單臺3.5億歐元！ASML展示High NA EUV光刻機：2026年將大規(guī)模商用

近日，全球光刻機大廠ASML首次在其荷蘭總部向媒體公開展示了最新一代的High NA EUV光刻機，除了已經率先獲得全球首臺High NA EUV光刻機的英特爾之外，臺積電和三星訂購High NA EUV預計最快2026年陸續(xù)到位，屆時High NA EUV將成為全球三大晶圓制造廠實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備“武器”。

ASML發(fā)言人Monique Mols在媒體參觀總部時表示，一套High NA EUV光刻系統(tǒng)的大小等同于一臺雙層巴士，重量更高達150噸，相當于兩架空中客車A320客機，全套系統(tǒng)需要250個貨箱來裝運，裝機時間預計需要250名工程人員、歷時6個月才能安裝完成，不僅價格高昂也相當耗時。根據此前的爆料顯示，High NA EUV的售價高達3.5億歐元一臺。

Monique Mols解釋稱：“我們不斷進行工程設計和開發(fā)，還有大量工作要做來校準它并確保它適合制造系統(tǒng)。” “我們和我們的客戶也有一個陡峭的學習曲線?！鳖A計ASML今年還將發(fā)貨“一些”（High NA EUV系統(tǒng)），并且在定制和安裝方面仍有工作要做。

ASML CEO Peter Wennink表示，AI需要大量運算能力和數據儲存，如果沒有ASML將無法實現(xiàn)，這也是公司業(yè)務一大驅動力。ASML上季收到的EUV設備訂單也創(chuàng)下了歷史新高。

英特爾在2023年12月已率先拿下了全球首臺High NA EUV光刻機，并已經開始在英特爾俄勒岡州晶圓廠安裝。此前外界預計該設備將會被英特爾用于其最先進的Intel 18A制程量產，不過，日前英特爾CEO基辛格（Pat Gelsinger）在財報會議上宣布，Intel 18A預計將在2024年下半年實現(xiàn)制造就緒，但是并不是采用High NA EUV量產，該設備將會被應用于1.8nm以下的挑戰(zhàn)。

除了英特爾之外，臺積電、三星等晶圓代工大廠在High NA EUV設備機臺采購上則慢于英特爾。業(yè)界指出，由于High NA EUV光刻機價格是當前EUV光刻機的兩倍，這也意味著設備成本將大幅增加，由于明年即將量產的2nm依然可以依賴于現(xiàn)有的EUV光刻機來完成，并且成本并不會大幅增加，這也是臺積電、三星不急于導入High NA EUV光刻機的關鍵。

業(yè)界人士推測，臺積電預計最快在1.4奈米（A14）才導入High NA EUV曝光機臺，代表2025年才可望有采購設備的消息傳出，若按照臺積電先前對外釋出的1.4奈米量產時間將落在2027年至2028年計劃下，臺積電的High NA EUV曝光機臺交貨時間可能落在2026年開始陸續(xù)交機。

不過，可以確定的是，ASML的High NA EUV光刻機已成為英特爾、臺積電及三星等晶圓制造大廠進軍2nm以下先進制程的必備武器，僅是大規(guī)模采用的時間先后順序有所差別。

事實上，進入7nm以下后，臺積電就開始導入EUV光刻設備，原因在于光罩曝光層數大幅增加，在至少20層以上的重復曝光需求下，孔徑重復對準的精準度要求越來越高，這也讓EUV光刻機成為了必備設備，不僅可以提高良率，也能降低生產成本。

對于High NA EUV系統(tǒng)，ASML此前也表示，其第一代High NA EUA（EXE:5000）的分辨率為 8nm，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。并且，EXE:5000每小時可光刻超過 185 個晶圓，與已在大批量制造中使用的 NXE 系統(tǒng)相比還有所增加。ASML還制定了到 2025 年將產能提高到每小時 220 片晶圓的路線圖。這種生產力對于確保將高數值孔徑集成到芯片工廠對于芯片制造商來說在經濟上可行至關重要。

不過，半導體研究機構SemiAnalysis的半導體設備和制造分析分析師Jeff Koch則表示：“雖然一些芯片制造商可能會更早地推出它，以試圖獲得技術領先地位，但大多數芯片制造商在它具有經濟意義之前不會采用它?！笨蛻艨梢赃x擇等待并從現(xiàn)有工具中獲得更多收益。Jeff Koch通過自己的計算表示，只有在 2030 年至 2031 年左右從舊技術大規(guī)模轉換之后才會變得具有成本效益。此外，“預計ASML 在 2027-2028 年投產的尖端晶圓廠全面采用前沿邏輯制程之后，可能會擁有足夠的High NA EUV產能?！?/p>

原本任職于ASML的Jeff Koch不久前還曾發(fā)布了一篇題為《ASML困境：High-NA EUV比Low-NA EUV多模式更糟糕》的文章中指出，現(xiàn)有的Low-NA EUV系統(tǒng)通過雙重圖案化技術，相比High NA EUV更具成本優(yōu)勢！

不過，ASML 首席執(zhí)行官 Peter Wennink 今年1月回應稱，分析師可能低估了這項技術。“我們目前在與客戶的討論中看到的一切都是High NA EUV更據經濟效益?！?/p>

ASML的High NA EUV產品管理負責人 Greet Storms在上周五表示，拐點將于 2026-2027 年左右到來。

編輯：芯智訊-浪客劍