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英特爾實現(xiàn)3D先進封裝技術(shù)的大規(guī)模量產(chǎn)

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2024-01-26 來源:工程師 發(fā)布文章
1月25日,英特爾官微宣布已實現(xiàn)基于業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn),其中包括英特爾突破性的3D封裝技術(shù)Foveros,該技術(shù)為多種芯片的組合提供了靈活的選擇,帶來更佳的功耗、性能和成本優(yōu)化。

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這一技術(shù)是在英特爾最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9投產(chǎn)的。


這一里程碑式的進展還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術(shù)創(chuàng)新。隨著整個半導(dǎo)體行業(yè)進入在單個封裝中集成多個“芯粒”(chiplets)的異構(gòu)時代,英特爾的Foveros和EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等先進封裝技術(shù)提供了速度更快、成本更低的路徑,以實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管,并在2030年后繼續(xù)推進摩爾定律。


英特爾的3D先進封裝技術(shù)Foveros是業(yè)界領(lǐng)先的解決方案,在處理器的制造過程中,能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。此外,F(xiàn)overos讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算芯片,優(yōu)化成本和能效。


英特爾將繼續(xù)致力于推進技術(shù)創(chuàng)新,擴大業(yè)務(wù)規(guī)模,滿足不斷增長的半導(dǎo)體需求。


來源:英特爾咨訊


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