MOSFET的諧極驅動
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為了解決上面的問題，我們提出了一種新的諧振驅動器[5]，如圖3所示，在這個電路里面，一個互補的驅動對MDR1和MDR2和傳統(tǒng)的驅動器一樣。一個電感LR在諧振元件插入，兩個二極管DDR1和DDR2用來鉗位VGS和用來恢復驅動能量。開關管在開通或關斷LR才會出現(xiàn)諧振電流，占空比的變化不影響電路工作。而且，當二極管恢復驅動能量時，就提供了一個相應的低阻抗通路。
我們根據(jù)圖3b的波形來解釋一下這個電路。在一開始的時候VGS=0（tt1）,兩個驅動管都是關斷的，電感電流為零。在t1時刻，MDR1開通和一個電壓脈沖出現(xiàn)在MDR1和MDR2的連接點。這時候電感電流 iLR和電容電壓開始上升，直到在t2時刻，當VGS_M1=VDD和iLR=IPEAK 這個過程結束。如果諧振電路的品質因數(shù)Q足夠高，IPEAK和上升時間tr=t2-t1計算出來。
CG_M1是一個相等的門極電容M1，ZO是諧振電路的特征阻抗，WO是諧振頻率。在t2到t3這個時間，VGS_M1被DDR1和iLR鉗位在VDD。在t3時刻 MDR1關斷，能量恢復過程初始化：電感電流導通了體二極管MDR2，電流通路MDR2—LR——DDR1—VDD。穩(wěn)態(tài)電壓VDD穿過LR時，電感電流的減少是線性的，恢復時間trec(=t4-t3)可以簡單表示為
在時間t1到t2 ，從直流電源VDD轉換到諧振電感的能量為
這個電路和傳統(tǒng)的驅動電路相比有以下優(yōu)點：
驅動能量可以在充放電轉換過程中恢復。在上文已經(jīng)提到這個問題，這個可以通過更詳細的計算來說明這一點，RG是阻值，包含MDR通態(tài)阻抗和LR的寄生電阻，主MOSFET M1的門極阻抗和其他配線的電阻，充電諧振過程中暫態(tài)電感電流iLR為
VGS鉗位提供了快速啟動和優(yōu)化的過驅動電壓，二極管DDR1和DDR2 不但起能量恢復的作用，而且把VGS鉗位在0或者VDD，防止過驅動。對于給定功率的MOSFET，圖3中的驅動速度主要從諧振電感LR決定。選擇小的LR可以提高的轉換速度，增大能量了損耗。對于多數(shù)的高頻應用，MOSFET上升/下降時間由最大上升時間決定。在這樣的情況下，LR的選擇要滿足以下要求
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