非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法
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圖14：因遷移率增強，驅動電流增強及作為Lg應變硅函數之一的Rsd/Rch加速了Rsd/Rch的增長，導致返回的驅動電流逐漸減小。
本文小結
我們發(fā)現日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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