)模制造上。這些至關重要的分析工具使客戶能夠在最敏感的器件層,例如浸沒式光刻膠和低K電介質層,快速地對最小達30納米的缺陷進行分析和分類。SEMVision G4所具有的EDXtreme是一種革命性的基于EDX(能量色散X射線能譜分析)的材料分析功能,它把系統(tǒng)提升至能對亞50納米的微粒作出缺陷化學特征描述。該系統(tǒng)全新的SEM聚焦離子槍能夠旋轉并同硅片形成最大為45%的夾角,提供完全的三維數(shù)據(jù),從而實現(xiàn)卓越的缺陷成像和分類。此外,硅片邊緣和bevel斜面分析技術進一步提高了成品率,使客戶成功應對浸沒式光刻相關的缺陷問題。



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