重磅！消息稱(chēng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)第四代3D NAND將由128層直接邁進(jìn)192層

近期，有媒體報(bào)道稱(chēng)，消息人士表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。此外，計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬(wàn)片晶圓。

當(dāng)然，消息補(bǔ)充稱(chēng)，由于192層工藝的復(fù)雜性，需要時(shí)間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，這一計(jì)劃有可能會(huì)被推遲到今年下半年。

對(duì)于上述消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不予置評(píng)。

從追趕者到業(yè)界領(lǐng)先水平，長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了不足5年時(shí)間

眾所周知，在存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)幾乎處于“空白”，2016年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就肩負(fù)著填補(bǔ)這一空白的重任。

2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了中國(guó)首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)的64層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。至此為止，長(zhǎng)江存儲(chǔ)依然扮演的是追逐者的角色。

直到今年4月初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)率先發(fā)布兩款128層3D NAND 產(chǎn)品，分別為：容量為1.33Tb的128層QLC 3D NAND閃存和容量為512Gb的128層TLC 3D NAND閃存，這代表著當(dāng)時(shí)業(yè)界最高存儲(chǔ)密度、最高I/O傳輸速度、單顆Die最高容量。

媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層芯片的良率目前在70%左右，仍有提高的空間。

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND的傳輸速率能夠達(dá)到1.6GT/s，業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，下一代192層產(chǎn)品的傳輸性能將大于2GT/s。

中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket整理

下一代閃存技術(shù)的較量已經(jīng)拉開(kāi)帷幕，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望獲得優(yōu)勢(shì)

2020年各大原廠(chǎng)均在100+層3D NAND取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，其中，三星已經(jīng)將其第六代1XX層V-NAND應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)及數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)；西部數(shù)據(jù)/鎧俠成功推出112層堆疊的BiCS5 3D NAND；英特爾也在2020年底推出采用144層TLC、QLC 3D NAND的SSD產(chǎn)品。

對(duì)于下一代閃存技術(shù)，美光步伐最快，于去年11月份宣布開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash，與上一代128層3D NAND技術(shù)相比，將讀取延遲和寫(xiě)入延遲改善了35%以上，基于ONFI接口協(xié)議規(guī)范，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。

SK海力士緊隨其后，宣布成功開(kāi)發(fā)出176層512Gb TLC 4D NAND，并已在去年11月份給主控廠(chǎng)商提供樣品，預(yù)計(jì)2021年中將有基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品面世。

而三星雖然沒(méi)有官方消息證實(shí)其第七代V-NAND技術(shù)，但是早有媒體報(bào)道稱(chēng)，三星將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆?！奔夹g(shù)，具體堆疊層數(shù)并未透露。西部數(shù)據(jù)/鎧俠與英特爾的下一代閃存技術(shù)依然十分“神秘”。

根據(jù)當(dāng)前信息，若長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)真將在今年年中率先試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，意味著其很可能成為全球首家推出192層3D NAND的廠(chǎng)商，代表著長(zhǎng)江存儲(chǔ)再一次取得歷史性突破，并有可能在下一代閃存技術(shù)的較量中處于領(lǐng)先地位。