新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)
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時(shí)間：2011-11-22
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2．4 讀／寫(xiě)仿真
為了進(jìn)一步驗(yàn)證新型6T-SRAM讀／寫(xiě)功能的正確性，以及與傳統(tǒng)6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對(duì)兩種管子進(jìn)行了讀／寫(xiě)仿真。如圖4-圖7所示。本文引用地址：http://www.2s4d.com/article/178360.htm
新型6T-SRAM存儲(chǔ)單元的讀／寫(xiě)仿真表明，單個(gè)存儲(chǔ)單元的讀／寫(xiě)時(shí)間在0．2 ns內(nèi)，符合存儲(chǔ)器在高速狀態(tài)下運(yùn)行的需要。
3 結(jié)語(yǔ)
本文提出一種新型的SRAM單元，新型6T-SRAM單元有兩個(gè)單獨(dú)的數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)機(jī)制，一個(gè)是讀操作，另外一個(gè)是寫(xiě)操作。而且，SRAM單元設(shè)計(jì)不干擾存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的讀操作過(guò)程。該SRAM單元是在0．18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術(shù)，從而不需要刷新來(lái)維持?jǐn)?shù)據(jù)，并且仿真顯示功耗比較傳統(tǒng)SRAM低了很多，讀／寫(xiě)速度方面比傳統(tǒng)SRAM慢了一點(diǎn)，但是這是在可以接受的范圍內(nèi)。
評(píng)論