一種新光伏MPPT算法及硬件實現(xiàn)和實用性分析
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3 單管高邊NMOSFET驅動電路
為保證硬件電路的穩(wěn)定性，實驗采用IR2110芯片，搭建所需單管高邊NMOSFET驅動電路，如圖3所示。圖中A，B兩點分別接被驅動的NMOS FET的柵極和源極。驅動電路基本工作機制是：①PWM為低電平時，HIN為低電平，HO與VS導通，VQ1，VQ3先后關斷，LIN為高電平，LO與Vcc導通，LO變?yōu)楦唠娖剑琕Q2導通，將升壓電容C1的負極端接地，此時，直流電壓源12 V通過二極管VD1給C1充電；②PWM為高電平時，LO與COM導通，LO變?yōu)榈碗娖?，VQ2關斷，而HO與VB導通，這使得C1的正負極直接連接在VQ3的柵極和源極上，VQ3導通，導致C1的正負極通過VQ3連接在被驅動MOSFET VQ1的柵極和源極上，使VQ1導通。需要注意的是，即使由于VQ1導通導致B點的電壓升高，由于C1的作用，A，B兩點之間的電壓保持不變，保證了主電路NMOSFET的持續(xù)導通。
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